【課題】ＭＲ素子の消費電力を低減する。
【解決手段】ＭＲ素子１０は、基板１１と、基板１１上に設けられたＭＲ膜１２とを備えている。ＭＲ膜１２は、ジグザグ状に折れ曲がる直線１２ａが更に多重にジグザグ状に折れ曲がる形状１２ｂを有する。直線１２ａは、複数の形状部１２１，１２２，１２３を形成している。それぞれの形状部１２１，１２２，１２３は、互いに平行な複数の長方形１２ｃがジグザグ状に直列に接続された形状を有し、かつジグザグ状に互いに直列に接続されている。 （もっと読む）

【課題】センサ寸法の拡大が抑制され小型化に有利で、高いセンサ特性が安定して得られ、作製工程が複雑化しない、磁気センサを提供する。
【解決手段】抵抗素子を直列に接続した通電経路単位４１，４２，４３，４４のそれぞれに関し、一方端部は電源端子Ｖｃｃに電気的に接続され、他方端部は接地端子ＧＮＤに電気的に接続され、抵抗素子同士の接続部は出力端子Ｖｏ１〜Ｖｏ４に電気的に接続される。通電経路単位のそれぞれを構成する複数の抵抗素子の少なくとも１つは、磁気抵抗効果膜からなる磁気抵抗効果素子であり、電源端子は全ての通電経路単位につき共通化され、接地端子は全ての通電経路単位につき共通化される。全ての通電経路単位は絶縁膜の一方の面に接して形成され、絶縁膜の他方の面に接して配置された導電膜を用いて、電源端子共通化のための電源接続配線及び接地端子共通化のための接地接続配線が形成される。 （もっと読む）

【課題】磁電変換素子の消費電力を抑制する。
【解決手段】外部間欠電源からの間欠電源信号の電源オン時間より短いパルス幅のパルスを発生するパルス発生回路と、磁電変換素子と、パルスに基づいて磁電変換素子への間欠電源信号の電源オン時間内の信号印加時間を制御するスイッチと、を有する。磁電変換素子は、例えば、外部の磁界の有無により信号レベルの大小関係の異なる２つの検知信号を出力するＭＲ素子である。２つの検知信号を増幅するアンプと、増幅された２つの検出信号を比較するコンパレータと、を設けることができる。 （もっと読む）

【課題】表面実装用のパッドの間隔を狭くすることが可能であるとともに、ＦＰＣを実装する場合でも電子部品と同時にリフロー法によって実装可能な構造のプリント配線板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】パッド２を露出させるようにソルダレジスト３が表面に形成され、隣接するパッド同士の間には、ソルダレジスト４が形成され、ソルダレジスト３とソルダレジスト４によって他のパッド２と隔てられたパッド２には、ソルダレジスト４と略同一高さ以上のはんだペーストが印刷によって配置されている。 （もっと読む）

【課題】はんだ接合に際してＰＣＢとＦＰＣとの位置決めを容易に行えるプリント配線板及びこれとフレキシブルプリント基板とのはんだ接続構造並びに方法を提供する。
【解決手段】フレキシブルプリント基板実装用の複数のパッド２を備えたプリント配線板１であって、パッド２を露出させるように表面にソルダレジスト３が形成され、各パッド２の周囲には、絶縁印刷層４によって凸部が構成されている。 （もっと読む）

【課題】光結合素子端面と光導波路結合端面の間隔の精度を向上させ、光素子と光導波路とを高効率で結合した光モジュール及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上に形成された下部クラッド層２、コア層３及び上部クラッド層４の光導波路形成層からなる光導波路５と、光導波路形成層の一部分を除去して形成した光素子搭載部とを有し、露出した光導波路５の端面と光素子搭載部に搭載された光素子８とを光学的に結合させた光モジュールであって、光導波路５の端面には、光導波路５から離れた位置に上部クラッド層４の最上部以上の高さで形成した少なくとも一つの突き当て用突起部１８を有し、突き当て用突起部１８と光素子８の光導波路５側の端面とを接触させた状態から、光素子８をその光軸方向に所定距離移動させて光素子８を光素子搭載部に固定した。 （もっと読む）

【課題】 高温の熱処理が必要な場合でも、高精度な台座ブロックを作製する。
【解決手段】 光導波路デバイス１０は、シリコン基板１１上に形成された下部クラッド層１２、コア層１３及び上部クラッド層１４１，１４２を有する光導波路形成層１５から成る光導波路部１６と、光導波路形成層１５の一部が除去されて成る光素子搭載部１７とを有し、光導波路形成層１５の一部の除去によって露出した光導波路部１６の端面に光素子搭載部１７に搭載された発光素子１８が光学的に結合されるものである。マスク２２となるクロム膜２１は、上部クラッド層１４２上に設けられる。そのため、クロム膜２１を形成する前に、下部クラッド層１２及びコア層１３などに高温の熱処理を施しても、クロム膜２１には何ら影響を与えない。 （もっと読む）

【課題】検知する磁界が２点以上ある磁気センサに用いることが可能な、低磁界側から高磁界側まで広い領域で磁気抵抗が変化し、膜応力の影響が小さく、かつ工程上の制限の少ない合金金属薄膜を使用する磁気センサ、その製造方法および磁気センサを使用した電子機器を得ること。
【解決手段】各種電子機器に適用する磁気センサに用いる合金金属薄膜の組成比が、Ｎｉの組成比をｘ重量％、Ｃｏの組成比をｙ重量％とすると、２１ｘ＋１９ｙ≦１８６９、５ｘ＋２８ｙ≧５４６、ｙ≦１１、ｘ＋ｙ≧８５を同時に満たす組成範囲内にある。もしくは、この合金金属薄膜の磁歪定数の絶対値が１．５×１０^-5以下であり、かつ異方性磁界(Ｈ_k)が８Ｏｅ以上１６Ｏｅ以下であり、かつ磁気抵抗変化率が２．５％以上である。 （もっと読む）

【課題】異方性磁気抵抗素子をＩＣ基板上に薄膜形成した磁気センサにおいて、垂直方向と水平方向の印加磁界を検出でき、磁界の印加方向に対する検出感度の調整が可能であり、かつ、印加方向とは異なる他方向から磁界が印加された条件下での感磁界特性への影響を抑制できる１チップ構成の磁気センサ等を提供する。
【解決手段】
磁気センサは、基板上に磁気抵抗素子１１〜１４を薄膜形成し比較増幅機能を有する電気回路を備えた半導体基板６７と、半導体基板６７を実装するリードフレーム６０と、半導体基板６７と接続されるリードフレーム６１及び６２とをパッケージ６６内に収容する。リードフレーム６０は、屈曲加工により半導体取付面がパッケージ表面に対して傾斜のある構造を有し、半導体基板６７は該取付面に取り付けられる。 （もっと読む）