基板を洗浄する方法が提供される。方法は、活性化溶液を基板の表面に塗布することから始まる。活性化溶液および基板の表面は、固体の洗浄表面の表面と接触する。活性化溶液は固体の洗浄要素の一部分の中に吸収され、次にダイ基板または固体の洗浄表面は、互いに対して動かされ、基板の表面を洗浄する。塑性変形を受ける固体の洗浄要素によって、基板の表面を洗浄する方法も提供される。対応する洗浄装置も提供され、より効果的でより摩耗の少ない洗浄技術を提供する。
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【課題】ウェーハ加工に用いるエッチングチャンバを提供する。
【解決手段】ガスチャンバは、キャビティを形成する上部チャンバ本体及び下部チャンバ本体と、ウェーハのための加熱チャックと、遠方ガス源と、排気装置と、を含む。ガスは、インジェクタのチャネルを通ってキャビティの中に注入される。各チャネルは、チャネルに入る入力光線が反射なしでチャネルから出て行くことを実質的に防止するのに十分な角度で互いに曲げられた部分を有する。チャネルは、チャックに最も近い端に漏斗状ノズルを有する。また、インジェクタは、熱膨張緩和スロットと、インジェクタとチャンバ及びガス源の合わせ面との間に小さな間隙と、を有する。インジェクタの温度は、冷却チャネルの冷却液及びインジェクタの容器の電気ヒータによって制御される。上部チャンバ本体は、漏斗状であり且つチャンクに最も近い上部チャンバ本体の端で下向きに湾曲する。 （もっと読む）

基板の温度制御を行う装置が、温度制御された台座、ヒータ、金属プレート、及び、誘電材料の層を有する。ヒータは金属プレートの下面と熱的に結合されるが、金属プレートから電気的に絶縁される。接着材料の第１の層が金属プレートとヒータを温度制御された台座の上面に接着する。この接着層は、機械的に柔軟性があり、装置表面に望ましい温度パターンを得るためにヒータの熱エネルギーと外部プロセスのバランスを取るように設計された物理的な特性に加工される。接着材料の第２の層が誘電材料の層を金属プレートの上面に接着する。この第２の接着層は、装置表面に望ましい温度パターンを伝導するように設計された物理的な特性に加工される。誘電材料の層は、静電クランプのメカニズムを形成し、基板を保持する。 （もっと読む）

【課題】反応性イオンエッチング及び同様な加工中半導体ウェーハの温度を制御する方法及び装置を提供する。
【解決手段】プラズマ加工装置用のチャックは、温度制御式ベースと、断熱材と、フラット支持体と、加熱器とを含む。温度制御式ベースは、操作中、加工物の望ましい温度以下の温度に制御される。断熱材は、温度制御式ベースの少なくとも一部分に上に配置される。フラット支持体は、加工物を保持し且つ断熱材の上に配置される。加熱器は、フラット支持体内に埋め込まれ及び又はフラット支持体の下側に取り付けられる。加熱器は、複数の対応する加熱ゾーンを加熱する複数の加熱素子を含む。各加熱素子に供給される電力及び又は各々の加熱素子の温度は、独立に制御される。加熱器及びフラット支持体は、毎秒少なくとも１℃の組合せ温度割合変化を有する。 （もっと読む）

クラスターツールは、複数の真空槽に接続される移送槽を含む。その移送槽に接続される付加的なプロセスチャンバーは、ハウジングに据え付けられる高圧室アッセンブリーを含む。開放位置および閉鎖位置との間で調整可能とされるその高圧室アッセンブリーは、上槽部および下槽部を含む。その上槽部に取り付けられ、その下槽部に付随するチャンバーロッドを有する液圧シリンダーは、その下槽部をその二つ位置の間で上槽部に対し移動させるように構成される。その二つの部分が閉鎖位置に一緒となる場合、高圧室アッセンブリーは、超臨界二酸化炭素でウェーハを処理するのに適した高圧室を形成する。その高圧室が形成されるならば、下槽部とハウジングとの間の部分は、高圧室の一部の外側に真空槽を形成するように真空にされ得る。
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第１の電極、第２の電極、閉じ込めリング、合焦リング、及びシールドを囲むチャンバを有するエッチング装置。第１の電極は、一定電位の源に結合される。第２の電極は、二重周波数ＲＦ電源に結合される。閉じ込めリングは、第１の電極と第２の電極との間に配設される。チャンバは、源に結合された導電性材料で形成される。合焦リングは、実質的に、第２の電極を取り囲み、該第２の電極を電気的に絶縁する。シールドは、実質的に、合焦リングを取り囲む。第２の電極の縁とシールドの縁との間の距離は、少なくとも、該第２の電極の縁と第１の電極の縁との間の距離より少ないものである。シールドは、一定電位の源に結合された導電性材料で形成される。
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【課題】 本発明は、プラズマ処理チャンバの一貫性した結果を保持するために、チャンバ・ハードウェア部品の正しいアセンブリを確認しかつチャンバ・プラズマ処理システムを故障診断修理するために高速かつ正確な方法を提供する。
【解決手段】 本発明の方法は、チャンバ、ＲＦ電源、及び整合ネットワークを有しているプラズマ処理システムを試験する。ＲＦ電力信号は、チャンバ内のプラズマを点火することなくＲＦ電源からチャンバに生成される。チャンバで受け取った、ＲＦ電力信号の電圧、ＲＦ電力信号の電流、及びＲＦ電力信号の位相が測定され、同時にチャンバ係数に影響を及ぼすその他のパラメータが保持される。チャンバのインピーダンスを表す値は、電圧、電流、及び位相に基づき計算される。次いで、値は、プラズマ処理システムにおける欠陥を決定するために基準値と比較される。基準値は、欠陥なしチャンバのインピーダンスを表す。
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基板の抵抗ベース特性測定を強化するための方法および装置が提供される。この装置は、渦電流で発生する電磁界で生成される信号を検出するよう構成されるセンサを含む。感度強化作用を可能にするため、磁界強化源は、センサに対して測定対象物の他の側面に設けられる。感度強化源は、測定対象物で生成される渦電流の強度を高めるものであり、その結果、センサの感度を高める。層の厚さ判定を可能にするシステムおよび抵抗ベース特性特徴を求めるための方法も提供される。
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発泡体を用いて、汚染物を含む表面を有する半導体基材を洗浄するか、化学処理を行う装置及び方法が開示される。半導体ウェーハは、剛体の支持体（又は発泡体の層）の上に支持され、半導体ウェーハが支持される間に、発泡体が半導体ウェーハの対向する表面に供給される。半導体ウェーハに接触する発泡体は、型を用いて加圧され、圧密発泡体が生成される。次に、型と半導体ウェーハとの間の相対的運動、例えば、半導体ウェーハの上面表面に平行及び／又は垂直な周期変動が誘起され、その間に、圧密発泡体が半導体ウェーハに接触して、望ましくない汚染物が除去されるか、及び／又は発泡体により半導体ウェーハの表面が化学的に処理される。 （もっと読む）