【課題】転位密度が少なく、熱応力歪みが生じにくい六方晶ウルツ鉱型化合物単結晶を提供する。
【解決手段】結晶粒原料を主体とし、水熱成長開始時に１℃／ｍｉｎ以上、６℃／ｍｉｎ以下で昇温し、成長時における育成容器内の上部と下部で下部の温度差が３〜７℃の範囲で水熱成長することによって得られる結晶マイクロドメイン構造Ｄを有する六方晶ウルツ鉱型化合物単結晶であって、前記六方晶ウルツ鉱型化合物単結晶は、連続かつ一様な結晶格子を有するマトリックス領域Ｍ内に、該マトリックス領域Ｍとは結晶格子の配列が異なる島状の結晶マイクロドメインＤを含み、該結晶マイクロドメインＤ内のｃ軸が、前記マトリックス領域Ｍのｃ軸と平行である。 （もっと読む）

【課題】金属シリコンを原料とする高純度シリコンの生産効率向上とコスト低減。
【解決手段】溶融した原料シリコンを収容した水冷ハース１３を傾動してハース底、内壁に形成された凝固層からなるスカル２２を溶湯２１から露出させて電子ビーム１４照射と真空雰囲気に暴露し、凝固層を溶解してハース反対側の溶湯に流動させて
常に新しい溶解面を真空雰囲気中に暴露することによって、リンの蒸発除去過程を行い、また、ボロンの除去過程において同じくハースの傾動によって溶湯から露出した凝固層の新しい溶解面に対して酸素ラジカルを供給してボロンを酸化し、形成された酸化ボロンを真空雰囲気において蒸発させて除去する。 （もっと読む）