【課題】 熱抵抗測定の際の半導体の温度ができるだけ均一となるような発熱手段を用いる半導体の熱抵抗の測定方法を提供する。
【解決手段】 本発明による半導体装置における熱抵抗の測定方法は、複数の回路ブロックを有し、該回路ブロックは複数のｐｎ接合の並列する構造が存在している半導体装置にて、該半導体装置の温度を変化させるとともに、前記複数のｐｎ接合のうち、所定の第１のｐｎ接合に発熱に影響しない順方向の微小な電流を流して発生する発生電圧を測定し、該発生電圧から半導体装置の熱抵抗を算出する、半導体装置における熱抵抗の測定方法において、前記半導体装置の温度を変化させる方法は、前記複数のｐｎ接合のうち、前記第１のｐｎ接合以外の第２のｐｎ接合が降伏状態になるように電流を流して発熱させる方法であることを特徴とする。そのため、半導体装置の熱抵抗を精度よく測定できる。 （もっと読む）

【課題】プッシュプル電力増幅器に適用できるバランであって、バランを介してプッシュプル電力増幅器に、２次高調波を注入もしくは抽出し得る、または直流バイアスを印加し得るバランを提供する。
【解決手段】基本波ｆ₀に対して１／４波長の長さを有し、性能が同等の２つの結合伝送線路１１，１２を用いて構成され、２次高調波を注入もしくは抽出し、または直流バイアスを印加できるように、入力される周波数により短絡および開放を切り換える周波数選択性インピーダンス回路２３を設け、これによりバラン１０３を介してプッシュプル電力増幅器に、２次高調波を注入もしくは抽出することを可能にするとともに、直流バイアスの印可を可能にする。 （もっと読む）

【課題】 小型化が可能で低損失であり、広帯域な周波数に対応できるバランを提供する。
【解決手段】 結合伝送線路またはサスペンデッド線路が１つでも、バランとして動作するように構成したバランであり、結合伝送線路は、２つの伝送線路が互いに並行でかつ近接して配置されて構成されており、サスペンデッド線路は、２つの導体パターンが誘電体層を挟んで、互いに並行でかつ近接して配置されて構成されているバランである。線路の長さは、動作周波数帯域の中心周波数にて、1/4波長となっていることが好ましい。 （もっと読む）