【課題】 半導体装置の電極パッドを利用してプロービングを行う場合、電極パッドが酸化している場合、酸化膜を破って低接触抵抗とするためにプローブ針の針圧を高くする必要があった。この場合、それだけ針先端のパッド上での移動量が大きくなり、その分だけパッド面積を大きくする必要があった。そのため、半導体素子形成領域外に、面積の大きな電極パッドを設ける必要があり、それだけ半導体素子チップのチップ幅が大きくなって、チップ幅の縮小（チップシュリンク）が困難になるという課題があった。
【解決手段】 半導体装置１０のＳｉ基板１１上に設けた入力電極パッド１４，１５及び出力電極パッド１６を、貴金属等の酸化しにくい被覆層１７で覆うように形成する。 （もっと読む）