本発明による自己混合干渉デバイスは、集積された光導波路構造(3)を備える基板(1)、該基板(1)の表面上に配置されて、前記表面へ向けてレーザー放射線を放出する半導体レーザー光源(2)、及び、該半導体レーザー光源(2)の強度変化を検出するように備えられた光検出器を有する。前記光導波路構造(3)は、前記半導体レーザー光源(2)と光学的に接続し、かつ、前記半導体レーザー光源(2)により放出されるレーザー放射線を、前記基板(1)の表面の射出光結合領域へ導光し、かつ、前記基板(1)の外部の標的対象物(4)から散乱されるレーザー放射線の一部を、前記前記半導体レーザー光源(2)へ再入射するように導光するように設計される。当該自己混合干渉デバイスは、既知の自己混合干渉デバイスよりも全体の高さを低くすることが可能である。
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