【課題】 エネルギーが同じである中性化ビームを発生し、かつ分子層が表面第１層〜第３層までの薄膜の表面を正確に分析することことができる表面分析装置を提供する。
【解決手段】 本発明の表面分析装置は、プラズマを生成し、イオン粒子を放出するイオン源と、イオンビームをパルス化するパルス化手段と、前記イオンビームから多価イオン粒子を除去する多価イオン粒子除去手段と、イオン粒子を中性化して中性粒子を生成する中性粒子生成手段と、前記中性粒子生成手段により生成された中性粒子に含まれる他の粒子を除去する除去手段と、前記他の粒子が除去された中性粒子ビームを分析試料の表面に入射させる中性粒子入射手段と、前記分析試料の表面から散乱された前記中性粒子あるいは前記分析試料から放出される原子を検出する検出手段とを備える。 （もっと読む）

集束イオンビーム３１２のスパッタリングエッチング加工を行って薄片を作製すると同時に、薄片の側壁に対して平行な方向から電子ビーム３１４の照射を行って走査電子顕微鏡観察をし、薄片の厚さを測定する。そして、薄片の厚さが所定の厚さになったことを確認して、集束イオンビーム３１２による加工を終了する。
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