【課題】 ガス検知層が剥離することを防止するとともに、絶縁性の密着層を介したガス検知層と検知電極との電気的な接続を図り、特定ガスの濃度変化を良好に検知するガスセンサを提供すること。
【解決手段】 ガス検知層４とシリコン基板２および絶縁被膜層３，２３０から構成される基体１５との間に密着層７を形成し、両者の密着性を高め剥離を防止する。この密着層７を絶縁性金属酸化物から構成されており、ガス検知層４の特性に対し影響を与えない。そして、検知電極６のガス検知層４と対向する側の面６１は全面、ガス検知層４と当接することで、ガス検知層４と検知電極６とが電気的に接続され、特定ガスの濃度変化に応じて変化するガス検知層４の電気的特性が良好に検知される。 （もっと読む）

【課題】狭小部や可動部に容易に配置することのできる、物質検知センサを提供すること。
【解決手段】可撓性を有する絶縁層２を形成し、互いに間隔を隔てて対向配置される第１電極３Ａおよび第２電極３Ｂと配線７とからなる導体パターン８を、絶縁層２の上に形成した後、導電性層４を、特定のガスの種類および／または量に応じて、膨潤する割合が変化する導電性材料から、絶縁層２の上に、第１電極３Ａおよび第２電極３Ｂ間にわたって、形成する。 （もっと読む）

【課題】ガス検知層が剥離することを防止し、特定ガスの濃度変化を良好に検知するガスセンサの製造方法を提供すること。
【解決手段】まず、検知電極形成工程にて、基体１５上にガス検知層４における電気的特性の変化を検出するための検知電極６を形成し、続く薄膜形成工程にて、ガス検知層４の主成分をなす金属元素からなる薄膜を、検知電極６を覆うよう形成する。その後、密着層形成工程において、薄膜形成工程にて形成された薄膜を酸素雰囲気中で熱処理して酸化し、薄膜を形成する金属粒子が成長した粗い凹凸を有する密着層７を形成する。その後、ガス検知層形成工程にて、密着層形成工程において形成された密着層７上に、ガス検知層４を形成する。以上の製造方法で形成したガスセンサ１は、アンカー効果により、密着層７を介して基体１５とガス検知層４との密着性が向上する。 （もっと読む）

【課題】特定ガスの濃度変化を良好に検出する上で、絶縁性の密着層を介したガス検知層と検出電極との電気的な接続を図り、製造の際の手間を軽減できるガスセンサを提供する。
【解決手段】ガス検知層４と絶縁被膜層３またはその上部に形成した検出電極６との間に密着層７を形成し、両者の密着性を高め剥離を防止する。この密着層７を絶縁性酸化物から構成することで、ガス検知層４の特性に対し影響が生じない。そして、この密着層７の一部を、ガス検知層４を構成する物質の一部が貫通することで（図中点線で囲った部分）、ガス検知層４と検出電極６とが電気的に接続され、特定ガスの濃度変化に応じて変化するガス検知層４の電気的特性が検出される。 （もっと読む）