本発明は、放射線の検出及び／又は透過のための装置であって、特に、検出器モジュール２０のアレイが配される支持体１０から構成されるＸ線検出器１に関する。支持体１０は、モジュールが或る程度まで引き続き回転することができるようにモジュールを固定させるために、検出器モジュール２０の背面にボールが挿入され得る孔１１を有する。この自由度のために、センサモジュール２０は、組み立て時に自動調心されることができる。
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本発明は、検出画素のアレイ（１２）を有する放射線検出装置（１０）に関する。検出器の各々の画素（２０）は、入射放射線（ν，Ｘ）により生成された電荷が収集されるフォトゲート電極を有する。その電荷の変化は、電流センサ（４０）によりモニタリングされることが可能であるフォトゲート電極（２１）に接続されたフォトゲートライン（３２）における変位電流を生じさせる。それ故、フォトゲートラインに接続された全てのフォトゲート電極（２１）により収集された電荷は、継続している暴露中に測定され、照射の高性能の線量制御方法を可能にする。
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Ｘ線などの放射線を検出する放射線検出器である。放射線検出器は、複数のピクセルを具備した検出器を含んでおり、ピクセルのそれぞれを使用して放射線を検出する。放射線検出器は、第１面上に形成された複数のはんだボールと第２面上に形成された複数の接点を具備したボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）パッケージをも含んでいる。ＢＧＡパッケージは、空洞をも具備しており、この空洞内に、少なくとも１つの集積回路（ＩＣ）チップが取り付けられている。ＩＣチップは、複数の読み出しチャネルを具備しており、読み出しチャネルのそれぞれは、ピクセルの中の対応したものによって検出された放射線に対応した電気信号を受信するべく、対応するはんだボールを介して対応するピクセルに結合されている。
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検出器の電極の構成を改良することで、信号の読み取り本数を減らす。検出器の有感面積が大きくなっても、歪みのない高分解能イメージングを可能とする。入射粒子の位置を検出する電極を、入射粒子のグローバル位置を検出するグローバル位置検出用電極と、入射粒子のローカル位置を検出する複数のローカル位置検出用電極とから構成する。グローバル位置検出用電極から検出したグローバル位置情報とローカル位置検出用電極から検出したローカル位置情報とから、入射粒子の位置を特定する。複数のローカル位置検出用電極は複数の群に分けられており、各群に属するローカル位置検出用電極を共通の信号線に接続する。所定数のローカル位置検出用電極が一つのグローバル位置に対応しており、一つのグローバル位置に対応する該所定数のローカル位置検出用電極は互いに異なる群に属している。 （もっと読む）

本発明は、Ｘ線機器用の検出器に係り、この検出器はその上に配置されたセンサ素子（３）のアレイ（２）を有するアモルファス又は好適には結晶シリコンの基板（１）を有する。その上に配置されるアナログ−デジタル変換器を有する集積電子モジュール（４）は、フリップチップ接触などによって基板の１つのエッジ（５）上に取り付けられ、また、信号リード線（６）によってセンサ素子に接続される。モジュール及び／又は基板は、センサ信号を処理するために増幅器及びマルチプレクサを追加的に有することが可能である。
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本発明は、歯科用放射線装置に係り、バイポーラＣＭＯＳ技術を用いて生産された能動型ピクセルアレイを有する検出器を備え、受信したＸ線を少なくとも一つのアナログ電気出力信号に変換する口内センサと、ケース中にカプセル化され、少なくとも一つの検出器起動装置を有する電子モジュールであって、このモジュール中で生成された検出器起動信号をセンサに伝送し、少なくとも一つのアナログ電気出力信号を前記モジュールに伝送するために、ワイヤ連結によりセンサに連結され、少なくとも一つのアナログ電気出力信号を少なくとも一つのデジタル出力信号に変換するアナログ／デジタル変換手段を有するモジュールと、少なくとも一つのデジタル出力信号の遠隔の処理と表示をするユニットへの伝送を保障することを目的としたワイヤ連結により電子モジュールに連結された遠隔の処理と表示をする表示ユニットとを備えている。
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本発明は、例えば、Ｘ線検出器のピクセルであり得る電子ユニット（１０１）のアレイ装置（１００）のためのアドレッシング回路に関する。全てのピクセル（１０１）が空間的に隣り合うシフトレジスタ（１１０）に接続され、このシフトレジスタ（１１０）が、直列に列方向に順次接続されると共に、共通のクロックライン（１１１，１１４）にも接続されている。外部トリガライン（１１３）を介して入力されるトリガ信号は、各クロックライン（１１１，１１４）のクロック信号ごとに行から行へ、シフトレジスタ（１１０）によって渡される。このプロセスでは、トリガされたシフトレジスタ（１１０）が、関連のピクセル（１０１）を活性化するので、これらのピクセルは、列方向に延在する読み出しライン（１０５）を介して読み出されることができる。
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ｎ型半導体基板５にはその表面側において、ｐ型領域７がアレイ状に２次元配列されている。隣接するｐ型領域７同士の間には、高濃度ｎ型領域９及びｐ型領域１１が配置されている。高濃度ｎ型領域９は、表面側から見てｐ型領域７を取り囲むように、基板５の表面側からｎ型不純物を拡散して形成されている。ｐ型領域１１は、表面側から見てｐ型領域７及び高濃度ｎ型領域９を取り囲むように、基板５の表面側からｐ型不純物を拡散して形成されている。ｎ型半導体基板５の表面側には、ｐ型領域７に電気的に接続される電極１５と、高濃度ｎ型領域９及びｐ型領域１１に電気的に接続される電極１９とが形成されている。これにより、クロストークの発生を良好に抑制することと、初期的な接続エラーもしくは温度サイクル等による接続点の破損によって、あるホトダイオードが電気的にフローティングな状態になった場合においても、隣接するホトダイオードへのキャリアの流れ込みを抑制することが可能な半導体光検出素子及び放射線検出装置が実現される。 （もっと読む）

核画像システム（１０）のための検出器（２０）は、個別の検出素子（４８）の配列を支持する複数のソケット（４４）を有している。各ソケット（４４）は、複数の電気的接続部（５４）及びソケット整合構造（７２）を有している。検出素子（４８）を保持しているソケット（４４）は、回路基板（４０）に挿入される。回路基板（４０）は、電気的接続部（５４）と電気的に接続する複数の導電性開口部（５２）及びソケット整合構造（７２）と一致し、ソケット（４４）及び個別の検出素子（４８）を回路基板（４０）と一致させる整合構造（７４）を有している。コリメータ（２４）は、整合させてフレーム（６０）に取り付けされる。フレーム（６０）及び回路基板（４０）は、それぞれ、コリメータ（２４）を回路基板（４０）及び個別の検出素子（４８）に整合する整合構造を有している。
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イオン検出器から電子検出器へと切り換え可能な粒子検出器はイオン−電子変換器およびシンチレータ検出器を有する。構成部品への１セットの電圧で、変換器は電子の軌道上で最小限の衝突を有し、それゆえに電子がシンチレータ検出器によって効率的に検出される。構成部品への異なった電圧設定で、大部分のＦＩＢ応用について充分な効率で陽イオンを収集するように検出器が陽イオンのモードで動作することが可能である。このイオン−電子変換器は円筒の形状であるか、または複数の平行プレートを有することが好ましい。 （もっと読む）