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Fターム[2G132AB17]の内容

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Fターム[2G132AB17]に分類される特許

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【課題】長期間使用した電子機器における埃の付着状況を適切に再現可能な、電子機器用の埃試験装置および埃試験方法を提供する。
【解決手段】埃Dを封入するための筐体11と、筐体内に電子機器30を配置するための配置台13と、第1の周期で筐体内に埃を飛散させるための第1の送風部15と、第1の周期より長い第2の周期で、電子機器の通気口31に付着した埃を吹飛ばすための第2の送風部17とを備える。通気口に詰まった埃を周期的に吹飛ばすことで、試験開始後の早い段階で通気口が完全に詰まることがなく、試験の継続が可能となるので、長期間使用後の埃の付着状況を適切に再現することができる。 (もっと読む)


【課題】長時間の間、減圧下で加熱しながら行う通電負荷試験において、基板上にトランジスタを搭載した薄型パネルの配線基板表面、又は半導体ウェハ表面が汚染されることを防止する。
【解決手段】半導体ウェハ10を載置するウェハ保持具104と、ウェハ保持具104上に載置された半導体ウェハ10上に配置された複数の半導体チップ10aの電極端子10bと、半導体チップ10aに通電負荷を与えるための制御回路113とを電気的に接続するための配線基板101を含み構成されるコンタクタと、半導体ウェハ10が載置されたウェハ保持具104と、コンタクタの配線基板101とで形成される空間部S1,S2を減圧する排気部109と、空間部S1,S2にガスを導入するガス導入部110と、を備えたことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】さらに迅速で正確な半導体集積回路装置の不良分析方法を提供する。
【解決手段】互いに相関関係のある欠陥とアナログ特性とをデータベースに保存し、第1ウエハ内の不良ビットを探し出し、第1ウエハ内の不良ビットのアナログ特性を測定し、該測定されたアナログ特性とデータベースに保存されたアナログ特性とを比較して、不良の原因となった欠陥を判別することを含む不良分析方法。 (もっと読む)


【課題】荷電粒子線を用いて、半導体製造工程途中の回路パターンを持つウエハ上の欠陥の位置や種類を検査する方法において、回路パターンの異常な帯電を防ぎ、電子線照射領域を均一に、所望の帯電電圧に制御し、半導体装置の信頼性および生産性を高める。
【解決手段】荷電粒子源10からの荷電粒子線を用いて、半導体製造工程途中の回路パターンを持つウエハ上の欠陥の位置や種類を検査するに際して、試料台3に載置された基板の回路パターンの接合に光源17からの紫外光を照射すると同時に荷電粒子線を照射し、画像のコントラストにより高感度に検査を行う。紫外光の波長は絶縁膜の吸収端よりも短い。 (もっと読む)


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