本発明は、微小電気コンポーネント、微小機械コンポーネント、微小電気機械（ＭＥＭＳ）コンポーネント、又は微小流体コンポーネントを基板上にパッケージするための方法であって、容易に除去可能な第二基板上の架橋フォトレジストから作られた空洞を形成し、選択されたマイクロデバイスを含む第三基板に前記空洞を結合し、次に前記除去可能な第二基板を剥がすことによりパッケージする方法に関する。
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【課題】フォトレジストパターン形成工程、およびエッチング工程を不要とし、簡素な工程で、大規模な設備、真空装置あるいは高エネルギー光源などの特別な装置を準備しなくても所望のパターンニングを容易に達成できる、実用性の高い撥水親水表面を有する基材の提供。
【解決手段】基材に、ケイ素原子に結合した水素原子が存在する撥水表面を形成する工程（１）、つぎに、工程（１）で形成した撥水表面の所望領域を、光照射によって塩基を発生する光塩基発生剤（Ｂ）と水との存在下に光照射して、該所望領域の撥水表面のケイ素原子に結合した水素原子を水酸基に変換することにより、ケイ素原子に結合した水酸基が存在する親水表面を形成させる工程（２）を順に行うことを特徴とする撥水親水表面を有する基材の製造方法。 （もっと読む）

基板上に耐熱性レリーフ構造を作成する方法であって、この方法は、（ａ）基板を用意し；（ｂ）最初のコーティング段階で、ポリアミド酸およびガンマ−ブチロラクトンを含有する組成物によって基板をコートして少なくとも約０.５μｍの厚さをもつポリアミド酸の層を形成し；（ｃ）１４０℃またはそれ未満の温度でポリアミド酸の層をベーキングし；（ｄ）第２のコーティング段階で、ポリアミド酸の層上にフォトレジストの層をコーティングして二層コーティングを形成し；（ｅ）二層コーティングを＜２５０ｎｍの放射線に露光し；（ｆ）１つまたはそれ以上の水性のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド現像液によって二層コーティングを現像し；（ｇ）残留するフォトレジスト層を除去し；そして（ｈ）ポリアミド酸層を少なくとも約２００℃の温度で硬化してポリイミド構造をつくる段階を包含し、この場合ポリアミド酸は、水性のテトラメチルアンモニウム中に可溶でありまたフォトレジストに使用される溶媒中には可溶でない。 （もっと読む）