【課題】 携帯電話等に用いられる液晶表示装置において、待ち受け時には低消費電力でマルチカラー表示を行い、また通話時にはフルカラーによる中間調表示や動画表示を行うことができるようにする。
【解決手段】 画素電極１３と１１信号線とを第１のスイッチ素子１４で接続するとともに、画素電極１３とディジタルメモリ１８との間を第２のスイッチ素子１７で接続し、通話時には、第２のスイッチ素子１７をオフして、第１のスイッチ素子１４をオンすることにより、信号線１１から供給される映像信号で画像表示を行い、また待ち受け時には、第１のスイッチ素子１４をオフして、第２のスイッチ素子１７をオンすることにより、走査線／信号線駆動回路の動作を止めつつ、ディジタルメモリ１８に保持された映像信号で画像表示するようにした。 （もっと読む）

【課題】 優れた特性を有する多結晶シリコン膜を備えた半導体装置を高い歩留まりで製造することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 石英ガラスや無アルカリガラスなどの基板１上に、非晶質シリコン膜２ａを形成する。その非晶質シリコン膜２ａ上にＷシリサイド膜（導電膜）４ｂを形成する。そして、Ｗシリサイド膜（導電膜）４ｂに対し、高周波やＹＡＧレーザービームなどの電磁波を照射することにより、Ｗシリサイド膜（導電膜）４ｂを発熱させ、この熱を利用して、非晶質シリコン膜２ａを多結晶シリコン膜２に変える。 （もっと読む）

【課題】斜めからの入射光１１０、及び入射光１１０が乱反射を起こすことにより間接的に入射する光についても、遮光可能な薄膜トランジスタの構造及びその構造を工程数を増やすことなく簡易なプロセスで製造可能な製造方法を提供する。
【解決手段】 活性層となるｐｏｌｙ−Ｓｉ膜１０４の両側のそれぞれにおいて、ゲート絶縁ＳｉＯ２膜１０５及び下地ＳｉＯ２膜１０３を遮光ＷＳｉ２膜１０２が露出するまで選択的異方性エッチングし、コンタクト開口部１０６を形成する。その後、ゲートＷＳｉ２層１０７をスパッタ成膜し、さらに、フォトレジスト１０８をマスクとしてドライエッチングを実施し、ゲートＷＳｉ２電極１１１とＷＳｉ２からなるサイドウォール１０９を同時に形成する。これにより、サイドウォール１０９の下端を遮光ＷＳｉ２膜１０２に接触させ上端をゲート絶縁ＳｉＯ２膜１０５上面とほぼ同一高さに位置させる。 （もっと読む）

【課題】 多結晶シリコン薄膜の表面に形成された突起を容易且つ確実に除去することができる多結晶シリコン薄膜の平坦化方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 多結晶シリコン薄膜を炭素（Ｃ）とフッ素（Ｆ）と水素（Ｈ）とを少なくとも含有するガスのプラズマに曝すことにより突起を除去して多結晶シリコン薄膜の表面を容易且つ確実に平坦化することができる。 （もっと読む）

【課題】 付加容量の容量値のバラツキが小さく、表示品位の優れた液晶表示装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の液晶表示装置の付加容量１０は、絶縁性基板１１上に形成された第１導電層１２と、第１導電層１２上に形成され、第１導電層１２の一部を露出する開口部１４を有する第１絶縁層１３と、少なくとも開口部１４内に位置する第１導電層１２上に形成された第２導電層１７ａと、第２導電層１７ａを覆う第２絶縁層１８と、少なくとも開口部１４内に位置する第２絶縁層１８を覆う、第３導電層１９ａとから形成されている。 （もっと読む）

【課題】 ＣＭＯＳ−ＴＦＴを構成するｐ型及びｎ型ＴＦＴの各しきい値電圧を独立に効率良く（最小限のフォトリソグラフィーで）高精度に制御する。
【解決手段】 ＣＭＯＳ−ＴＦＴを製造するに際して、しきい値電圧（Ｖthp ，Ｖthn ）制御として極低濃度にｐ型不純物（Ｂ：ボロン）の非選択的添加（ｐ型及びｎ型ＴＦＴの双方に添加）及び選択的添加（ｎ型ＴＦＴのみに添加）を連続的に行なう。具体的には、当初図４（ａ）のようにＩd −Ｖg 特性がｐ型及びｎ型ＴＦＴ共に負シフトした状態から、非選択的添加により図４（ｂ）のようにｐ型及びｎ型ＴＦＴ共に正シフトさせてＶthp を先ず仕様値とし、続いて選択的添加によりｎ型ＴＦＴのみ正シフトさせてＶthn を仕様値に調整する。 （もっと読む）