【課題】 高速駆動が可能な駆動回路とオフ電流の低い負荷回路とを備えたアクティブマトリクス基板の形成を低温プロセスによって実現する技術等を提供する。
【解決手段】 駆動回路を構成するＴＦＴの半導体膜として略単結晶状態の活性半導体膜を形成する一方、画素回路を構成するＴＦＴの半導体膜として微結晶状態の活性半導体膜を形成する。具体的には、駆動回路を構成するＴＦＴが形成される領域には、結晶化の際に該活性半導体膜を局所的に加熱する局所加熱機構を設ける一方、画素回路を構成するＴＦＴが形成される領域には、該局所加熱機構を設けない。 （もっと読む）

【課題】表示装置の画素用ＴＦＴ、駆動回路用高速動作ＴＦＴに適した特性の異なるＴＦＴを有す半導体装置の提供。
【解決手段】 前記絶縁性基板２１上方に配置され、アモルファスシリコン層を出発材料とし、エキシマレーザ照射で多結晶化した第１の多結晶シリコン層２４ｂと、ＣＷレーザ照射で多結晶化した第２の多結晶シリコン層２４ｃと、第１の島状多結晶シリコン層２４ｂ上に形成され、第１および第２の絶縁層２５，２７を含む積層の第１のゲート絶縁膜と、第２の島状多結晶シリコン層２４ｃの少なくとも一部の上に形成され、前記第１および第２の絶縁層２５、２７のいずれか一方を含んで形成された第２のゲート絶縁膜、ゲート絶縁膜上に形成された第１及び第２のゲート電極２８、２６と、を有し、第１及び第２のチャネル領域は、異なる不純物ドーピング濃度を有する半導体装置。 （もっと読む）

【課題】 スタックコンタクトにおける接触抵抗を抑制させる。
【解決手段】 基板と、基板上に設けられた薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタの上層側に設けられた配線と、該配線と薄膜トランジスタの少なくとも半導体層とを層間絶縁する層間絶縁層と、該層間絶縁層に掘られており且つ基板面上で平面的に見て長手状に延びる第１の穴、及び、夫々、第１の穴の底部から層間絶縁層を貫通して半導体層の表面に至り且つ第１の穴の長手方向に沿って配列された複数の第２の穴を含んでおり、配線と半導体層とを層間絶縁層を介して接続するコンタクトホールとを備える。 （もっと読む）

【課題】 電気光学装置において、他の不具合を発生させずに光リーク電流の発生を抑制し、高品位な表示を可能とする。
【解決手段】 基板上に、チャネル領域を有する半導体層を含んで構成された薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタにより駆動される表示用電極と、半導体層の上層側及び下層側の少なくとも一方に積層された層間絶縁膜と、該層間絶縁膜の半導体層側とは反対側に積層された、チャネル領域を遮光するための遮光膜とを備えている。層間絶縁膜における半導体層とは反対側の表面には、チャネル領域のうち少なくともチャネル領域の縁部を遮光可能な領域において、半導体層に向かって局所的に窪んだ凹部が形成されている。遮光膜は、少なくとも凹部内に形成されている。 （もっと読む）

【課題】 製造コストをかけることなく、十分な光電流を得ることができる表示装置を提供する。
【解決手段】 表示装置は、各画素ＴＦＴごとに２個ずつ設けられる画像取込み用のセンサとを有する。センサ内のフォトダイオードＤ１，Ｄ２を構成するｐ+領域４６とｎ+領域４８の間に、低濃度のｐ-領域４７またはｎ-領域を形成し、このｐ-領域４７またはｎ-領域の基板水平方向長さをｐ+領域４６やｎ+領域４８よりも長くするため、ｐ+領域４６とｎ+領域４８の間に形成される空乏層５３がｎ-領域に長く伸び、その結果、光電流が増えて光電変換効率がよくなるとともに、S/N比が向上する。 （もっと読む）

【課題】 ソース／ドレイン電極間の電気的疎通を円滑にすることが可能な，薄膜トランジスタ，その製造方法及び該薄膜トランジスタを備える平板ディスプレイ装置を提供する。
【解決手段】 本発明に係る薄膜トランジスタは，基板１１０と，基板１１０上に形成されたゲート電極１２０と，ゲート電極１２０上に形成されるゲート絶縁層１３０と，ゲート電極１２０と絶縁されるようにゲート絶縁層１３０上に形成されるソース／ドレイン電極１４０ａ，１４０ｂと，ソース／ドレイン電極１４０ａ，１４０ｂと接するとともに，ゲート電極１２０と絶縁される有機半導体層１５０と，を含み，ソース／ドレイン電極１４０ａ，１４０ｂの少なくとも有機半導体層１５０と接する部分には酸化部１４０´ａ，１４０´ｂが設けられ，酸化部１４０´ａ，１４０´ｂを構成する物質は，有機半導体層１５０のＨＯＭＯエネルギー準位より大きい仕事関数を有する物質を含む。 （もっと読む）

【課題】表示品質と画像取込み性能に優れた表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】表示装置の製造工程にてＴＦＴ１１のチャネル部とフォトダイオードＤ１，Ｄ２のＩ層をともに水素化する際、ＴＦＴ１１とフォトダイオードＤ１，Ｄ２とで水素化の進行に違いが出るようにして、ＴＦＴ１１のチャネル部の欠陥密度を少なくし、かつフォトダイオードＤ１，Ｄ２のＩ層の欠陥密度を多くする。これにより、ＴＦＴ１１のリーク電流が抑制され、フォトダイオードＤ１，Ｄ２の光に対する感度を向上できる。 （もっと読む）

【課題】 優れた特性を有する多結晶シリコン膜を備えた半導体装置を高い歩留まりで製造することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 石英ガラスや無アルカリガラスなどの基板１上に、非晶質シリコン膜２ａを形成する。その非晶質シリコン膜２ａ上にＷシリサイド膜（導電膜）４ｂを形成する。そして、Ｗシリサイド膜（導電膜）４ｂに対し、高周波やＹＡＧレーザービームなどの電磁波を照射することにより、Ｗシリサイド膜（導電膜）４ｂを発熱させ、この熱を利用して、非晶質シリコン膜２ａを多結晶シリコン膜２に変える。 （もっと読む）

【課題】斜めからの入射光１１０、及び入射光１１０が乱反射を起こすことにより間接的に入射する光についても、遮光可能な薄膜トランジスタの構造及びその構造を工程数を増やすことなく簡易なプロセスで製造可能な製造方法を提供する。
【解決手段】 活性層となるｐｏｌｙ−Ｓｉ膜１０４の両側のそれぞれにおいて、ゲート絶縁ＳｉＯ２膜１０５及び下地ＳｉＯ２膜１０３を遮光ＷＳｉ２膜１０２が露出するまで選択的異方性エッチングし、コンタクト開口部１０６を形成する。その後、ゲートＷＳｉ２層１０７をスパッタ成膜し、さらに、フォトレジスト１０８をマスクとしてドライエッチングを実施し、ゲートＷＳｉ２電極１１１とＷＳｉ２からなるサイドウォール１０９を同時に形成する。これにより、サイドウォール１０９の下端を遮光ＷＳｉ２膜１０２に接触させ上端をゲート絶縁ＳｉＯ２膜１０５上面とほぼ同一高さに位置させる。 （もっと読む）

【課題】 付加容量の容量値のバラツキが小さく、表示品位の優れた液晶表示装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の液晶表示装置の付加容量１０は、絶縁性基板１１上に形成された第１導電層１２と、第１導電層１２上に形成され、第１導電層１２の一部を露出する開口部１４を有する第１絶縁層１３と、少なくとも開口部１４内に位置する第１導電層１２上に形成された第２導電層１７ａと、第２導電層１７ａを覆う第２絶縁層１８と、少なくとも開口部１４内に位置する第２絶縁層１８を覆う、第３導電層１９ａとから形成されている。 （もっと読む）

【課題】 絶縁基板上にグラフォエピタキシャル成長させた単結晶シリコン層を能動領域に用いるトップゲート型の薄膜絶縁ゲート型電界効果トランジスタ（トップゲート型にはスタガー型とコプラナー型が含まれる。）と受動領域を有する液晶表示装置などに好適な構造及び方法を提供する。
【解決手段】 基板１に形成した段差４をシードにして、多結晶シリコン又はアモルファスシリコンを溶解した低融点金属層６（６Ａ）からグラフォエピタキシャル成長により単結晶シリコン層７を形成し、これを表示部−周辺駆動回路一体型のＬＣＤなどの電気光学装置のトップゲート型ＭＯＳＴＦＴに用いる。 （もっと読む）