【課題】ステンシルマスクにおいて、少なくとも貫通パターンの表面における析出物の発生を予防し、経時的に安定してパターン転写を行うことができるようにする。
【解決手段】パターン形成層２、中間層３、および支持層４からなる基材と、パターン形成層２の厚さ方向に貫通して形成され、荷電粒子線が透過可能な貫通パターン５と、少なくとも貫通パターン５を含む前記基材の表面に形成された有機汚染防止膜１と、を備える構成とする。 （もっと読む）

【課題】ステンシルマスクについて、メンブレンの破損を防止し、また取り扱いを容易にするステンシルマスクを提供する。
【解決手段】電子ビームを導入するための開口部が設けられた支持基板層と、基板上に設けられ、開口部から導入された電子ビームを選択的に透過させるステンシルパターンが形成されたステンシルパターン形成層と、ステンシルパターン形成層上に設けられ、ステンシルパターン形成層のうちステンシルパターンが形成されているメンブレン領域を物理的接触から保護するガード部とを備える。 （もっと読む）

【課題】部分一括露光法において、機械的強度を保ちつつ、効率良く露光に用いるパターンを具備したステンシルマスクを提供すること。
【解決手段】ステンシルパターンが形成されるメンブレン領域と、前記メンブレン領域を取り囲むバルク領域１０２とからなるステンシルマスクである。１メンブレンの領域内に偏向領域１０３に対応したステンシルパターン群を複数個配置する。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩウエハを用いて作製されるステンシルマスクが有する、エッチングストッパー層の圧縮応力に起因した反りという致命的欠陥を低減し、優れた転写精度を有するステンシルマスクおよびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】第１の基板に開口部が設けられ、当該第１の基板に対して高いエッチング選択性を有する第２の基板に荷電粒子線透過孔が設けられていることを特徴とするステンシルマスクであって、第１の基板および第２の基板が互いに結晶面方位の異なる単結晶シリコンからなるステンシルマスクである。 （もっと読む）

【目的】高精度パターンの寸法精度を向上させながらより高速な描画を可能とし得る方法を提供することを目的とする。
【構成】描画データの作成方法は、電子ビームを用いて描画される描画精度の異なる複数のパターンが定義された描画データを記憶する記憶装置から各パターンのデータを読み出し、描画精度が低精度側のパターンのうち、描画精度が高精度側のパターンの領域端から近接効果の影響範囲内に位置する部分パターンを切り出す工程（Ｓ１０６）と、切り出された低精度側の部分パターンと当該高精度側のパターンとをマージ処理する工程（Ｓ１１０）と、マージ処理されたパターンのデータと切り出されずに残った低精度側の残部分パターンのデータとを出力する工程と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電子線一括露光において、高スループットに露光することが可能で、かつ、つなぎによる歩留まりの低下を軽減することが可能なステンシルパターン領域を持つ、電子線一括露光用ステンシルマスクを提供すること。
【解決手段】ステンシルパターンが形成されるメンブレン領域と、このメンブレン領域を取り囲むバルク領域とからなるステンシルマスクにおいて、ステンシルパターンが形成される領域であるパターン領域の形状が六角形であることを特徴とする電子線一括露光用ステンシルマスク。また、パターン領域は、露光用電子ビームの照射範囲に内接する形状であってもよい。また、パターン領域は複数設けられていてもよい。 （もっと読む）

【課題】露光時の電子線照射によって、反り調整層に電荷が蓄積され、電子線が偏向し転写精度が低下することのないステンシルマスクを製造するステンシルマスクブランクを提供する。ステンシルマスク、その製造方法、ステンシルマスクを用いた荷電粒子線のパターン露光方法を提供する。
【解決手段】単結晶シリコンウェハからなる支持基板と、転写パターンを設けるための活性層と、前記支持基板と活性層の間に形成された中間絶縁層と、前記支持基板のもう一方側に設けたアモルファスシリコン層とを有し、前記転写パターンに対応する開口部を、前記アモルファスシリコン層と、前記支持基板と、前記中間絶縁層に設けたこと。 （もっと読む）

【課題】ＳＥＭによる裏面観察を容易に行なう事が出来るステンシルマスクを提供すること。
【解決手段】本発明の多層型ステンシルマスクはメンブレン層３を有し、メンブレン層３は中間酸化膜層２と支持基板層１からなる支持層により保持されている。中間酸化膜層２と支持基板層１とを貫通する貫通孔９が設けられ、貫通孔９内に露出するメンブレン層３の箇所にメンブレン層３がパターン状に除去されたステンシルパターン領域１１が形成されている。支持基板層１に位置する貫通孔９の部分は、中間酸化膜層２から離れるにつれ断面積が大きく形成されている。 （もっと読む）

【課題】微細なマスクパターンの形成を阻害することなく、露光時の蓄熱に起因したメンブレンの熱たわみ及び位置ずれを解消することを可能とする荷電粒子線露光用マスク及び荷電粒子線露光用マスクの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の荷電粒子線露光用マスクは、第１のウエハ４と、第１のウエハ４に接合されている第２のウエハ１と、を具備している。第２のウエハ１は、表側に転写用マスクパターン１４が形成されている。第１のウエハ４は、表側にマスクパターン４４が形成され、当該マスクパターン４４の開口部４５が前記転写用マスクパターン１４の開口部１５と対向され、かつ、当該マスクパターン４４の開口部４５の寸法が前記転写用マスクパターン１４の開口部１５の寸法より大きい。 （もっと読む）

【課題】ステンシルマスクを低コストで製造することができる製造方法を提供する。
【解決手段】まず、第１シリコン層２と第１酸化シリコン層４と第２シリコン層６が順に積層されており、第１シリコン層２の厚みＴ１と第２シリコン層６の厚みＴ３が等しいＳＯＩ基板を用意する。次に、第２シリコン層６の表面に、第１酸化シリコン層の厚みＴ２より大きい厚みＴ４を有する第２酸化シリコン層１０を形成し、半導体基板１２を形成する。次に、製造するステンシルマスクの開口パターンに応じて、第２酸化シリコン層２と第２シリコン層４と第１酸化シリコン層６と第１シリコン層１０を順にエッチングして開口パターンに応じた貫通口を形成する。次に、残存している第１酸化シリコン層４と第２酸化シリコン層１０をウェットエッチングして除去し、２枚の同一のステンシルマスクを製造する。 （もっと読む）

【課題】部分一括露光法に代表される電子線リソグラフィにおいて、メンブレンのたわみを軽減し、位置精度やパターン寸法精度に優れたステンシルマスクおよび電子線露光方法を提供する。
【解決手段】ステンシルパターンが形成されるメンブレン領域と、前記メンブレン領域を取り囲むバルク領域と、前記メンブレン領域とバルク領域との境界部であるメンブレンエッジ部と、を備え、前記メンブレンエッジ部は、９０°以上の屈折部位がない閉じた線形状であることを特徴とするステンシルマスク、およびそのステンシルマスクを用いて、電子線を照射させることを特徴とする電子線露光方法。 （もっと読む）

【課題】エッチングストッパー層の圧縮応力に起因した反りという転写マスクの致命的欠陥を大幅に低減することができ、優れた転写精度を有する転写マスクを得ること。
【解決手段】本発明の転写マスク２９は、単結晶シリコンからなり開口部２６が形成されている支持層２１と、支持層２１の表面に形成され開口部２６と連通している荷電粒子線透過孔２８が形成されている薄膜層２４と、を具備する。本発明の転写マスクの製造方法は、単結晶シリコンの支持層２１のメンブレン形成領域において熱酸化法により酸化シリコンのエッチングストッパー層２３を形成する工程と、支持層２１の表面に薄膜層２４を形成する工程と、メンブレン形成領域における支持層２１を裏面から除去して開口部２６を形成する工程と、支持層２１の開口部２６を介してエッチングストッパー層２３を除去する工程と、薄膜層２４に荷電粒子線透過孔２８を形成する工程と、を少なくとも具備する。 （もっと読む）

【課題】基体と、この基体により支持されたマスク母体とを備え、マスク母体に荷電粒子線が透過する透過孔パターンを有するステンシルマスクにおいて、薄膜化及び応力調整が容易であるとともに、電子線照射耐性に優れた電子線露光用のステンシルマスクを得るために好適で、かつ製造プロセスが簡便かつ歩留まりよく、パターン位置精度の高いステンシルマスク、その製造方法、およびそのパターン転写方法を提供する。
【解決手段】基体と、この基体により支持されたマスク母体と、該マスク母体の基体側の少なくとも一部にカーボン膜、アモルファスカーボン膜、ダイヤモンド膜、ダイヤモンドライクカーボン膜のいずれかよりなるマスク母体下地層を備え、前記マスク母体下地層が、ダイヤモンド膜又はダイヤモンドライクカーボン膜の場合、不純物として、硼素、硫黄、窒素、リン、シリコンから少なくとも１種がドーピングされたステンシルマスク。 （もっと読む）

【課題】電子銃のカソードの抵抗値が変動しても、カソードに供給される電力の変動を抑制することが可能な電子ビーム描画装置、その電子ビーム描画装置の電子銃のカソード加熱用の電力制御装置及び電力制御方法を提供する。
【解決手段】電源１１から出力された電力が絶縁トランス１２により二次側に伝送され、カソード１に供給される。カソード１に供給される電流値及び電圧値が計測され、計測された電流値及び電圧値がＡＤ変換部１６によりＡＤ変換される。ＡＤ変換された電流値及び電圧値に基づいて、抵抗値算出部１９によりカソード１の抵抗値が算出される。算出された最新の抵抗値とそれよりも前に算出された少なくとも１以上の抵抗値に基づいて、次に算出される抵抗値が最小推定誤差フィルタ２０により推定される。推定された抵抗値に基づいて、制御部２１により電源１１の電流設定値が変更される。 （もっと読む）

【課題】部分一括露光法において電子線を偏向領域内に待機させると同時に、ステンシルマスクの急激な温度上昇を起こすことなく、耐熱性に優れたステンシルマスク及び電子線露光方法を提供すること。
【解決手段】ステンシルパターンが形成されるメンブレン部材と、メンブレン部材を取り囲むバルク部材とからなるステンシルマスクにおいて、バルク部材は、メンブレン部材を保持する保持バルク領域と、メンブレン部材に隣接し照射する電子線を待機するための待機用バルク領域とを有することを特徴とするステンシルマスク。 （もっと読む）

【課題】薄膜化及び応力調整が容易であるとともに、機械的強度が高くかつ電子線照射耐性に優れた電子線露光用のステンシルマスクを得るために好適で、かつ製造プロセスが簡便かつパターン位置精度の高いステンシルマスク、その製造方法、およびそのパターン転写方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基体と、この基体により支持された透過孔パターンを有し、ダイヤモンド膜又はダイヤモンドライクカーボン膜からなるマスク母体と、該マスク母体の基体側の少なくとも一部に導電体、半導体、抵抗体のいずれかよりなるマスク母体下地層を備え、前記ダイヤモンド膜又はダイヤモンドライクカーボン膜には、不純物として、硼素、硫黄、窒素、リン若しくはシリコンからなる群から選ばれた少なくとも１種がドーピングされているステンシルマスク。 （もっと読む）

【課題】目視検査によらず自動的に高精度に検査して、検査性能の低下やバラツキをなくし、マスク製造の歩留りを向上することができる荷電粒子線露光用マスクの異物検査装置及びその検査方法を提供する。
【解決手段】荷電粒子線露光用マスクをステージ上に搭載し、ステージ上の荷電粒子線露光用マスクの所定の検査ポイントを順次移動して、検査画像を取得するように制御し、荷電粒子線露光用マスクの所定領域の検査画像を光学顕微鏡により取得し、取得した検査画像を２値化処理することを特徴とする荷電粒子線露光用マスクの異物検査方法。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩウェハを用いて作製される転写マスク（ステンシルマスク）に発生するエッチングストッパ層の圧縮応力に起因した反りという転写マスクの欠陥を低減し、優れた転写精度を有する転写マスクの製造方法を提供する。
【解決手段】第１の基板に開口部を形成する工程と、開口部が形成された第１の基板と第２の基板とを接合してパターン形成部を形成する工程と、パターン形成部に荷電粒子線透過孔を形成する工程と、を含むことを特徴とする転写マスクの製造方法。 （もっと読む）

【課題】プロセスのばらつきを考慮したパターンの形状を高精度に予測することができるパターン予測方法、プログラム及び装置を提供する。
【解決手段】このパターン予測方法は、第１のニューラルネットワークを用いて、第１のパターンを所定のプロセス条件で転写して形成すべき第２のパターンの形状データから、前記プロセス条件を変動させて前記第１のパターンを転写して形成される転写パターンが許容範囲内に収まるように、前記第１のパターンを前記所定のプロセス条件で転写する際の前記第２のパターンの目標となるターゲットパターンの形状データを求める第１のステップと、第２のニューラルネットワークを用いて、前記ターゲットパターンを前記所定のプロセス条件で形成するための新たな第１のパターンの形状データを求める第２のステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】転写貫通パターン端部のラフネスへの影響が小さく、また転写貫通パターンの矩形性や面内の寸法均一性を維持したまま転写貫通パターンの寸法を制御することができるステンシルマスク及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】開口部が形成された支持部と、支持部上にパターン形成されたエッチングストッパ層と、エッチングストッパ層上に転写貫通パターンが形成された薄膜層と、を備え、支持部及び薄膜層の表面もしくは全面が酸化されたことを特徴とするステンシルマスク。 （もっと読む）