【課題】 ＥＵＶ露光用マスクの洗浄時期を適切に判定することができ、パターン転写精度の向上及び露光装置のスループット向上に寄与する。
【解決手段】 露光装置にセットされたＥＵＶ露光用マスクの洗浄時期を管理するためのＥＵＶ露光用マスクの管理方法であって、マスクに設けられたアライメントマーク２１に対しＥＵＶ光を照射し、マスクからの反射光を検出することにより、マーク２１の異なる２方向にそれぞれ対応するマークプロファイル信号を得るステップＳ３と、得られた各マークプロファイル信号から、マークの異なる２方向の寸法をそれぞれ測定するステップＳ４と、測定された異なる２方向の寸法の差分を算出するステップＳ５と、算出された差分の大きさに基づいてマスクの洗浄時期を判定するステップＳ６とを含む。 （もっと読む）

【課題】 コスト上昇を招くことのない方法によってウェーハ上に形成される露光ショットの配列誤差を低減し、ショットエリアの大きさが異なる露光装置を混用しても上下のマスクパターンの重ね合わせ精度が向上できるフォトリソ工程を提供する。
【解決手段】 露光装置に露光ショットの配列誤差測定用マークを備えたフォトマスクを装着し、ウェーハ上に前記マークのレジストパターンを形成した後、前記マークを用いて露光ショット配列誤差に基づくズレに関する量を測定する。次に測定した量を上下パターンレイヤの重ね合わせ誤差と見なした時の誤差成分を算出し、さらにこの誤差成分から露光ショット配列誤差に関する誤差成分を算出する。次にこの結果を判定し、誤差成分値が所定の基準を満たさない場合は算出した露光ショット配列に関する誤差成分値を用いて露光装置のパラメータを補正し、基準を満たすようにする。 （もっと読む）

【課題】 品質的に問題なく、作業効率良く、文字、記号を配設できる製造方法が採れる文字記号部を有する基板を提供する。
【解決手段】 半導体製造用の基板であり、且つ、透明な基板の一面に、文字および／または記号からなる文字記号部を配設した基板であって、前記文字記号部は、前記透明な基板を彫り込んだ凹溝からなるパターンを、文字および／または記号の形状に合せた所定の領域にだけ設けたものであり、前記凹溝からなるパターンがスリット状ないし格子状のパターンであり、且つ、前記透明な基板がガラス基板あるいは樹脂基板である。 （もっと読む）

【課題】容易且つ確実に１回の露光で合焦位置、即ちベストフォーカス位置を精度良く求めることができ、極めて短時間で高精度の焦点計測を可能として、信頼性の高いパターニングを迅速に行う。
【解決手段】試験用フォトマスク１１は、第１のマスクパターン２１と、第１のマスクパターン２１の中心部位に設けられた第２のマスクパターン２２とが形成されている。第１のマスクパターン２１は、集光作用を有し、被転写体に対する露光照射量が焦点変動に依存して変化する性質を有するパターンであり、ここでは２次元のフレネル輪帯パターンとされている。 （もっと読む）

【課題】アイテムの配置順番と配置重要度が一致しないような複雑なスクライブアイテム配置仕様でも、配置処理を自動化することができるスクライブアイテムの配置方法を提供する。
【解決手段】スクライブ領域１への配置対象アイテムリストを作成し、次いで、配置対象アイテムリストにリストアップされたアイテムを指定された配置順番、配置場所規則に従って配置し、次いで、すべての必須アイテムが配置できたかどうかを確認し、すべての必須アイテムが配置できなかった場合に、任意アイテムを指定された削除順番に従って配置対象アイテムリストから１つずつ削除し、その上で前記の規則に従ってアイテムを配置する工程に戻る。アイテムの配置順番とは独立に、配置重要度の逆順で任意アイテムの削除順番を指定する。 （もっと読む）

【課題】 プロセスパターンの配置のための工数を削減し、配置されたプロセスパターンの信頼性を向上させ得るプロセスパターンの配置方法を提供する。
【解決手段】 マルチダイのスクライブデータを構成する外周スクライブと複数の内部スクライブとに対応する仮想スクライブ１２ａの組み合わせに基づいて複数の仮想ブロックＢを設定し、仮想スクライブの少ない仮想ブロックから順次プロセスパターンｐ１，ｐ２，ｐ３を配置条件に基づいて自動配置し、必要とするプロセスパターンを配置できたとき、その配置情報をスクライブデータに合成する。 （もっと読む）

【課題】 露光装置のデフォーカス量を簡単且つ精度良く測定する。
【解決手段】 投影露光装置の投影光学系により基板上に転写されるマスクパターンが設けられた露光マスクであって、マスクパターンは、高低差のある基板３２上の各高さに転写される一のパターンを含み、基板３２上における投影露光装置のデフォーカス量によって、基板３２上における各高さに転写されるパターンＡ，Ｂの寸法差または終端部の後退量差が変動する。これにより、露光装置のデフォーカス量を簡単且つ精度良く見積もることができる。 （もっと読む）

複数の露光領域（２）を有し、露光領域（２）の各々がＩＣを配置された複数の格子領域（３）を有するウエハ（１）において、ダイシング経路（６，８）の２つのグループ（５，７）が設けられ、４つの制御モジュール領域（Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３、Ｂ４、Ｃ２、Ｃ４、Ｄ２、Ｄ４、Ｅ１、Ｅ３、Ｆ１、Ｆ３、Ｇ２、Ｈ１、Ｊ１）が各露光領域（２）に割り当てられ、制御モジュール領域（Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３、Ｂ４、Ｃ２、Ｃ４、Ｄ２、Ｄ４、Ｅ１、Ｅ３、Ｆ１、Ｆ３、Ｇ２、Ｈ１、Ｊ１）の各々が、少なくとも１つの光学制御モジュール（ＯＣＭ−Ａ１、ＯＣＭ−Ａ２、ＯＣＭ−Ａ３、ＯＣＭ−Ａ４、ＯＣＭ−Ｂ１、ＯＣＭ−Ｂ２、ＯＣＭ−Ｂ３、ＯＣＭ−Ｂ４、ＯＣＭ−Ｃ２、ＯＣＭ−Ｄ４）を含み、当該露光領域（２）内に位置し、少なくとも１つの格子領域（３）の代わりに設けられ、相互最小距離（Ｋ）を隔てて配置される。
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