【課題】 本発明は、反射型マスクブランクスの基板に形成したアライメントマークが発塵源となることを防止し、前記アライメントマークを用いた欠陥検査およびアライメント描画により、位相欠陥によるパターン転写への影響を回避することが可能な、反射型マスクブランクス、反射型マスク、および、それらの製造方法、並びに、反射型マスクブランクスの検査方法を提供することを目的とするものである。
【解決手段】 前記アライメントマークの底部に丸みをつけて、垂直な側壁部分と、丸みを有する底部とを有する凹型のアライメントマークとするにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】簡便な方法で、精度よくアライメントすることができるアライメント方法、及びマスクの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様にかかるアライメント方法は、基板１１の一部に複数の粒子１５を散布するステップと、複数の粒子１５の座標を検出するステップとを備えている。さらに、本発明の一態様にかかるアライメント方法は、複数の粒子１５をアライメントマークとして用いて、基板１１のアライメントを行うステップと、を備えている。 （もっと読む）

【課題】 品質的に問題なく、作業効率良く、文字、記号を配設できる製造方法が採れる文字記号部を有する基板を提供する。
【解決手段】 回路パターンと文字記号部とは、透明な基板を彫り込んだ凹溝からなるパターンであって、前記透明な基板の同一面に形成されているものであり、前記文字記号部は、前記透明な基板を彫り込んだ凹溝からなるスリット状ないし格子状のパターンを、文字および／または記号の形状に合せた所定の領域に有し、且つ、前記透明な基板がガラス基板であり、該ガラス基板を原版として凹凸が逆の型を作製するための基板である。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶ光の反射光の放射を低減する吸収層積層方式の遮光領域を有する反射型マスクにおいて、ＥＢ描画装置を用いてアライメントマークを検出する際に、十分なコントラストを有するアライメント信号を得ることができる反射型マスクを提供する。
【解決手段】基板と、ＥＵＶ光を反射する反射層と、ＥＵＶ光を吸収する第１の吸収層で形成された吸収体パターンと、ＥＵＶ光の反射光の放射を低減する遮光領域と、電子ビームによるアライメント露光に用いられるアライメントマークと、を少なくとも備え、上記遮光領域が、第１の吸収層の上に第２の吸収層を積層して設けられた反射型マスクであって、上記アライメントマークが、第２の吸収層をエッチングして遮光領域に形成されており、第２の吸収層の厚みが、ＥＵＶ光を遮光するのに必要な厚み以上に厚いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】既存のフォトマスクの転写パターンを形成する層構造を変更することなく、位置合わせマークの転写による二重露光されて半導体装置の性能劣化、特に固体撮像装置などの撮像ムラが生ずるのを防止するフォトマスクを実現する。
【解決手段】フォトマスク１００を構成するマスク基板１０８を、半導体ウエハ１の隣接する複数のチップ領域１ａに対応し、１つのチップ領域１ａに対応する転写パターンが形成されたチップ対応領域Ｒｐ１〜Ｒ４を含むパターン形成領域１１０と、マスク基板１０８のパターン形成領域１１０内に、隣接するチップ対応領域を分離するよう形成され、半導体ウエハ１のスクライブ領域Ｈｓ及びＶｓに対応するスクライブ対応領域１４０及び１５０とを有する構造とし、フォトマスクの位置合わせマーク１１０ａを、マスク基板１０８上の、パターン形成領域１１０の外側に、スクライブ対応領域１４０の延長線上に位置するよう配置した。 （もっと読む）

【課題】
被露光基板の搬送方向の手前側と奥側の端部に２つの観察窓を形成し、それぞれの観察窓にアライメントマークを設けることによって、被露光パターンをそれぞれ二方向に配向して露光することができるフォトマスクを提供する。
【解決手段】
被露光基板の搬送方向Ａと垂直な方向に一定の配列ピッチで形成されたマスクパターン１１と、搬送方向Ａの手前側端部に形成された第１観察窓１２と、奥側端部に形成された第２観察窓１３と、第１観察窓１２及び第２観察窓１３にそれぞれマスクパターン１１の配列ピッチの整数倍に等しい間隔を有して前記垂直な方向に設けられた第１アライメントマーク１４及び第２アライメントマーク１５と、を含んで構成され、第２アライメントマーク１５は、第１アライメントマーク１４に対して前記垂直方向にマスクパターン１１の配列ピッチの整数倍の寸法だけずらして形成されたものである。 （もっと読む）

【課題】光学的検査で検出された欠陥を、高精度で電子顕微鏡の観察視野に収めることができるパターン検査方法、フォトマスク、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態のパターン検査方法によれば、チップ領域に形成されたデバイスパターンと、チップ外領域に形成された第１のパターンと、チップ外領域に形成され第１のパターンとは異なる第２のパターンとをそれぞれ含む複数の領域が形成されたウェーハの光学的検査により、デバイスパターンの欠陥をウェーハ上での位置座標と対応づけて検出すると共に、第１のパターンとの比較から第２のパターンをウェーハ上での位置座標と対応づけて検出する。また、検出した第２のパターンの位置座標に電子顕微鏡の観察視野を合わせたときの観察結果に基づいて、デバイスパターンの欠陥の位置座標を補正する。 （もっと読む）

【課題】基板上にパターンの像を良好に形成することができるマスクを提供する。
【解決手段】所定軸Ｊ周りに回転しつつ基板Ｐ上にパターンＭＰの像を形成するためのマスクＭであって、パターンＭＰが形成され、所定軸Ｊ周りに配置されたパターン形成面ＭＦと、パターン形成面ＭＦの所定領域にパターンＭＰに対して所定位置関係で形成された位置情報を取得するためのマークとを備えている。前記マークは、前記パターン形成面ＭＦの周方向に連続的もしくは断続的に形成されている。 （もっと読む）

【課題】検査計測精度の向上を図ることができるフォトマスク及びその製造方法を提供することである。
【解決手段】実施形態に係るフォトマスクは、基板と、前記基板の主面に設けられ、前記基板の光の透過率よりも低い光の透過率を有する膜部と、前記膜部に設けられ、被転写体に転写されるパターンと、前記膜部に設けられ、前記被転写体への転写が抑制されるように透過光の強度が抑制された検出マークと、を備えている。 （もっと読む）

【課題】ワークを搬送しながらマスクとワークのＸ，Ｙ，θ方向のズレをリアルタイムで補正することができ、露光精度を向上することができるマスク、近接スキャン露光装置及び近接スキャン露光方法を提供する。
【解決手段】マスクＭに形成されたマスク側アライメントマーク４１は、Ｘ方向に対して互いに異なる角度α°、−α°でそれぞれ傾斜した２本の斜線部４２ａ，４２ｂと、Ｘ方向に沿って延びる直線部４３ａ、４３ｂとを有する。また、このマスクＭを使用して、近接スキャン露光装置１では、撮像手段によって検出されたマスク側アライメントマーク４１とワーク側アライメントマークＷａとのズレ量が、ワークＷの搬送中、ワーク搬送機構１０、マスク駆動部１２、照射部１４の少なくとも一つによって補正される。 （もっと読む）

【課題】マスクの位置合わせの作業性を向上させつつ、位置合わせの精度を高め、容易に、かつ高精度に圧電板や電極を形成することができる圧電振動片の製造方法、圧電振動子、発振器、電子機器、および電波時計を提供する。
【解決手段】ウエハ側マーク群７１と、電極マスク側マーク群５２とを検出する電極マーク群検出工程と、ウエハ側マーク群７１と電極マスク側マーク群５２とを位置合わせしながらウエハに電極膜用マスクを配置する電極マスク配置工程とを有し、ウエハ側マーク群７１、および電極マスク側マーク群５２は、それぞれ互いに大きさの異なるマーク５１ａ〜７１ｄにより構成され、それぞれ最も小さいウエハ側マーク７１ｄ、および電極マスク側マーク５２ｄを互いのマークの位置合わせ用として利用し、これ以外のウエハ側マーク７１ａ〜７１ｃ、および電極マスク側マーク５２ａ〜５２ｃを、電極マーク群検出工程に利用する。 （もっと読む）

【課題】露光マスクを用いて形成されるパタンと、合せ先の工程において形成されたパタンとの合せずれを低減し、歩留りの低下を抑えることが可能な半導体装置の製造方法、露光マスクの出荷判定方法及び作製方法を提供する。
【解決手段】露光後合せずれ測定パタンと、本体集積回路内のパタンとを含む第１のパタンを有する第１のマスクを作製し、第１のパタンにおける、露光後合せずれ測定パタンの位置ずれと、本体集積回路内のパタンの位置ずれをそれぞれ測定した後、これらの位置ずれの差分である第１の差分を算出し、第１の差分を、第１のマスクを用いてウエハを露光処理する際の、合せパラメータに反映させる。 （もっと読む）

【課題】露光マスクの良否判定或いは半導体製造プロセス条件の最適化を高精度に行うことが可能な露光マスクのパタン配置方法を提供する。
【解決手段】素子のパタンが配置された製品領域における空き領域を抽出し、空き領域において、所定の条件でマーク領域を抽出し、抽出されたマーク領域より、製品領域を複数に分割した領域毎に、所定の条件でモニタパタン形成領域を選択し、選択されたモニタパタン形成領域中にモニタパタンを配置する。 （もっと読む）

【課題】アライメントマークを備えたレベンソン型の反射型位相シフトマスクの製造方法において、アライメントマークの作成が容易で、露光光の反射率を低下させず、パターンの位置精度の高い高品質で製造コストを抑えた製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に多層反射膜を形成する前に、基板をエッチングして所定の位置に基板の凹部または凸部よりなるアライメントマークを設ける工程と、前記アライメントマークを基準にして、基板の所定の位置に位相シフト手段用の凹部または凸部の段差領域を設ける工程を含み、前記段差領域の多層反射膜面から反射した反射光が、前記段差領域を設けていない多層反射膜面から反射した反射光との間で１８０度の位相差を生じるように凹部または凸部の段差を設定したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、メインパターン領域内にマーク類を形成することなく、Ｎ×Ｎショットのサイズの半導体チップを製造することが可能な、半導体チップの製造方法の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、チップ領域５の寸法がイメージフィールドよりも大きい半導体チップの製造方法であって、（ａ）メインパターン５ａを形成するメインマスク１と、周辺パターン５ｂの中でメインパターン５ａの上下に位置する部分を形成する上下マスク２と、周辺パターン５ｂの中でメインパターン５ａの左右に位置する部分を形成する左右マスク３と、周辺パターン５ｂの中でメインパターン５ａの角部に位置する部分を形成する隅マスク４を準備する工程と、（ｂ）メインマスク１、上下マスク２、左右マスク３、隅マスク４を組み合わせてチップ領域５を含むショット配列を形成する工程と、（ｃ）当該ショット配列に従いマスク毎に露光する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】同種の基板の基板搬送方向と交差方向にオフセットした位置に光を照射する場合にも、移動中の基板に対する追従性を良好にする。
【解決手段】基板の搬送方向と交差する方向に一定の配列ピッチで形成され、光を通過させる複数のマスクパターン２と、基板上に設けられた複数のパターンの基板搬送方向と交差方向の配列ピッチの整数倍に等しい間隔を有して基板搬送方向に平行に形成された一対の細線４ａ，４ｂを備えた構造をなし、複数のマスクパターン２に対して基板搬送方向と反対側の位置に基板搬送方向に相互に一定距離はなれて配置されると共に、一対の細線４ａ，４ｂ間に予め設定された基準位置が基板搬送方向と交差する方向に予め定められた距離だけ相互にずれた状態に形成された複数のアライメントマーク４と、を備えたものである。 （もっと読む）

【課題】反射層に損傷を与えず、修正痕を残さずに吸収体パターンを精度良く補正し、位相欠陥の影響をなくして良好な転写パターンが得られる反射型マスクの位相欠陥補正方法および製造方法を提供する。
【解決手段】反射型マスクブランクの吸収体層上にハードマスク層を設け、ブランク欠陥用のアライメントマークを作成し、ブランクの表面欠陥検査を行い、表面欠陥の位置をマスクブランク欠陥情報として記録する工程と、ハードマスク層をエッチングしてハードマスクパターンを形成する工程と、前記欠陥情報に基づき、ＡＦＭを用いて表面欠陥の位置と大きさを計測する工程と、補正すべきハードマスクパターンを選定し、補正位置と補正量を決定する工程と、欠陥修正装置によりハードマスクパターンを補正する工程と、補正したハードマスクパターンをマスクにして吸収体パターンを形成する工程と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】アライメントマークが形成された台座付きの基板を作製するにあたって、アライメントマークと台座の相対的な位置ずれを低減する。
【解決手段】本発明の基板作製方法は、光透過性の基板１の第１の主面上に、この基板１に形成すべきアライメントマーク５と台座の位置に応じたハードマスク２ａを形成する工程と、そのハードマスク２ａを用いて基板１をエッチングすることにより、基板１の第１の主面にアライメントマーク５を形成する工程と、基板１の第１の主面上にハードマスク２ａを覆う状態でレジスト層６を形成した後、このレジスト層６に基板１の第２の主面側から露光用の光を照射することにより、レジスト層６を露光する工程と、そのレジスト層６の露光部分を現像により除去して得られるレジストパターン６ａをマスクに用いて基板１をエッチングすることにより、基板１の第１の主面側に台座を形成する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】観察可能な合わせずれ検査マークをデバイスパターンのデザインルールに従った微細なパターンから構成する。
【解決手段】デバイスパターンのデザインルールに従った第１の長さの幅Ｗ１を有する第１のパターンＰ１１を第１の間隔Ｄ１で第１の方向Ｘへ複数配置して構成される第１のパターングループＰＧ１１を第１のピッチＰＴ１で前記第１の方向Ｘへ複数配置して構成された第２のパターングループＰＧ２４を備え、前記第１のピッチＰＴは、合わせずれ検査装置の分解能に適合した距離であることを特徴とする合わせずれ検査マークが提供される。 （もっと読む）

【課題】２層膜構造のレチクルを用いて、製造工程数およびコストの増加とならず、描画精度の悪化もなく、投影時の解像度を高く維持する。
【解決手段】ガラス基板４１と、ガラス基板４１の下方面に設けられた遮光膜４２と、遮光膜４２の下方面に設けられた反射防止膜４３とを有したレチクル４であって、平面視中央部に、半導体装置を形成するための転写パターン領域４５が設けられ、転写パターン領域４５の周囲位置にアライメントマークを含むマーク領域４４が設けられており、ステップ露光時に転写パターン領域４５による転写領域内にマーク領域４４が転写されて２重露光されないように、マーク領域４４は光透過面積的に小さく構成されている。 （もっと読む）