【課題】導体で形成された配線パターンが積層されてなる多層配線板において、前記多層配線板の表層に形成されたフォトレジスト層に対し精度良く露光を行う。
【解決手段】多層配線板の微小領域に交番磁場を印加し計測対象パターン２で誘起された起電力の電圧値を検出する計測部５と、レーザ光を照射してフォトレジスト層を露光するレーザ露光部６と、レーザ露光部６を制御する制御部Ｃｏｎｔを備え、制御部Ｃｏｎｔが電圧値及び位置データより取得した多層配線板１の位置情報をもとに、露光パターンを決定し、レーザ露光部６を駆動してレーザ光を走査させつつ照射してフォトレジスト層の露光を行う配線パターン露光装置Ａ。 （もっと読む）

【課題】導体で形成された配線パターンが積層されてなる多層配線板において、前記多層配線板の表層に形成されたフォトレジスト層に対し精度良く露光を行う。
【解決手段】多層配線板の微小領域に交番磁場を印加する磁気ヘッド５１と、計測対象パターン２で誘起された起電力の電圧値を検出する検出電極５２と、フォトレジスト層と対向して配置されたフォトツール６１を含む露光部６と、露光部６を制御する制御部Ｃｏｎｔを備え、制御部Ｃｏｎｔが電圧値及び位置データより取得した多層配線板１の位置情報をもとに、フォトツール６１の位置決めを行い、フォトツール６１を使ってフォトレジスト層の露光を行う配線パターン露光装置Ａ。 （もっと読む）

【課題】 簡易な構成でありながら、貫通孔を使用することなく、基板の両面に形成されるパターンの位置決めを実行することが可能な、アライメントマーク形成装置を提供すること。
【解決手段】 アライメントマーク形成装置１０は、基板を載置するためのテーブル１１と、このテーブル１１上に載置された基板を位置決めするための３個の位置決めピン２１と、３個のアライメントマーク形成部５１と、傾斜板１２とを備える。アライメントマーク形成部５１は、テーブル１１上に載置された基板の表面側と裏面側に各々同軸上に配設された一対の露光部を備える。この一対の露光部は、基板の非有効領域に、ＵＶ光を照射することにより、アライメントマークを形成する。 （もっと読む）

【課題】マークの形状がばらつくことを抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、絶縁膜８に接続孔８ａを形成し、かつ複数のダミー接続孔８ｂを、絶縁膜８の一部であるマーク形成領域の全域に分布するように形成する工程と、第１の導電膜９を形成する工程と、絶縁膜８上に位置する第１の導電膜９をＣＭＰ法により除去することにより、接続孔８ａ内に導電プラグ９ａを埋め込み、かつマーク形成領域に位置する絶縁膜８の上部及びダミー接続孔８ｂ内の第１の導電膜９ｂの上部をエロージョンを利用して除去することにより、マーク形成領域に第１の凹部８ｃを形成する工程と、第２の導電膜１０を形成する工程とを具備し、第２の導電膜１０を形成する工程において、第１の凹部８ｃ上に位置する第２の導電膜１０の表面には、マークとなる第２の凹部１０ｃが形成される。 （もっと読む）

マイクロエレクトロニクス、触媒作用、および診断法における使用のための、コーティングされたチップを使用する金属ナノ構造のナノリソグラフィ付着が開示される。AFMチップは金属前駆体でコーティングすることができ、この前駆体を基板上にパターニングする。パターニングされた前駆体は、熱を適用することよって金属状態に変換できる。高解像度および優れたアライメントを達成できる。 （もっと読む）