【課題】他の回路が集積されたバルク半導体基板に一体に集積可能な、光導波路及び光カップラを含む光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の光導波路及びカップラ素子及びその製造方法は、バルク半導体基板、例えば、バルクシリコン基板からなる基板にトレンチを形成し、下部クラッド層をトレンチ内に形成し、コア領域を下部クラッド層上に形成して得られる。反射要素、例えば、分布ブラッグ反射器が、光カップラ及び／または光導波路の下部に形成されうる。このような光素子は、シリコンフォトニクス技術によって、チップまたは基板上に他の半導体回路、例えばＤＲＡＭメモリ回路チップ内に一体に集積されうる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、動作可能波長帯域が広く、光ファイバによる分散に対しても波形劣化がすくない、小型の光変調器を実現することを目的としている。
【解決手段】 レーザー光に信号を重畳する光変調器であって、レーザー光を導波するための光導波層と、光導波層を間に挟んで設けられ、光導波層より屈折率が小さい第１クラッド層および第２クラッド層と、光導波層を伝搬するレーザー光を多重反射させるために、対向して設けられた２つの反射器と、２つの反射器の間に配置されて、光導波層の屈折率を変化させるための変調信号が印加される電極と、を備え、電極に印加された変調信号によって光導波層の屈折率が相対的に高くなる方向に変化する条件において、対向して設けられた２つの反射器の外側に出力される信号光の強度が高くなる動作点に設定されることを特徴とする光変調器。 （もっと読む）

【課題】希土類元素を添加したＰＬＺＴ光導波路層を有する光増幅器であって、小型で高効率な光増幅器及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】Ｐｂ_１−ｘＬａ_ｘ（Ｚｒ_ｙＴｉ_１−ｙ）_{１−ｘ／４}Ｏ_３（ＰＬＺＴ：０＜ｘ＜０．３、０＜ｙ＜１．０）を含んで構成される光導波路層（例えばチャンネル状光導波路層１６）であって、希土類元素がドープ量０．２モル％以上、１１．０モル％以下でドープされ、且つ固相エピタキシャル成長によって形成される単結晶膜からなる光導波路層（例えばチャンネル状光導波路層１６）を有することを特徴とする光増幅器である。 （もっと読む）

光学回路及び素子の形成及び動作に、光の波長未満の直径を有するナノリボン及びナノワイヤが用いられる。そのようなナノ構造は、光集積用の基本ビルディングブロックを形成するサブ波長光導波路として機能する。これらの構造における、通常とは異なる長さ、柔軟性及び強度により、それらを表面上で操作することが可能となる。この操作には、ナノリボン/ナノワイヤ導波路及び他のナノリボン/ナノワイヤ素子を正確に位置設定し、両者を光学的に結合させることで、光ネットワーク及び光学素子を形成することが含まれる。それに加えて、そのような構造は、液中での導波路を提供することで、光学プローブ及びセンサのような他の応用でさらに用いられることを可能にする。
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