研磨工程及びその他の物質除去工程をインサイチューに監視するための技法は、ウェハーキャリアに埋め込まれた水晶振動子ナノバランス（２２５）を採用する。ウェハーから除去された物質は水晶体の表面に沈積する。その結果の水晶体の周波数のシフトは除去された物質の量を示し、瞬間除去速度並びに工程終点を決定できるようにする。水晶結晶板ナノバランス（２２５）への沈積は、与えられるバイアスによって制御することができる。複数の水晶振動子ナノバランスを使用することができる。本発明のさらなる実施態様においては、研磨工程中にスクラッチなど欠陥原因事象を検出するために水晶振動子ナノバランスが使用される。
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研磨装置は、研磨面（４０）を有する研磨テーブル（１８）と、基板上の複数の領域（Ｃ１−Ｃ４）に対する押圧力を独立に制御しつつ基板を研磨面（４０）に押圧するトップリング（２０）とを備える。研磨装置は、複数の基板の計測点の基板状態を監視するセンサ（５２）と、センサ（５２）からの信号に所定の演算処理をしてモニタ信号を生成するモニタ装置（５３）と、それぞれの計測点におけるモニタ信号と基準信号とを比較し、計測点におけるモニタ信号が基準信号に収束するように、トップリング（２０）による押圧力を制御する制御部（５４）とを備える。
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数値制御式工作機械（３３）で回転している部品（１８、３８）の機械加工を制御する方法及び関連した装置を提供する。本方法は、機械加工中、部品の寸法を示す瞬間値（Ｖ（ｉ））を検出する工程と、検出された瞬間値を動的に演算処理する工程と、少なくとも一つの機械加工工程を、演算処理に基づいて制御する工程とを含む。本方法は、一連の検出された値の平均値（Ｍ（ｊ））を動的に計算する工程と、機械加工中の平均値の傾向を示す変化指数（Ｐ）、及び計算によって得られた平均値の、部品の実際の寸法に関する遅延を許容する補正係数（Ｋ）を取得する工程と、機械加工を制御するため、工作機械の数値制御装置に伝達される、部品の瞬間的寸法（Ｒ_Ｉ）を演算処理する工程とを含む。
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ウェーハ上に配置された層の厚さの変化を該層の研磨中に測定する方法である。研磨パッドに配置された光学センサから光をウェーハの表面に向ける。研磨パッド上に配置された光検出器により反射光の強度を測定する。反射光の強度は層が除去されるにつれて層の厚さの懸架に対して正弦的に変化する。正弦曲線の沿った２又はそれ以上の点の絶対的な厚さを測定することによって、該曲線の波長の一部が層の厚さの変化に対応するように、正弦曲線を較正する。
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本発明は、（ａ）研磨表面（１２）と第１長さおよび第１幅を有する第１開口部とを含む第１研磨層（１０）、（ｂ）本体と第２長さおよび第２幅を有する第２開口部とを含む第２層（２０）であって、該第２層（２０）は第１研磨層（１０）と実質的に同一の広がりを有し、第１長さおよび第１幅の少なくとも一方は第２長さおよび第２幅よりも小さい、第２層、および（ｃ）実質的に透明な窓部分（３０）であって、第１研磨層の第１開口部と整合するように第２層の第２開口部内に配置され、且つ第２層の本体から隙間（４０）により分離れる実質的に透明な窓部分、を含む化学機械研磨用の研磨パッドを提供する。本発明はさらに、化学機械研磨装置および加工物研磨方法を提供する。
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基板の研磨を監視するための技術を実施する方法及び装置。２つ以上のデータ点が取得され、各データ点は、センサの感知領域内の特徴部により影響される値を有すると共に、感知領域が基板を横断していくときに基板(10)とセンサとの相対的位置に対応する。基準点のセットを使用して、取得したデータ点を変更する。この変更は、基板を横断する感知領域により生じる取得したデータ点の歪を補償する。変更されたデータ点に基づき、基板の局部的特性を評価して、研磨を監視する。 （もっと読む）

【課題】 半径測定式定寸装置を用い、且つ切込み送りを停止させることなく行う定寸加工
【解決手段】 工作物の円筒部を円形に加工する半径測定式定寸加工は、加工中の回転円筒部の円周単一位相の測定箇所の半径を測定ヘッドで測定し、加工中に測定ヘッドで測定される実測半径値と測定箇所から円周１８０度離れた位相の算定半径値との合算値を演算手段で算出し、前記合算値をもって加工中の回転円筒部の測定直径値として制御手段で定寸制御するのであり、演算手段は、予めパラメータとして設定された一定加工工程区間についての工具切込量と切込時間と加工中の回転円筒部の１／２回転時間とに基づいて切込時間に対する加工中の回転円筒部の１／２回転時間の占める割合に工具切込量を乗算して加工中の回転円筒部の１／２回転当りの工具切込量を算出し、実測半径値に加工中の回転円筒部の１／２回転当りの工具切込量を加算して算定半径値を算出する。 （もっと読む）