【課題】信頼性の高い加工を実現し、環状ガラス基板等の環状加工品の量産化、自動化に適した基板加工装置を提供する。
【解決手段】 第一面上に閉曲線をなすスクライブラインＣ１が形成された脆性材料基板Ｇを、該スクライブラインＣ１に沿って分断することにより前記閉曲線の内側を抜き取る中抜き加工を行うブレイク部４を備えた基板加工装置ＭＳ１であって、前記ブレイク部４は、スクライブラインＣ１より外側領域を、前記第一面と反対側の第二面で支持しかつ加熱するプレート４２と、スクライブラインＣ１より内側の中心領域を、第一面側及び／又は第二面側から冷却して外側領域と中心領域とを分離する中抜き機構４３とを設ける。 （もっと読む）

本発明は、熱的張力及び機械的張力の導入により基板を切断する方法に関する。本発明はまた、特定の切断方法により基板の形状の正確な製造に関する、本発明はまた、本発明に従った方法を実行する装置に関する。

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【課題】煩雑な工程を要せずに、接着剤の硬化応力及び／又は熱膨張収縮応力を利用して概略板状の物質の任意のサイズに分断したり薄片化したりする方法の提供。
【解決手段】接着剤の硬化応力及び／又は熱膨張収縮応力を、概略板状の物質に印加することで前記概略板状の物質を任意のサイズに分断したり薄片化したりする方法を提供する。さらに、概略板状の物質に前記概略板状の物質よりも弾性率が硬化後の接着剤に近いフィルムを硬化接着し、前記フィルムを引き伸ばすことで前記概略板状の物質と接着剤層との接着力を落とし概略板状の物質と硬化後の接着剤との分離を容易に行う方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】低コストかつ高生産性で適切な高品質単結晶シリコンシートを製造する。
【解決手段】表面領域１７０２及び所定の深さでの剥離領域１７０６を有する半導体基板１７００の提供により、材料の膜１７２０が形成される。膜の剥離の間、剥離領域のせん断は制御される。例えば、平面方向の剪断成分（ＫＩＩ）はほぼ０に保たれ、張力領域と圧縮領域に挟まれる。例えば、基体表面上のプレートを使用して剥離される。プレートは、膜の剥離の間、膜の動きを拘束し、局所的な熱処理と共に、せん断の広がりを低減させる。例えば、ＫＩＩ成分は、目的を持って高値が維持されて、剥離シーケンスを通じて、破壊伝播を案内して制御する。例えば、電子光線が照射されシリコンが断熱加熱されて高いＫＩＩ成分が提供されて、急峻の熱勾配が生じ、結果として、シリコン内の、正確に定義された深さで応力が生じる。 （もっと読む）

【課題】基板を、曲線を含む形状に切断する場合において、基板の割れ、かけ等を防止し、基板の歩留まりを向上させることができる係る基板切断装置を提供する。
【解決手段】本発明にかかる基板切断装置は、基板を載置するステージ２と、基板に形成されたスクライブライン８及びその近傍以外であってスクライブライン８が形成されている面又はその反対面に基板を局所的に冷却するための突出部である冷却突出部７ａを接触させて基板を冷却する冷却板７とを有する。 （もっと読む）