Fターム[3J103AA77]の内容
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Fターム[3J103AA77]に分類される特許
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ポストニップ絶縁破壊により荷電均一性を改善する電極埋込型バイアスド荷電ローラ
【課題】荷電均一性に優れ、摩耗が少なく、より安価なBCRシステムを提供する。
【解決手段】バイアスド荷電ローラ(BCR)1を、絶縁基板層10の上に多数の電極8を配置しその上を半導体層9により覆った構成とする。電極8に対しては、例えばプリニップ領域6(及びニップ内領域3)に属する電極群と、ポストニップ領域7に属する電極群とが、異なるバイアス電圧でバイアスされるよう、電源14及び15からバイアス電圧VPRE-NIP及びVPOST-NIPを印加する。電極の配置乃至寸法形状や電圧設定等によってニップ内領域3、プリニップ領域6及びポストニップ領域7におけるフォトレセプタ表面2への荷電態様が最適化される。電極8は、絶縁基板層10内や半導体層9内に配置してもよい。
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