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Fターム[4C062DD20]の内容

Fターム[4C062DD20]に分類される特許

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【課題】環境負荷軽減の目的を達成しつつ効率的に目的物が得られる2−ピロン誘導体の製造方法を提供する。
【解決手段】一般式:Ni(cod)で表される化合物
〔但し、codは置換基を有していてもよい1,5−シクロオクタジエンを示す〕と、
一般式:P[R]で表されるトリアルキルホスフィン
〔但し、Rは置換基を有していてもよいアルキル基を示し、R、R及びRは互いに同一でもよく、異なっていてもよい〕との錯体であるゼロ価ニッケル錯体触媒の存在下、二酸化炭素を含む雰囲気中で、分子内に炭素−炭素三重結合を有する化合物と二酸化炭素とを環化付加反応させる方法であって、反応系を、反応生成物を除いて、該触媒、二酸化炭素を含む雰囲気及び分子内に炭素−炭素三重結合を有する化合物の3種類とすることを特徴とする2−ピロン誘導体の製造方法に係る。 (もっと読む)


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