Fターム[4E084FA15]の内容
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Fターム[4E084FA15]に分類される特許
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高電流密度ガスシールドアーク溶接方法
【課題】高溶着量を得ながら、大幅なスパッタ低減を実現することが可能な高電流密度ガスシールドアーク溶接方法を提供することにある。
【解決手段】フラックス入りワイヤを電極ワイヤとしてパルスアーク溶接を行なう高電流密度ガスシールドアーク溶接方法であって、パルスアーク溶接のパルス電流において、パルスピーク期間Tpのパルスピーク電流密度を400〜950A/mm2、パルスベース期間Tbのパルスベース電流密度を200A/mm2以上、かつ、そのときのパルスピーク電流密度との差を200〜400A/mm2、平均電流密度を350〜750A/mm2として溶接することを特徴とする。
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