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Fターム[4E351GG14]の内容

Fターム[4E351GG14]に分類される特許

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【課題】伝導性金属めっきポリイミド基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の伝導性金属めっきポリイミド基板の製造方法は、ポリイミド膜の表面をKOH、エチレングリコール及びKOHの混合溶液、または無水クロム酸及び硫酸の混合溶液によりエッチングする段階と、前記エッチングされたポリイミド膜の表面をカップリング剤によりカップリングする段階と、前記ポリイミド膜に触媒を吸着させる段階と、前記触媒が吸着されたポリイミド膜に電流を付加することなく、第1の伝導性金属膜を形成する第1のめっき段階と、前記第1のめっきされたポリイミド膜に電流を付加して第2の伝導性金属膜を形成する第2のめっき段階と、を含む。 (もっと読む)


【課題】 各基材における鏡面状の被処理面に銅めっきを良好に密着させることができ、これにより、ファインピッチの配線パターンを形成することができるとともに、高周波特性が良好な回路を形成する。
【解決手段】 塩化錫溶液と塩化パラジウム溶液とを用いて、ガラス成分を含有したセラミック基材に第1触媒層を形成する第1触媒工程と、セラミック基材を酸素を含む分域内において加熱する銅めっき前熱処理工程と、塩化錫溶液および塩化パラジウム溶液を用いて、セラミック基材に積層触媒層を形成する積層触媒処理工程と、セラミック基材に微量のニッケルイオンを含む銅めっき液を用いて銅めっき膜を形成するめっき処理工程と、セラミック基材をガラス転移温度以下の熱処理温度によって加熱する銅めっき後熱処理工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】下地金属層を形成する時に生ずるピンホールに起因する銅被膜部の欠落がなく、かつ絶縁体フィルムと下地金属層との密着性、耐食性に優れ、絶縁信頼性の高い銅被膜層を形成した2層フレキシブル基板を提供する。
【解決手段】絶縁体フィルムの少なくとも片面に、接着剤を介さずに、乾式めっき法により、チタンの割合が3〜22重量%、クロムの割合が5〜22重量%で残部がニッケルのニッケル−チタン−クロム合金を主として含有する膜厚3〜50nmの下地金属層を形成し、次いで該下地金属層上に湿式めっき法により銅被膜層を形成した2層フレキシブル基板とその製造方法。 (もっと読む)


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