【課題】 配線基板上の表面金属層にめっき層を良好に被着し、信頼性に優れた配線基板を提供する。
【解決手段】 本発明の配線基板10は、絶縁基体１と、絶縁基体１から部分的に露出するように絶縁基体１内に設けられており、ＣｕＷを含む放熱部材２と、放熱部材２に接して放熱部材２を覆うように絶縁基体１の表面に設けられており、主成分としてＭｏを含んでおり、Ｃｕを含む表面部を有している第１表面金属層３ａと、絶縁基体１の表面に設けられており、主成分としてＭｏを含んでおり、Ｃｕを含む表面を有している第２表面金属層３ｂと、絶縁基体１の表面または内部に設けられており、第２表面金属層３ｂに接してＣｕＷからなる金属部材３ｃと、第１表面金属層３ａ上および第２表面金属層３ｂ上にそれぞれ設けられためっき層とを備える。第１表面金属層３ａおよび第２表面金属層３ｂの表面にＣｕを起点としてめっき層を被着できる。 （もっと読む）

【課題】乾式めっき法および電気めっき法を使用したフレキシブル配線板の製造における上記の問題点を解決し、ポリイミドフィルム上に乾式めっき処理によって下地金属層を形成する時に生ずるピンホールに起因する銅被膜部の欠落がなく、かつポリイミドフィルムと下地金属層との密着性、耐腐食性に優れ、絶縁信頼性の高い銅被膜層を形成した２層フレキシブル基板とその製造方法を提供する。
【解決手段】ポリイミドフィルムの少なくとも片面に、接着剤を介さずに下地金属層と、該下地金属層上に銅被膜層を形成する２層フレキシブル基板において、前記下地金属層は、バナジウムの割合が１〜３．６重量％、バナジウムとモリブデンの合計が７〜４０重量％で残部がニッケルのニッケル−バナジウム−モリブデン合金を主として含有する膜厚３〜５０ｎｍであることを特徴とする２層フレキシブル基板。 （もっと読む）

【課題】セラミック基板に対して優れた密着性を有するメタライズ配線を形成することができる銅ペースト組成物を提供することである。
【解決手段】少なくとも銅粉、非鉛ガラスフリットおよび酸化銅（Ｉ）を含有する銅ペースト組成物であって、前記銅粉は、軟化開始温度が互いに異なる第１の複数の銅粒子および第２の複数の銅粒子をそれぞれ複数含むとともに、前記第１の複数の銅粒子の軟化開始温度をＴ１（℃）、前記第２の複数の銅粒子の軟化開始温度をＴ２（℃）としたとき、Ｔ１−Ｔ２の値が２００℃以上であり、前記非鉛ガラスフリットは、少なくともビスマス、ホウ素およびシリコンの各酸化物を含むとともに、軟化開始温度が４００℃以下である。 （もっと読む）

【課題】耐加熱変色性及びエッチング性に優れたプリント配線板用銅箔及び積層体を提供する。
【解決手段】プリント配線板用銅箔は、銅箔基材と、銅箔基材の表面の少なくとも一部を被覆する被覆層とを備えた銅箔である。被覆層は、貴金属粒子と、貴金属粒子を覆う、貴金属及び銅以外の材料で形成された担持剤とで構成されている。 （もっと読む）

【課題】ガラスセラミックスからなる絶縁基板と導体層との接合性を長期間に亘って良好に維持できるとともに、金属めっき層やろう材との接着性に優れた配線基板と、これに搭載された電子部品を具備して構成される電子部品実装基板を提供する。
【解決手段】導体層３が、銅または銀と接合強化剤とを焼結してなるからなる基礎導体層３ａと、該基礎導体層３ａの表面に一部が埋設された状態で点在する前記基礎導体層と同一の金属からなる金属粒子３ｂとを具備している。このことにより温度サイクル試験などの信頼性評価を行った場合においても絶縁基板１と基礎導体層３ａとの接合界面の剥がれを抑制できる。 （もっと読む）

【課題】ヒートサイクルを繰り返しても、基板の割れや、配線パターンの剥離を生じない大電力用銅配線パターンの形成されたセラミック配線基板を提供することを目的とする。
【解決手段】セラミック基板と前記セラミック基板上に形成された銅層とを含み、前記銅層における銅の平均粒子半径が１０μｍ以上であるセラミック配線基板。 （もっと読む）

【課題】 生産性よく、パターンが施された金属箔を製造する方法により得られた金属箔を提供する。
【解決手段】 （イ）導電性基材の表面に絶縁層が形成されており、その絶縁層に開口方向に向かって幅広で導電性基材が露出している凹部が形成されているめっき用導電性基材の表面にめっきにより金属を析出させる工程、（ロ）上記めっき用導電性基材の表面に析出させた金属を剥離する工程を含むパターンが施された金属箔の製造方法。絶縁層は幾何学図形を描くように又はそれ自身幾何学図形を描くように形成されており、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）又は無機材料からなることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】導体膜を有する配線基板において、導体膜の表面に傾斜や凹凸を設けることなく、導体膜に発生する膨れやピンホールの発生を適切に防止する配線基板を提供する。
【解決手段】表面に、導体よりなる下地層１１、銅よりなる銅層１２、１３、金よりなる金層１４を順次積層して形成してなる導体膜１０を有する配線基板１であって、銅層１２、１３は、下地層１１の側から銅メッキよりなる第１の層１２、銅メッキよりなる第２の層１３を順次形成してなるものであり、第１の層１２の内部には、下地層１１と第１の層１２との間に発生するガスを抜くためのガス抜き通路１５が、第１の層１２における下地層１１側の面から第２の層１３側の面まで形成されており、ガス抜き通路１５は、第１の層１２における第２の層１３側の面にて、第２の層１３によって閉塞されている。 （もっと読む）

【課題】貫通孔付焼成済みセラミック基板における貫通孔内のボイドを抑えるための導体ペースト及びそれを用いたセラミック基板の製造方法を提供する。
【解決手段】貫通孔を備えた焼成済みセラミック基板の前記貫通孔に導体ペーストを充填し焼成処理を行うセラミック基板の製造方法において、導電性を持つ金属粉末と前記金属粉末同士を前記有機成分にて結合させた平均粒径２０〜５２μｍである金属凝集物と有機成分と溶剤とを含有する導体ペーストを用いるセラミック基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】めっき皮膜が基板から引き剥がれることなく、銅回路と基材の密着の向上した良好な回路基板を製造することを目的とする。
【解決手段】絶縁樹脂１３からなる基材上に、下地めっき皮膜１４ａを形成する一次めっき処理を工程と、この一次めっき処理工程にて形成された下地めっき皮膜１４ｂ上に、当該下地めっき皮膜１４ｂよりも膜厚の厚い厚付けめっき皮膜１４ｂを形成する二次めっき処理工程とを備え、一次めっき処理工程では、二次めっき処理工程において形成される厚付けめっき皮膜１４ｂの内部応力の向きと異なる向きの内部応力を有する下地めっき皮膜１４ａを形成させる無電解めっき浴を用いてめっき処理を行う。 （もっと読む）

【課題】外部電極の表面にめっき層を確実に形成することができるセラミック部品を提供する。
【解決手段】セラミックコンデンサのセラミック焼結体１０４は、コンデンサ主面１０２及びコンデンサ裏面を有し、コンデンサ主面１０２上及びコンデンサ裏面上には複数のプレーン状電極１１１，１１２が配置されている。各電極１１１，１１２のメタライズ導体層１５２は、ニッケル金属１５７、ニッケル酸化物１５８及びチタン酸バリウム１５９を含んで構成され、ニッケル金属相とペロブスカイト型酸化物相との界面にニッケル酸化物１５８が存在している。メタライズ導体層１５２の表面におけるニッケル金属１５７の割合は、その内部におけるニッケル金属１５７の割合よりも高くなっている。 （もっと読む）

【課題】ランニングにおいて析出効率の低下がなく、金皮膜が硬質で金純度が９９．９％以上である金皮膜が得られる電解金めっき液を提供することである。また、上記電解金めっき液を用いることにより、ワイヤーボンディングパッド及びコンタクト接合部が同一の金皮膜である電子部品を提供すること。
【解決手段】シアン化金塩を金源とし、下記式（１）で示されるアミン化合物及び下記式（３）で示される複素環式化合物を含有していることを特徴とする電解金めっき液。
Ｈ_２Ｎ−（Ｒ^１−ＮＨ）_ｎ−Ｈ （１）
［式（１）中、Ｒ^１は置換基を有していてもよい炭素数１〜１２の、アルキレン基、アリーレン基若しくはアルキレンアリーレン基を示し、ｎは１以上の自然数である。］


［式（３）中、Ｎを含む環は、環中にＮを２個以上有する複素環を示し、該複素環中の炭素原子には置換基が結合していてもよい。］ （もっと読む）

【課題】抵抗を覆うオーバーコートガラスのめっき耐性の高いセラミック基板を確実に製造することが可能なセラミック基板の製造方法、および信頼性の高いセラミック基板、および該セラミック基板を用いた電子装置を提供する。
【解決手段】一方主面１ａに抵抗１５となる抵抗膜１１５が形成され、抵抗膜を覆うように、収縮開始温度が、抵抗膜のそれより高い第１のガラス膜１１１を形成し、形成された第１のガラス膜１１１を覆うように、第１のガラス膜を構成するガラス材料よりめっき耐性が大きいガラス材料を含む第２のガラス膜１１２を形成し、かつ、少なくとも一方主面１ａに、焼成工程で焼結しないセラミック材料からなる収縮抑制用グリーンシート１０２が配置された積層体を形成し、この積層体を、セラミックグリーンシートが焼結し、収縮抑制用グリーンシートが実質的に焼結しない温度で焼成する。 （もっと読む）

【課題】銅等の不純物が含まれた無電解パラジウムめっき液を用いる場合であっても、ニッケル皮膜上に安定してパラジウムめっき皮膜を析出させることが可能な無電解パラジウムめっき用の前処理用組成物を提供する。
【解決手段】パラジウム化合物及びヒドラジン類を含有する水溶液からなる、ニッケル上に無電解パラジウムめっきを行うためのニッケル表面の活性化組成物、並びに。
プリント配線板の導体部分に無電解ニッケルめっき皮膜を形成した後、上記活性化組成物を用いてニッケルめっき皮膜の活性化処理を行い、その後、無電解パラジウムめっきを行う工程を含むプリント配線板へのめっき皮膜形成方法。 （もっと読む）

【課題】耐衝撃性に優れ、且つ、平坦性及び耐めっき性に優れたセラミック多層基板を提供する。
【解決手段】本発明のセラミック多層基板１０は、複数のセラミック層１１Ａを積層してなるセラミック積層体１１の内部に内部導体パターン１２を有し、セラミック積層体１１の下面に第１の端子電極１３Ａを有し、第１の端子電極１３Ａの表面と、第１の端子電極１３Ａとセラミック積層体１１との境界部との双方を覆うように、セラミック積層体１１の下面に対して凸状の導電性樹脂部１４が設けられている。 （もっと読む）

第１の金属を基材上に適用するための方法が開示される。この方法は、ａ）カルボキシル基を含み、かつ少なくとも１つの第２の金属のイオンを７を超えるｐＨで吸着させて含んでいるポリマーを、前記基材の表面に生成する工程、ｂ）前記イオンを前記第２の金属に還元する工程、およびｃ）前記還元した前記第２の金属のイオンに前記第１の金属を堆積させる工程、を含んでいる。さらに本発明は、この方法に従って製造される物体を含む。本発明の利点として、金属コーティングの付着が改善されること、および多数のさまざまな材料をコーティングできることが挙げられる。このプロセスは、大規模かつ連続的な生産に適しており、材料の無駄を少なくする。本発明に従って製造される回路は、信号品位の改善を呈する。また、特徴的なパターンの複数の導体層によって順次に積層される回路の製造が可能である。さらに、きわめて小さな線幅を有する回路の製造が可能である。 （もっと読む）

【課題】ブリッジの発生が起こることが無く絶縁信頼性に優れた、プリント配線基板（マザーボード、半導体チップ搭載基板、多層配線基板）と半導体パッケージ及びそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】銅配線１と銅配線の間に絶縁物３が形成され、前記銅配線１間の絶縁物３の一部が除去されて銅配線１の一部が露出し、前記露出した銅配線の表面にニッケルめっき皮膜４、金めっき皮膜６の順序、あるいはニッケルめっき皮膜４、パラジウムめっき皮膜５、金めっき皮膜６の順序で形成した構造からなる銅配線を有するプリント配線基板、前記プリント配線基板の一方の表面には半導体チップ接続端子が、他方の表面には外部接続端子が形成されている半導体チップ搭載基板及び半導体チップ搭載基板と、前記半導体チップ搭載基板に搭載された半導体チップと、前記半導体チップを封止する樹脂から構成される半導体パッケージ及びそれらの製造方法。 （もっと読む）

【課題】水分やめっき液に対し、より優れた耐性を有する新規な導電性ペースト、及び該導電性ペーストを使用した積層セラミック電子部品の製造方法、並びに該製造方法により製造された積層セラミック電子部品を実現する。
【解決手段】導電性ペーストが、導電性粉末とガラス成分と有機ビヒクルとを含有し、前記ガラス成分がＳｉＯ_２−ＴＯ_２−ＭＯ−ＸＯ系材料（ただし、ＴはＴｉ及びＺｒの中から選択された少なくとも１種を示し、ＭはＭｎ及びＮｉの中から選択された少なくとも１種を示し、ＸはＣａ、Ｂａ、Ｓｒ及びＭｇの中から選択された少なくとも１種を示す。）で形成されている。この導電性ペーストを使用して積層セラミックコンデンサ等の積層セラミック電子部品の内部導体２を形成する。 （もっと読む）

【課題】 Ｚｎおよびクロメート製膜量の制御性に優れたプリント配線板用銅箔とその製造方法およびその製造に用いる３価クロム化成処理液を提供する。
【解決手段】 銅箔１は、プリント配線板用基材との接着面上に、粗化めっき層２、ニッケル−コバルト合金めっき層３、亜鉛めっき層４、クロメート処理層５、シランカップリング処理層６を有しており、クロメート処理層５が３価クロムイオンを金属クロム換算で７０ｍｇ／Ｌ以上５００ｍｇ／Ｌ未満含有し、ｐＨが３．０〜４．５である３価クロム化成処理液を用いて形成されたものであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 使用寿命が長くなり、製造コストを低減し、製造プロセスが簡単になる軟性フィルム複合基板を提供する。
【解決手段】 一つの樹脂基材１を有し、真空物理メッキ方式により樹脂基材１上に銅合金層２を付着する。銅合金層２は、０．１％〜９９．９５％の銅と、ニッケルやクロムやマンガンやモリブデンや鉄やリンの少なくとも一つ以上の元素から構成された合金である。真空物理メッキ方式により銅合金層２上に銅箔層３を付着する。銅箔層３は、１０％〜９９．９５％の銅と、ニッケルやクロムやマンガンやモリブデンや鉄やリンの少なくとも一つ以上の元素から構成された合金である。樹脂基材１は、ポリイミドやポリエチレンテレフタラートやポリカーボネートやポリメタクリル酸メチルの何れか一つの材料を採用する。 （もっと読む）