説明

配線基板

【課題】 配線基板上の表面金属層にめっき層を良好に被着し、信頼性に優れた配線基板を提供する。
【解決手段】 本発明の配線基板10は、絶縁基体1と、絶縁基体1から部分的に露出するように絶縁基体1内に設けられており、CuWを含む放熱部材2と、放熱部材2に接して放熱部材2を覆うように絶縁基体1の表面に設けられており、主成分としてMoを含んでおり、Cuを含む表面部を有している第1表面金属層3aと、絶縁基体1の表面に設けられており、主成分としてMoを含んでおり、Cuを含む表面を有している第2表面金属層3bと、絶縁基体1の表面または内部に設けられており、第2表面金属層3bに接してCuWからなる金属部材3cと、第1表面金属層3a上および第2表面金属層3b上にそれぞれ設けられためっき層とを備える。第1表面金属層3aおよび第2表面金属層3bの表面にCuを起点としてめっき層を被着できる。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、半導体素子または発光素子等の電子部品を搭載するための配線基板に関するものである。
【背景技術】
【0002】
従来、電子部品を搭載し電子機器に組み込まれる配線基板は、例えば酸化アルミニウム質焼結体(アルミナセラミックス)等のセラミックス製の絶縁基体が用いられている。配線基板には、放熱性の向上等を目的として、絶縁基体内に放熱部材が埋設されているものがある(例えば、特許文献1を参照。)。
【0003】
放熱部材は、例えば配線基板に実装された電子部品で生じた熱を外部に逃がして、放熱性を高めるために用いられる。絶縁基体がセラミックス製である場合には、放熱部材は、熱伝導率がセラミックスよりも高く、熱膨張率がセラミックスと同程度の材料で作製される。
【0004】
また、このような配線基板には、絶縁基体の表面に設けられた表面金属層を備えたものがある。絶縁基体の材料が上記したアルミナセラミックスのように焼結温度の高いセラミックス材料であるときには、表面金属層の材料は絶縁基体と同時に焼成することを目的として高融点金属材料を用いることがある。
【0005】
このような配線基板は、放熱部材の材料として例えばCuを含む金属を用いるとともに、表面金属層の材料として例えばモリブデン(Mo)を用いることがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0006】
【特許文献1】特開2006−066409号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
上記した配線基板のように、放熱部材にはCuを含む金属を、表面金属層にはモリブデン(Mo)をそれぞれ用いた場合には、放熱部材に接して設けられた表面金属層は、放熱部材からCuが拡散されて表面にCuが析出された状態となるので、Cuを起点としてめっき層が被着されやすい。
【0008】
しかしながら、放熱部材に接していない表面金属層に高融点金属材料として、例えばモリブデン(Mo)を用いたときには、表面金属層の露出した表面にニッケル等の無電解めっき層を被着させようとすると、表面金属層の表面にめっき層が被着されにくいことがあった。
【0009】
本発明は、上記従来技術の問題点に鑑みて案出されたものであり、その目的は、放熱部材に接していない表面金属層にめっき層が被着され、信頼性に優れた配線基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0010】
本発明の一つの態様による配線基板は、絶縁基体と、該絶縁基体の表面に設けられており、主成分としてMoを含んでおり、Cuを含む表面部を有している第1表面金属層と、前記絶縁基体の内部に設けられており、前記第1表面金属層に接しており、Cuを含む放
熱部材と、前記絶縁基体の前記表面に設けられており、主成分としてMoを含んでおり、Cuを含む表面部を有している第2表面金属層と、前記絶縁基体の前記表面または前記内部に設けられており、前記第2表面金属層に接しており、Cuを含む金属部材と、前記第1および第2表面金属層上にそれぞれ設けられためっき層とを備えることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【0011】
本発明の一つの態様による配線基板によれば、絶縁基体の表面に設けられており、主成分としてMoを含んでおり、Cuを含む表面部を有している第2表面金属層と、絶縁基体の表面または内部に設けられており、第2表面金属層に接しており、Cuを含む金属部材と、第2表面金属層上にそれぞれ設けられためっき層とを備えている。このような構成であることから、第2表面金属層は無電解めっき層を被着する際に、Cuを起点として第2表面金属層の表面にめっき層を被着しやすくなる。
【図面の簡単な説明】
【0012】
【図1】(a)は、本発明の第1の実施形態の一例を示す配線基板の上面図であり、(b)は(a)の下面図である。
【図2】図1(a)のA−A線における断面図である。
【図3】本発明の第1の実施形態の他の例を示す配線基板の断面図である。
【図4】(a)は、本発明の第1の実施形態の一例を示す配線基板の上面図であり、(b)は(a)のA−A線における断面図である。
【図5】(a)は、本発明の第1の実施形態の一例である配線基板に電子部品を搭載した電子装置の上面図であり、(b)は、(a)のA−A線における断面図である。
【図6】(a)は、本発明の第1の実施形態の他の例を示す電子装置の上面図であり、(b)は(a)の下面図である。
【図7】図6(a)のA−A線における断面図である。
【図8】(a)は、本発明の第1の実施形態の他の例を示す電子装置の上面図であり、(b)は(a)の下面図である。
【図9】図8(a)のA−A線における断面図である。
【図10】(a)および(b)は本発明の第2の実施形態の一例を示す配線基板の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0013】
本発明のいくつかの例示的な実施形態について、添付の図面を参照しつつ説明する。
【0014】
(第1の実施形態)
本発明の第1の実施形態における配線基板10は、図1〜図9に示す例のように、絶縁基体1と、絶縁基体1の表面に設けられており、主成分としてMoを含んでおり、Cuを含む表面部を有している第1表面金属層3aと、絶縁基体1の内部に設けられており、第1表面金属層3aに接しており、Cuを含む放熱部材2と、絶縁基体1の表面に設けられており、主成分としてMoを含んでおり、Cuを含む表面部を有している第2表面金属層3bと、絶縁基体1の表面または内部に、第2表面金属層3bに接しており、Cuを含む金属部材3cと、第2表面金属層3b上にそれぞれ設けられためっき層とを備えている。
【0015】
絶縁基体1は、酸化アルミニウム質焼結体(アルミナセラミックス),窒化アルミニウム質焼結体,ムライト質焼結体等のセラミックスから成るものである。
【0016】
絶縁基体1は、例えば酸化アルミニウム質焼結体から成る場合であれば、酸化アルミニウム,酸化珪素,酸化マグネシウム,酸化カルシウム等の原料粉末に適当な有機バインダーおよび溶剤等を添加混合して泥漿状となし、これを従来周知のドクターブレード法やカ
レンダーロール法等によりシート状に成形してセラミックグリーンシートを得て、しかる後、セラミックグリーンシートに適当な打ち抜き加工を施すとともにこれを複数枚積層し、高温(約1300℃〜1400℃)で焼成することによって製作される。
【0017】
放熱部材2は、絶縁基体1に埋設され、例えば平面視で角部が円弧状の矩形状や円形の底面を有する柱状に形成されている。放熱部材2は、電子部品が発する熱を配線基板10の外に逃がして、放熱性を高めるためのものであり、平面視で電子部品よりも大きく形成されている。このような放熱部材2は、絶縁基体1用のセラミックグリーンシートに金型やパンチングによる打ち抜き加工またはレーザ加工によって穴を設けて、この穴に放熱部材2となる金属シートまたは金属ペーストを配置しておくことにより作製される。
【0018】
放熱部材2は、図1〜図9に示す例のように、絶縁基体1の上面から露出されていると、放熱部材2が露出していない場合と比べて、配線基板10の放熱性を高めるのに有効である。放熱部材2は、図1〜図4に示す例のように絶縁基体1の両面から露出していてもよいし、図7に示す例のように絶縁基体1の一方主面のみから露出して設けられていても良い。
【0019】
このような放熱部材2は金属シートを用いて製作される場合には、金属シートは、平面視で絶縁基体1用のセラミックグリーンシートの穴と同じ形状で、セラミックグリーンシートの穴の深さと同じ厚みに形成されて、セラミックグリーンシートの穴を充填するように埋設されていればよい。なお、金属シートは、セラミックグリーンシートに打ち抜き加工で穴を設けると同時に埋設されると成形体を効率よく作製できる。
【0020】
例えば、貫通孔の形成された絶縁基体1用のセラミックグリーンシートの上面に金属シートを載置し、セラミックグリーンシートに貫通孔を形成する打ち抜き金型を用いて、金属シート側から金属シートとセラミックグリーンシートとに貫通孔を打抜くと、セラミックグリーンシートの貫通孔内に、この貫通孔と同サイズに打ち抜かれた金属シートを嵌め込むことができる。
【0021】
このような金属シートは、金属粉末に有機バインダおよび有機溶剤を必要に応じて所定量の可塑剤や分散剤を加えてスラリーを得て、これをPET(ポリエチレンテレフタレート)等の樹脂や紙製の支持体上にドクターブレード法,リップコーター法またはダイコーター法等の成形方法によって塗布してシート状に成形し、温風乾燥,真空乾燥または遠赤外線乾燥等の乾燥方法によって乾燥することによって作製する。
【0022】
金属粉末としては、タングステン(W)および銅(Cu)からなる粉末が用いられる。なお、金属粉末は混合,合金のいずれの形態であってもかまわない。Cu粉末とW粉末とを混合した金属シートを用いると、放熱性に優れた銅タングステン(CuW)からなる放熱部材2とすることができる。
【0023】
金属シートに用いられる有機バインダ、スラリーに含まれる溶剤としては、上記のセラミックグリーンシートに用いられた材料と同じ材料を用いることができる。
【0024】
有機バインダの添加量は、焼成時に分解されて除去されやすく、かつ金属粉末が分散され、グリーンシートのハンドリング性や加工性が良好な量であればよく、金属粉末に対して10乃至20質量%程度が望ましい。
【0025】
溶剤の量は、金属粉末に対して30乃至100質量%の量で加えることによって、スラリー
を良好に支持体上に塗布することができるような粘度、具体的には3cps乃至100cp
s程度となるようにすることが望ましい。
【0026】
また、放熱部材2は金属ペーストを用いて製作される場合には、金属ペーストが、セラミックグリーンシート1の穴に充填されて配置されていればよい。また、金属ペーストはセラミックグリーンシート1の穴に保持されるような粘度に調整されていればよいが、セラミックグリーンシート1の穴を底のあるものとしておくことが好ましい。
【0027】
放熱部材2用の金属ペーストは、主成分である上記の金属粉末に有機バインダーおよび有機溶剤、また必要に応じて分散剤等を加えてボールミル,三本ロールミルまたはプラネタリーミキサー等の混練手段によって混合および混練することで作製する。
【0028】
このような放熱部材2用の金属ペーストに用いられる有機バインダの添加量は、焼成時に分解・除去されやすく、かつ金属粉末を分散できる量であればよく、金属粉末に対して5乃至20質量%程度の量であることが望ましい。溶剤は金属粉末に対して4乃至15質量%の量で加えられ、15000乃至40000cps程度となるように調整される。
【0029】
なお、金属ペーストには、焼成時のセラミックグリーンシート1の焼成収縮挙動や収縮率と合わせるため、または焼成後の配線導体4の接合強度を確保するために、ガラスやセラミックスの粉末を添加してもよい。
【0030】
また、放熱部材2用の金属材料として金属ペーストを用いる場合には、金属ペーストはセラミックグリーンシート1の穴に保持されるような粘度に調整されていればよいが、セラミックグリーンシート1の穴を底のあるものとしておくことが好ましい。
【0031】
また、放熱部材2は、図7に示す例のように、平面視で配線基板10の上面側と下面側との大きさが異なっており、上面側と下面側との間に段差を設けていてもよい。絶縁基体1の上面側で配線導体4を配置するための領域を確保するのに有効である。
【0032】
このような形状の放熱部材2を作製するには、セラミックグリーンシートを複数積層した積層体を形成し、上側のセラミックグリーンシートに第1貫通孔を形成し、下側のセラミックグリーンシートに第1貫通孔よりも径の大きい第2貫通孔を形成し、これらの貫通孔のそれぞれに合わせた大きさの放熱部材2となる金属シートまたは金属ペーストを埋設し、上側と下側のセラミックグリーンシートを積層して加圧することによって形成できる。
【0033】
第1表面金属層3aおよび第2表面金属層3bはモリブデン(Mo)の金属粉末メタライズからなる。金属粉末は混合,合金のいずれの形態であってもかまわない。
【0034】
このような第1表面金属層3aは以下のようにして形成する。上記の金属粉末を用いた第1表面金属層3a用のメタライズペーストは、絶縁基体1用のセラミックグリーンシートに埋設された放熱部材2用の金属シートまたは金属ペーストを覆うように所定形状にスクリーン印刷法等によって印刷する。同様に第2表面金属層3b用のメタライズペーストを絶縁基体1用のセラミックグリーンシートの所定の位置に、所定形状にスクリーン印刷法等によって印刷する。なお、第2表面金属層3b用のメタライズペーストは、第1表面金属層3aが配置される領域の周囲の主面または第1表面金属層3aが配置される主面と対向する主面に配置される。その後、絶縁基体1用のセラミックグリーンシートと同時に焼成する。なお、第1表面金属層3aおよび第2表面金属層3b用のメタライズペーストは上記した放熱部材2用の金属ペーストと同様の方法で作製できる。
【0035】
第1表面金属層3a用のメタライズペーストは、放熱部材2用の金属材料(金属シートまたは金属ペースト)に接している。このことから、例えば、酸化アルミニウム質焼結体
の絶縁基体1用のセラミックグリーンシートを焼成するときに、Cuの融点よりも高い温度(約1300℃〜1400℃)で焼成することで、CuおよびWを含む放熱部材2となる金属シートまたは金属ペーストに含まれるCuが溶けて、第1表面金属層3aのMoの金属粒子間を通過し、第1表面金属層3aの表面まで拡散する。このことによって、第1表面金属層3aの表面はMoからなりCuを含んだものとできる。
【0036】
また、図1〜図4に示す例のように放熱部材2が絶縁基体1を貫通している場合には、第1表面金属層3aは、放熱部材2が絶縁基体1の上面に露出した部分と放熱部材2が絶縁基体1の下面に露出した部分とをそれぞれ覆うように配置されている。このような場合には、電子部品5の熱を配線基板10の上面側から下面側に放熱することができる。
【0037】
また、図7に示す例のように放熱部材2が絶縁基体1の上面のみに露出している場合には、第1表面金属層3aは、放熱部材2が絶縁基体1の上面に露出した部分を覆うように配置されている。この場合には、配線基板10の上面側において、電子部品5の熱を放熱部材に伝えやすい。また、配線基板10の下面において、第1表面金属層3aの短絡を抑制するのに有効である。また、第2表面金属層3bを広領域に形成して外部回路基板との接合を良好にできる。なお、図6に示す例のように、一方の第2表面金属層3bを平面視で放熱部材2と重なるように広くしておくと、放熱性および接合性に優れた配線基板10とすることができる。
【0038】
第2表面金属層3b用のメタライズペーストは、金属部材3c用の金属材料(金属シートまたは金属ペースト)に接している。
【0039】
金属部材3cは、放熱部材2と同様の材料を用いて作製される。絶縁基体1内部に設けられている場合には、上記した放熱部材2と同様の方法を用いて作製できる。また、絶縁基体1の表面に配置される場合には、第1表面金属層3aおよび第2表面金属層3bと同様の方法で作製できる。
【0040】
このことから、例えば、酸化アルミニウム質焼結体の絶縁基体1用のセラミックグリーンシートを焼成するときに、Cuの融点よりも高い温度(約1300℃〜1400℃)で焼成することで、CuおよびWを含む金属部材3cとなる金属シートまたは金属ペーストに含まれるCuが溶けて、第2表面金属層3bのMoの金属粒子間を通過し、第2表面金属層3bの表面まで拡散する。このことによって、第2表面金属層3bの表面はMoからなりCuを含んだものとできる。
【0041】
図2に示す例のように、金属部材3cが配線基板10の内部に設けられている場合には、金属部材3cが配線基板10の表面に設けられている場合に比べて、第2表面金属層3bを大きく設けるのに有効である。
【0042】
また、図3に示す例のように金属部材3cを配線導体4として用いてもよい。このような場合には、金属部材3cを設けるための領域を確保する必要がないので、配線基板10を小型化するのに有効である。
【0043】
図4に示す例のように、金属部材3cが配線基板10の表面に設けられている場合には、金属部材3cが配線基板10の内部に設けられている場合に比べて、配線基板10の内部の配線導体4の自由度を高くするのに有効である。
【0044】
また、図5に示す例のように金属部材3cが第2表面金属層3bの外周に接して、第2表面金属層3bを取り囲むように設けられている場合には、金属部材3cから第2表面金属層3bに拡散するCuを増やして、第2表面金属層3bの表面をより多くのCuを含ん
だものとできる。
【0045】
なお、第1表面金属層3aおよび第2表面金属層3b用の金属ペーストには、放熱部材2用の金属ペーストと同様にセラミックスの粉末を添加してもよい。例えば、絶縁基体1が酸化アルミニウム質焼結体からなる場合には、第1表面金属層3aおよび第2表面金属層3bに酸化アルミニウム質焼結体を含有させることが好ましい。
【0046】
また、このような第1表面金属層3aおよび第2表面金属層3bの露出する表面には、図5に示す例のようにニッケル,金等の金属めっき層が無電解めっき法によって被着される。金属めっき層は、第1表面金属層3aおよび第2表面金属層3bの表面に露出しているCuを起点として被着できる。
【0047】
すなわち、第1表面金属層3aの表面には、放熱部材2から拡散したCuを起点とし、第2表面金属層3bの表面には、金属部材3cから拡散したCuを起点として、第1表面金属層3aおよび第2表面金属層3bともに、めっき層が良好に被着される。
【0048】
このようにして第1表面金属層3aおよび第2表面金属層3bの露出する表面に、ニッケル,金等の耐蝕性に優れる金属めっき層が被着されると、第1表面金属層3aおよび第2表面金属層3bが腐食することを抑制できる。また、第1表面金属層3aに電子部品5を強固に接合でき、第2表面金属層3bにボンディングワイヤまたは外部回路基板を強固に接合できる。第1表面金属層3aおよび第2表面金属層3bの露出する表面には、例えば、厚さ1〜10μm程度のニッケルめっき層と厚さ0.1〜3μm程度の金めっき層とが順
次被着される。
【0049】
配線導体4は、例えばタングステン(W),モリブデン(Mo),マンガン(Mn)等の金属材料を用いることができる。また、配線導体4には、絶縁基体1の絶縁層間に配置される配線導体と、絶縁層を貫通して上下に位置する第2表面金属層3bや絶縁層間の配線層導体4同士を電気的に接続する貫通導体とがある。絶縁層間に配置される配線導体は、絶縁基体1用のセラミックグリーンシートに配線導体4用のメタライズペーストをスクリーン印刷法等の印刷手段によって印刷塗布し、絶縁基体1用のセラミックグリーンシートとともに焼成することによって形成される。また、貫通導体は、絶縁基体1用のセラミックグリーンシートに金型やパンチングによる打ち抜き加工またはレーザー加工等の加工方法によって貫通導体用の貫通孔を形成し、この貫通孔に貫通導体用のメタライズペーストを上記印刷手段によって充填しておき、絶縁基体1用のセラミックグリーンシートとともに焼成することによって形成する。
【0050】
メタライズペーストは、上記した放熱部材2用の金属ペーストと同様の方法で作製すればよい。貫通導体用のメタライズペーストは、有機バインダーや有機溶剤の種類や添加量を変えることによって、充填に適するように配線導体4用のメタライズペーストよりも高い粘度に調整される。
【0051】
配線基板10の上面には、平面視で放熱部材2と重なるように電子部品5が接合されて搭載される。電子部品5は、半導体素子または発光素子等であり、例えば金(Au)−シリコン(Si)合金から成るろう材や銀(Ag)を含むエポキシ樹脂等の導電性接合材により配線基板10の上面の第1表面金属層3a上に接合される。また、電子部品5の電極と第2表面金属層3bとが、例えばAuを主成分とするボンディングワイヤ等の接続部材6を介して電気的に接続される。
【0052】
電子部品5として発光素子を実装する場合には、図6および図7に示す例のように絶縁基体1はキャビティ8を有し、キャビティ8の内壁面に発光素子が発する光を反射させる
ための反射層9を設けておいても良い。反射層9は、例えば、キャビティ8の内壁面にメタライズ層とめっき層とを順に被着したり、樹脂膜や金属膜を被着したりして形成される。なお、反射層9の露出する表面にはニッケル,金または銀等の金属が被着される。
【0053】
本実施形態の配線基板10において、第2表面金属層3bはCuを含む表面部を有していることによって、無電解めっき層を被着する際に、Cuを起点として第2表面金属層3bの表面にめっき層を良好に被着できる。
【0054】
(第2の実施形態)
次に、本発明の第2の実施形態による配線基板10について、図10を参照しつつ説明する。
【0055】
本発明の第2の実施形態における配線基板10において、上記した第1の実施形態の配線基板10と異なる部分は、図10に示す例のように、第2表面金属層3bに接して設けられている金属体7と、絶縁基体1の表面または内部に設けられており、金属体7に接してCuWからなる金属部材3cとを備えている点である。その他の構成については、上記した第1の実施形態による配線基板10と同様である。
【0056】
本実施形態の配線基板10においても、第2表面金属層3bはCuを含む表面部を有していることによって、無電解めっき層を被着する際に、Cuを起点として第2表面金属層3bの表面にめっき層を良好に被着できる。
【0057】
金属体7は、例えば、主成分としてMoを含んでいる。このような金属体7は、上記の配線導体4と同様にして製作される。これにより、CuおよびWを含む金属部材3cとなる金属シートまたは金属ペーストに含まれるCuが溶融して、表面金属層3bおよび金属体7のMoの金属粒子間を通過し、表面金属層3bの表面まで拡散する。このことによって、表面金属層3bの表面はMoからなりCuを含んだものとできる。
【0058】
第2の実施形態による配線基板10は、図10に示す例のように、金属部材3cが金属体7に接して設けられていればよい。なお、図10に示す例においては、配線導体4を金属体7として用いている。また、図10(b)に示す例のように、金属部材3cが複数の配線導体4に接して、配線導体4を電気的に接続していてもよい。なお、図10に示す例のように、金属部材3cを絶縁基体1の内部に設ける場合には、第2表面金属層3bと金属部材3cとの間は、0.2mm以下としておくことが好ましい。
【0059】
なお、上記の実施の形態の例に限定されるものではなく、種々の変更は可能である。例えば、第2表面金属層3bとして配線基板10の側面に形成した溝の内面に導体が形成された、いわゆるキャスタレーション導体を形成してもかまわない。
【0060】
また、外部回路基板に接合する第2表面金属層3bを絶縁基体1の上面側のみに導出させてもよい。この場合は、配線基板10の下面にCuWやアルミニウム(Al)等からなる、放熱性に優れた放熱体を接合できる。このような場合には、配線基板10の下面の放熱体の材料をCuWとしておくと、熱膨張の違いにより、配線基板10が大きく歪んでしまうことを抑制できる。
【0061】
また、図8および図9に示す例のように、配線基板10に複数の電子部品5が搭載される構造であっても構わない。この場合、1つの第1表面金属層3a上に複数の電子部品5を搭載しても良いし、絶縁基体1内に複数の第1表面金属層3aを配置しても良い。複数の第1表面金属層3aが配置される場合には、複数の第1表面金属層3aのそれぞれに接するように、放熱部材2が配置されていればよい。この場合、それぞれの電子部品5の熱が
それぞれの放熱部材2によって放熱される。
【0062】
また、複数の金属部材3cが、一つの第2表面金属層3bに接して設けられていてもよい。このような構成とすると、第2表面金属層3bの表面に均等にCuを含むようにするのに有効である。
【符号の説明】
【0063】
1・・・・絶縁基体
2・・・・放熱部材
3a・・・第2表面金属層
3b・・・表面金属層
3c・・・金属部材
4・・・・配線導体
5・・・・電子部品
6・・・・接続部材
7・・・・金属体
8・・・・キャビティ
9・・・・反射層
10・・・・配線基板

【特許請求の範囲】
【請求項1】
絶縁基体と、
該絶縁基体の表面に設けられており、主成分としてMoを含んでおり、Cuを含む表面部を有している第1表面金属層と、
前記絶縁基体の内部に設けられており、前記第1表面金属層に接しており、Cuを含む放熱部材と、
前記絶縁基体の前記表面に設けられており、主成分としてMoを含んでおり、Cuを含む表面部を有している第2表面金属層と、
前記絶縁基体の前記表面または前記内部に設けられており、前記第2表面金属層に接しており、Cuを含む金属部材と、
前記第1および第2表面金属層上にそれぞれ設けられためっき層とを備えることを特徴とする配線基板。
【請求項2】
絶縁基体と、
該絶縁基体の表面に設けられており、主成分としてMoを含んでおり、Cuを含む表面部を有している第1表面金属層と、
前記絶縁基体の内部に設けられており、前記第1表面金属層に接しており、Cuを含む放熱部材と、
前記絶縁基体の前記表面に設けられており、主成分としてMoを含んでおり、Cuを含む表面部を有している第2表面金属層と、
該第2表面金属層に接して設けられている金属体と、
前記絶縁基体の前記表面または前記内部に設けられており、前記金属体に接しており、Cuを含む金属部材と、
前記第1および第2表面金属層上にそれぞれ設けられためっき層とを備えることを特徴とする配線基板。

【図1】
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【図2】
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【図3】
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【図4】
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【図5】
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【図6】
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【図7】
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【図8】
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【図9】
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【図10】
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【公開番号】特開2013−45900(P2013−45900A)
【公開日】平成25年3月4日(2013.3.4)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2011−182819(P2011−182819)
【出願日】平成23年8月24日(2011.8.24)
【出願人】(000006633)京セラ株式会社 (13,660)
【Fターム(参考)】