【課題】基材との良好な密着性を示しつつ、高精細な配線パターンを形成することができる貼り付け用銅箔を提供する。
【解決手段】基材に貼り付けるために用いられる貼り付け用銅箔１０であって、基材に貼り付ける側の表面の表面粗さ（Ｒｚ）が０．５００μｍ以下であり、正方形のボックスの一辺の大きさを１ｎｍ〜１０ｎｍに設定したボックスカウント法を適用して算出した、銅箔１０の断面における基材に貼り付ける側の表面の輪郭線のフラクタル次元が１．０２０〜１．４００である、貼り付け用銅箔１０。 （もっと読む）

【課題】配線抵抗が低く配線間の絶縁性の高い回路基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に、Ｃｕを含む導電性材料の配線構造体を形成し、配線構造体の表面に、Ｃｕ−Ｎ結合を有する絶縁性の拡散防止膜を形成した後、拡散防止膜が形成された配線構造体を覆うように、絶縁膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】膜の全体が緻密であり、かつ、基材への密着性が良好なナノ粒子焼結膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るナノ粒子焼結膜の成膜方法は、金属粒子を含むペーストを基材１０表面に塗布し、塗布層２０を形成する塗布工程と、基材１０を加熱する加熱工程、及び塗布層２０に局所的にエネルギーを加えるエネルギー照射工程とにより塗布層２０から燒結膜２５を形成する焼結膜形成工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】ピンホールが少ない金属薄膜を形成できる金属薄膜前駆体層を提供すること。
【解決手段】本発明の金属薄膜前駆体層は、基材上に設けられた、金属前駆体微粒子及び有機ポリマーを含む金属薄膜前駆体層であって、下記式（１）により求めた、波長７３０ｎｍの光線に対する厚さ１μｍあたりの内部透過率（Ｔ_１μｍ）が８５％以下であることを特徴とする。
【数１】


（式（１）中、Ｔ_０は基材のみで測定した光線透過率であり、Ｒ_０は基材のみで測定した絶対反射率であり、Ｔ_１は基材上に金属薄膜前駆体層を設けて測定した光線透過率であり、Ｒ_１は基材上に金属薄膜前駆体層を設けて測定した絶対反射率であり、ｄは金属薄膜前駆体層の厚さ（μｍ）である。） （もっと読む）

【課題】従来の熱可塑型の導電性インキを使用した印刷による導通回路の形成に於いて、優れた導電性を実現するためにはバインダー成分がハロゲン元素を含む必要があった。しかし、ハロゲン元素が含まれているため、環境への負荷が大きい。そこで、本発明では、ハロゲン元素を含まず、さらに優れた導電性および密着性を有する導電性インキを提供する。
【解決手段】本発明の導電性インキは、バインダー樹脂がブチラール樹脂を含み、銀がタップ密度2.0〜10.0 g/cm³、BET比表面積0.4〜5.0 m²/g、平均粒径0.1〜20.0 μmであるフレーク状の銀粉であり、更に金属キレートがアルミニウム、ジルコニウム、チタン原子を分子中に１種類以上含むことを特徴とする導電性インキ。 （もっと読む）

【課題】抵抗体の断面形状の変化を抑制することで、所望の抵抗値を有した抵抗体を再現性よく作製することが可能なプリント配線板用の構造体の製造方法を提供すること。
【解決手段】第一基材１の一面１ａに第二基材２が張り合わされた積層板３を用い、第一基材１との間に第二基材２が配されるように、剥離可能な部材５を形成する工程、部材５と第二基材２の重なり方向に連続的に延びる微細孔６を形成する工程、微細孔６内に導電性ペースト４を充填する工程、及び第二基材２から部材５を除去する工程、を少なくとも有すること。 （もっと読む）

【課題】金属ナノ粒子を低温焼結させ、金属ナノ粒子焼結体を製造する際、形成される焼結体層全体の導電性のバラツキを抑え、同時に、高い再現性で、得られる焼結体層全体の導電性を１×１０^-5Ω・ｃｍ以下の範囲にすることが可能な金属ナノ粒子焼結体の製造方法の提供。
【解決手段】アルキルアミンで表面を被覆した平均粒子径１〜１００ｎｍの金属ナノ粒子を、沸点１００℃以上の有機溶媒中に分散した分散液を、塗布した後、１．５気圧〜１０気圧の加圧雰囲気下、１００℃〜２００℃の温度で加熱処理することで、金属ナノ粒子の表面を被覆するアルキルアミンを効率的に離脱させ、金属ナノ粒子焼結体を形成させる。 （もっと読む）

【課題】 折り曲げや部品実装を行った場合でも導電性被膜の導電性低下を防ぐことができる配線基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 基板５上に配線層８が形成され、配線層８は、導電物およびバインダを含む第１導電性被膜６と、融着銀を含む第２導電性被膜７を備えている。第１導電性被膜６は可撓性を有するため、曲げ力によって第２導電性被膜７が破断した場合でも、第１導電性被膜６が破断するのを防ぐことができる。よって、可撓性基板５が折り曲げられた場合でも、配線層８の電気的接続を確保することができる。 （もっと読む）

【課題】 各基材における鏡面状の被処理面に銅めっきを良好に密着させることができ、これにより、ファインピッチの配線パターンを形成することができるとともに、高周波特性が良好な回路を形成する。
【解決手段】 塩化錫溶液と塩化パラジウム溶液とを用いて、ガラス成分を含有したセラミック基材に第１触媒層を形成する第１触媒工程と、セラミック基材を酸素を含む分域内において加熱する銅めっき前熱処理工程と、塩化錫溶液および塩化パラジウム溶液を用いて、セラミック基材に積層触媒層を形成する積層触媒処理工程と、セラミック基材に微量のニッケルイオンを含む銅めっき液を用いて銅めっき膜を形成するめっき処理工程と、セラミック基材をガラス転移温度以下の熱処理温度によって加熱する銅めっき後熱処理工程とを有する。 （もっと読む）