配線基板および電子部品実装基板
【課題】ガラスセラミックスからなる絶縁基板と導体層との接合性を長期間に亘って良好に維持できるとともに、金属めっき層やろう材との接着性に優れた配線基板と、これに搭載された電子部品を具備して構成される電子部品実装基板を提供する。
【解決手段】導体層３が、銅または銀と接合強化剤とを焼結してなるからなる基礎導体層３ａと、該基礎導体層３ａの表面に一部が埋設された状態で点在する前記基礎導体層と同一の金属からなる金属粒子３ｂとを具備している。このことにより温度サイクル試験などの信頼性評価を行った場合においても絶縁基板１と基礎導体層３ａとの接合界面の剥がれを抑制できる。
【解決手段】導体層３が、銅または銀と接合強化剤とを焼結してなるからなる基礎導体層３ａと、該基礎導体層３ａの表面に一部が埋設された状態で点在する前記基礎導体層と同一の金属からなる金属粒子３ｂとを具備している。このことにより温度サイクル試験などの信頼性評価を行った場合においても絶縁基板１と基礎導体層３ａとの接合界面の剥がれを抑制できる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子等の電子部品が実装され、電気信号の入出力のための接続端子が設けられて、機能モジュールを構成するのに好適な配線基板と、半導体素子等の電子部品が実装された電子部品実装基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
配線基板は、通常、絶縁層が複数層積層された絶縁基板の内部および表面に電気的に導通を取るための貫通導体や配線層が形成されている。このような配線基板では、表面に形成されている配線層のうち、半導体素子等の電子部品が実装されるか、あるいは外部回路基板など他の配線基板と接続され電気信号の入出力に寄与する接続端子が接合される部分はパッドとなっている。この場合、接続端子は、パッドに薄膜導体層や金属めっき層等を介してろう付けされている。
【０００３】
配線基板は、近年、半導体素子等の電子部品の高周波化や伝送信号の高速化に対応するために、配線層の低抵抗化が図られている。従来、配線基板は、絶縁基板としてアルミナを主成分とするものを用い、配線層にタングステンやモリブデンが用いられていたが、近年、これに代わり、配線層がタングステンやモリブデンよりも電気抵抗の低い銅や銀を主成分とするものに置き換えられ、それとともに絶縁基板はアルミナを主成分とするものから銅や銀等との同時焼成が可能なガラスセラミックスに置き換わってきている。
【０００４】
配線基板を構成する絶縁基板がガラスセラミックスにより形成されている場合、アルミナを絶縁基板とするものに比較して、配線層と絶縁基板との接合強度が低くなっていた。そのため、両者の接合性について様々な検討がなされ、接合性を改善するための技術が提案されてきた。
【０００５】
例えば、特許文献１には、絶縁基板の表面に形成される配線層を、厚み方向に２層構造とすることが示されている。この配線層は、絶縁基板側に、銅を主成分とし、アルミナなどの無機成分を接合強化剤として含ませた第１の導体層を配置し、この第１の導体層の表面側に、接合強化剤を含まないで銅を主成分とする第２の導体層とを層状に配置させた構造となっている。
【０００６】
そして、特許文献１では、第１の導体層に含まれるアルミナなどの無機成分が絶縁基板であるガラスセラミックスと反応して反応層を形成することによって、銅とガラスセラミックスとの接合強度が高まるものとされている。また、第１の導体層の表面側に形成された第２の導体層は、接合強化剤を含まないことから表面のほぼ全面に金属（銅）が露出しているため金属めっき層やろう財との接着性が向上するとともに、半導体素子等の電子部品や外部回路基板など他の配線基板との接続を行うための接続端子の接合も良好なものになる、と述べている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開平８−１８１４４１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上述のように、特許文献１に開示されたようなパッドの構造では、絶縁基板側に配置された第１の導体層に対して、第１の導体層の表面側のほぼ全面に第２の導体層を形成した構造とすることで、第１の導体層と絶縁基板であるガラスセラミックスとの接合強度および第２の導体層と金属めっき層やろう材との接着性を初期の段階でいずれも良好な強度になる。
【０００９】
ところが、このような配線基板に対して温度サイクル試験などの信頼性評価を行った場合、絶縁基板と第２の導体層との熱膨張係数が大きく異なることに起因して、第１の導体層の表面側のほぼ全面に形成された第２の導体層の歪量が大きいことから絶縁基板と第１の導体層との接合界面が剥がれやすくなるために、第１の導体層と絶縁基板であるガラスセラミックスとの接合強度が大きく低下するという問題があった。
【００１０】
従って、本発明は、ガラスセラミックスからなる絶縁基板と導体層との接合性を長期間に亘って良好に維持できるとともに、金属めっき層やろう財との接着性に優れた配線基板と、これに搭載された電子部品を具備して構成される電子部品実装基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の配線基板は、ガラスセラミックスからなる絶縁基板と、該絶縁基板の表面に設けられた導体層とを具備する配線基板であって、前記導体層が、銅または銀とガラスを主成分とする接合強化剤とが焼結してなる基礎導体層と、該基礎導体層の表面に一部が埋設された状態で点在する、前記基礎導体層と同一の金属からなる金属粒子とを具備していることを特徴とする。
【００１２】
また、本発明の配線基板では、平面視したときの前記基礎導体層の表面の面積に対する前記金属粒子が占める面積の割合が、２０〜８０％であることが望ましい。
【００１３】
本発明の電子部品実装基板は、上記の配線基板と、該配線基板に実装された電子部品とを有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、ガラスセラミックスからなる絶縁基板と導体層との接合性を長期間に亘って良好に維持できるとともに、金属めっき層やろう材との接着性に優れた配線基板を提供することができる。また、この配線基板に電子部品を実装した電子部品実装基板は、信頼性に優れたものにすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の配線基板を含む半導体素子収納用パッケージの断面図である。
【図２】本発明の一実施形態としての接続パッドの拡大断面図である。
【図３】図２に示す接続パッドを下側から見た状態の平面図である。
【図４】パッドの表面にろう材（ハンダ）を接合した状態を示す拡大断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
本発明の配線基板の一実施形態について説明する。
【００１７】
図１は、本発明の配線基板を使用した半導体素子収納用パッケージの概略断面図である。図２は、本発明の配線基板の一実施形態として、外部回路基板など外部の回路と接続するための導体層であるパッドの拡大断面図である。図３は、図２に示すパッドを下側から見た状態を示す平面図である。図４は、パッドの表面にろう材（ハンダ）を接合した状態を示す拡大断面図である。
【００１８】
本発明の配線基板は、ガラスセラミックスからなる絶縁基板１と、この絶縁基板１の表面に設けられた導体層３とを具備するものである。また、絶縁基板１は、表面に形成された導体層３の他に、その絶縁基板１の内部に、貫通導体５を有しており、絶縁基板１の表面（図１では下面に対応）に設けられた導体層３は、貫通導体５と接続されて、例えば、外部回路基板など外部の回路と接続するためのパッドを形成している。以下、ここでいう導体層３とはパッドを意味するものである。
【００１９】
また、本発明の配線基板は、絶縁基板１の収納部１ａに半導体素子等の電子部品７がガラス、樹脂およびろう材などから選ばれる１種の接着剤を介して固定されており、電子部品７は、導体層３にボンディングワイヤ８を介して電気的に接続されている。また、絶縁基板１の上面には蓋体９がガラス、樹脂、金属およびろう材などから選ばれる１種の封止材を介して接合されており、絶縁基板１と蓋体９とからなる容器の内部に半導体素子等の電子部品７を気密に収納し、配線基板の下層側の導体層３にハンダ１０を接合することによって電子部品実装基板の一例である半導体素子収納用パッケージが完成する。
【００２０】
本発明の配線基板は、導体層３が、銅または銀とガラスを主成分とする接合強化剤とが焼結してなる基礎導体層３ａと、該基礎導体層３ａの表面に一部が埋設された状態で点在する、前記基礎導体層と同一の金属からなる金属粒子３ｂとを具備していることを特徴とする。
【００２１】
このような構成によれば、導体層３が、絶縁基板１側に銅または銀と接合強化剤とを焼結してなる基礎導体層３ａを有するものであることから、基礎導体層３ａに含まれる接合強化剤がガラスセラミックスと反応して反応層を形成することにより、基礎導体層３ａとガラスセラミックスからなる絶縁基板１との接合強度を高めることができる。
【００２２】
また、かかる導体層３は、基礎導体層３ａの表面に一部が埋設された状態で基礎導体層３ａと同一の金属からなる金属粒子３ｂが点在した構造となっており、基礎導体層３ａの金属と金属粒子３ｂの金属とを同じ金属とすることで、導体層３の表面に付与される金属めっき層やろう材との接着性を高めることができる。
【００２３】
さらに、この導体層３においては、上記のように、基礎導体層３ｂの表面に一部が埋設された状態で金属粒子３ｂが点在した構造となっているため、基礎導体層３ａの表面側のほぼ全面に導体層が膜状に形成された場合に比較して温度変化によって起こる金属粒子の歪量が小さくなる。このため配線基板に対して温度サイクル試験などの信頼性評価を行った場合においても絶縁基板１と基礎導体層３ｂとの接合界面の剥がれを抑制できる。このことから基礎導体層３ｂと絶縁基板１であるガラスセラミックスとの接合強度の低下を小さくでき、これによりガラスセラミックスからなる絶縁基板１と基礎導体層３ｂとの接合性および金属粒子３ｂと金属めっき層やろう材との接着性を長期間に亘って良好に維持できる。これにより、温度サイクル試験後においてもハンダのボールプル強度の低下の少ない配線基板を得ることができる。
【００２４】
配線基板を構成するガラスセラミックスからなる絶縁基板１は、銅や銀の融点以下の温度で焼結可能な組成を有するガラスセラミックス材料からなるものである。
【００２５】
具体的には、ガラス粉末とセラミック粉末の原料粉末とを含むグリーンシートを焼結させたものであり、結晶相とガラス相とを有している。結晶相として、絶縁性および強度（ハンダのボールプル強度）の点で、ディオプサイド、セルシアン、コージェライト、アノーサイトが析出しているものが望ましい。
【００２６】
なお、本明細書中、”ガラスセラミックス”というのは、非晶質のガラス粉末と結晶性のセラミックスの粉末とを混合し焼成したもの、あるいは結晶性のガラスあるいはセラミックス、の両方含めた意味で用いる。
【００２７】
導体層３を構成する基礎導体層３は、銅または銀を主成分とし、これにガラスを主成分とする接合強化剤を含ませて焼結してなるものである。接合強化剤としては、ガラスセラミックスからなる絶縁基板の成分を含み焼結温度でガラスセラミックスとの間にアンカー効果による接着性向上が見られるガラス材料を選択することが好ましく、好適には、ガラスセラミックスからなる絶縁基板を形成するガラスや、このガラスにアルミナ，クオーツ，エンスタタイト，コージエライトおよびムライト等の無機フィラーを含ませたものが使用可能である。
【００２８】
この場合、ガラス材料としては、ガラスセラミックスからなる絶縁基板との反応性が高く、ガラスセラミックスからなる絶縁基板との同時焼成時の焼成収縮開始温度および焼成収縮終了温度が近く軟化温度が±５０℃以内を示すものが好適であり、その組成は、ＳｉＯ２が５０〜６０質量％、Ｂ２Ｏ３が５〜１０質量％、Ａｌ２Ｏ３が５〜１０質量％であり、残部に、ＢａＯ，ＳｒＯ，ＣａＯおよびＭｇＯ等のアルカリ土類金属酸化物を含むものが好ましい。
【００２９】
そして、基礎導体層３ａの組成としては、銅または銀を１００質量％としたときに、ガラスが２〜５質量％、および無機フィラーが０〜２質量％であるのがよい。ガラスが２質量％以下という下限は、前述のアンカー効果およびケミカルボンドが期待できる最低限の量としての観点から決定されたものである。５質量％という上限は、焼成後の導体層３の体積固有抵抗が銅または銀本来のそれに近く、充分に低くなるようにとの観点から決定されたものである。
【００３０】
また、ガラスおよび無機フィラーを上記範囲にすることにより基礎導体層３ａと金属粒子３ｂとの接合性を高められると同時に、導体層３の表面に最終的に形成される金属めっき層やろう材との密着性をも高められるという利点がある。
【００３１】
さらに、本発明における接合強化剤には、上記のようなガラスセラミックスと反応して反応層を形成でき、これにより銅または銀とガラスセラミックスとの接着性を向上させる効果のあるチタン、酸化チタン、クロム、酸化クロム、マンガン、二酸化マンガン等も使用可能である。
【００３２】
焼成後の導体層３の体積固有抵抗を出来る限り低くするためには、接合強化剤の添加量は、できるだけ少量に抑えることが好ましい。従って、添加量が少なくても前述のアンカー効果およびケミカルボンドが期待できるように、接合強化剤の平均粒径は５μｍ以下とすることが望ましい。
【００３３】
上述の基礎導体層３ａは、銅粉末または銀粉末と、接合強化剤となる他の成分粉末とを含んだペーストを印刷して所定のパターンを形成し焼成することで形成する。この場合、銅粉末、銀粉末およびガラスを主成分とする接合強化剤となる他の成分粉末の平均粒径は、ガラスセラミックスとの焼成収縮整合の点から１〜６μｍが望ましい。
【００３４】
また、本発明の配線基板は、該基礎導体層３ａの表面に一部が埋設された状態で点在する金属粒子３ｂとを具備している。
【００３５】
金属粒子３ｂは、基礎導体層３ａとなるパターンを形成した後、このパターン上に、これも金属粒子３ｂを含むペーストを印刷して形成される。この場合、金属粒子３ｂは、基礎導体層３ａとなるパターン上に、金属粒子３ｂを含むペーストを印刷した後、加圧処理を行い、金属粒子３ｂを基礎導体層３ａとなるパターン中に一部埋設させることにより形成する。この場合、金属粒子３ｂを基礎導体層３ｂ中で接触せずに互いにほぼ等間隔をおいて存在させるために、所定の間隔で開口されたメッシュを用いるのがよい。
【００３６】
ここで、金属粒子３ｂを形成するために用いるペーストは、実質的に無機成分として金属粒子３ｂとなる金属粉末以外は含まないものがよい。実質的に無機成分を含有しないペーストを用いることにより、金属粒子３ｂを形成するために用いるペースト中に含まれる金属粉末同士が焼結して、基礎導体層３ｂに一部埋設された状態で点在する金属粒子３ｂを形成することができるからである。
【００３７】
また、金属粒子３ｂの形状は、球状または不定形のいずれでもよく、さらに、金属粒子３ｂの表面に微少な凹みを有するものであってもよい。金属粒子３ｂの表面に微少な凹みが形成されていると、この金属粒子３ｂの表面に形成される金属めっき層やろう材がこの凹みに入り込み両材料の接着性をさらに高められるという利点がある。
【００３８】
また、金属粒子３ｂとなる金属粉末の平均粒径は、基礎導体層３ａを形成するために用いる金属粉末と同等かもしくはわずかに大きいものを用いるのがよく、１〜８μｍの範囲ものを用いることが望ましい。金属粉末として平均粒径が小さいものは、実質的に無機成分を含有しない金属粉末同士が焼結して表面に微少な凹みを無数有する金属粒子３ｂが形成され、一方、金属粉末の平均粒径が大きいものは、サイズの大きい金属粉末が基礎導体層３ｂ中に単独で残るようになり、金属粒子３ｂが基礎導体層３ａに一部が埋設された状態で点在するようになる。
【００３９】
金属粒子３ｂは、導体層３を平面視したときに、基礎導体層３ａの表面の面積に対する金属粒子３ｂの占める面積の割合が２０〜８０％であることが望ましい。
【００４０】
導体層３を平面視したときに、基礎導体層３ａの表面の面積に対する金属粒子３ｂの占める面積の割合が２０〜８０％であると、絶縁基板１上に形成した導体層３のボールプル強度の初期値に対する温度サイクル試験後の割合を９７．５％以上に維持できるという利点がある。
【００４１】
この場合、基礎導体層３ａに、一部埋設された金属粒子３ｂは、金属粒子３ｂ同士が基礎導体層３ａ中で接触せずに互いにほぼ等間隔をおいて存在していることが望ましい。
【００４２】
また、金属粒子３ｂのサイズは、導体層３が円形である場合、導体層３の直径の１／２０〜１／５が好ましい。金属粒子３ｂのサイズが、導体層３の直径の１／２０〜１／５であると、金属粒子３ｂ同士が基礎導体層３上において接触しにくく、また、導体層３の最上層の表面の凹凸を小さくできるという利点がある。
【００４３】
また、本発明の配線基板では、金属粒子３ｂの層のさらに外側に、適宜、金めっき層（特に、置換金めっき層）を設けてもよく、さらには、導体層３にピンの取り付ける場合は、ろう材（例えば、ＡｕＳｎ）を用いて行う。この場合、金めっき層はろう材中に溶け込んでしまい、事実上存在しなくなることが多い。
【００４４】
上述の配線基板を作製する方法としては、導体層３の形成しやすさ、取扱いの容易さなどからグリーンシート法を用いるのが望ましい。
【００４５】
グリーンシートは、原料粉末と樹脂、溶剤等を混合撹拌して得たスラリーを脱気した後、グリーンシート作製機によって作製される。この方法においては、スラリーの粘度及びドクターブレードの間隙等の調整によってグリーンシートの厚さを変えることが可能であるが、割れ等のないシートを作るためにシートの厚さは１００〜５００μｍが望ましい。このシートを用途に応じて、穴明け、導体ペースト充填、配線、パターンを印刷した後、複数枚積層し、焼成する。上述の基礎導体層３ａ、金属粒子３ｂの層となるパターンを、この焼成前に印刷しておく。また、積層に際しては、金属粒子３ｂを外側に位置させるような向きで積層する。
【００４６】
焼成雰囲気としては、導体層３に銅を用いる場合には、導体が酸化せず、樹脂が飛散除去される非酸化性雰囲気もしくは真空中が望ましい。導体層３に銀を用いる場合には、大気中または酸素濃度が大気雰囲気に近い酸化性雰囲気が望ましい。雰囲気圧は、通常、常圧でよいが、必要に応じて加圧してもよい。焼成温度は、９００〜１０５０℃とするのがよく、焼結時間は、通常０．５〜３時間とするのがよい。また焼成時、通常、積層基板を加圧しないが、必要に応じて加圧焼成してもよい。
【００４７】
本発明の配線基板は、ガラスセラミックスからなる絶縁基板側に位置する基礎導体層３ｂは、銅または銀以外に、ガラスを主成分とする接合強化剤を含み、さらに、アルミナ、ムライト、チタン、酸化チタン、クロム、酸化クロム、マンガン、二酸化マンガン等の無機フィラーを含むため、アンカー効果およびケミカルボンド等によって絶縁基板であるガラスセラミックスとの接着性が良好である。
【００４８】
一方、外側に位置する金属粒子３ｂは、実質的に無機成分を含有しないペーストを用いて焼成を行うため、基礎導体層３ｂの表面に一部が埋設された状態で点在する金属粒子３ｂを形成することができる。そのため、金属めっき層との接着性、ろう材との接着性がともに良好となるのである。
【００４９】
これらの２つの層（基礎導体層３ａと金属粒子３ｂ）はどちらも銅または銀が主成分であり、また、銅または銀の融点に近い温度で焼成するため、両層間の接着性は極めて良好である。
【００５０】
本発明の電子部品実装基板は、上述したように、半導体素子収納用パッケージに代表されるものであり、配線基板と、該配線基板に実装された電子部品とを有することを特徴とする。電子部品実装基板を構成する配線基板が、上記した本発明の配線基板であると、配線基板に半導体素子６などの電子部品を搭載して実際に長期間使用した場合においても、絶縁基板１と導体層３との接合界面の剥がれを抑制できることから、信頼性に優れた電子部品実装基板を得ることができる。なお、電子部品としては、能動素子の代表例である半導体素子の他に、コンデンサ、圧電素子、受光素子などの受動素子を実装可能である。
【実施例】
【００５１】
本発明の配線基板について実装信頼性を評価するために、評価基板を作製した。この評価基板は、幅３０ｍｍ×３０ｍｍ、厚み１．０mｍのガラスセラミックスからなる絶縁層を複数積層して形成した絶縁基板の表面に、直径が０．１２mmの導体層を形成し、この導体層をパッドとしたものである。
【００５２】
以下に、評価基板の製造方法について示す。
【００５３】
まず、絶縁基板を構成するグリーンシートを作製した。ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｂ２Ｏ３、ＢａＯ、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＺｎＯを含むガラス粉末、クォーツ粉末、およびＣａＺｒＯ３粉末を準備し、ガラス粉末を５７質量％、クォーツ粉末を４０質量％、ＣａＺｒＯ２粉末を３質量％秤量し、有機バインダー、可塑剤を添加して、ガラスセラミック組成物用スラリーを調製した。
【００５４】
次に、このガラスセラミック組成物用スラリーをドクターブレード法により成形して、２００ｍｍ×２００ｍｍ、厚み１２５μmのグリーンシートを作製した。ここで、グリーンシートにはパンチングにより直径１２０μmのスルーホールを形成した。
【００５５】
パッドの基礎導体層を形成するために、金属粉末として銅または銀を、接合強化剤として、グリーンシートに用いたのと同じガラス粉末を、有機バインダとしてアクリル樹脂を、また、有機バインダを溶解させる溶媒としてジブチルプタレートを、可塑剤としてそれぞれ準備した。次いで、銅粉末または銀粉末１００質量部に対して、ガラス粉末を５質量部添加し、これに有機バインダを１５質量部添加し、溶剤を混ぜて混錬することで、主成分として銅または銀を含む導体ペーストを作製した。この方法で作製した導体ペーストをスクリーン印刷法により、グリーンシートに形成したビアホールへ充填するとともに、表面に印刷塗布を行なった。銅粉末および銀粉末は平均粒径が２μｍのものを用いた。ガラス粉末は平均粒径が１μｍのものを用いた。なお、比較例として、基礎導体層を形成する導体ペーストとしてガラス粉末を添加しない導体ペーストを用いたものも作製した。
【００５６】
次に、導体層における金属粒子の部分を形成するための第２導体ペーストは、基礎導体層側のパターンを形成するために調製した導体ペーストからガラス粉末を添加しないで調製したものを準備した。
【００５７】
次に、グリーンシートの表面に形成した導体ペーストの上に、金属粒子を形成するための第２の導体パターンをスクリーン印刷法を用いて形成し、次に、加圧処理により第２導体パターンの金属粒子をその下方にある導体パターン中に一部（例えば、直径の半分程度）
を埋設させた。基礎導体層を形成するための導体パターンの面積に対する金属粒子となる第２導体パターンの面積比率は、スクリーンに開口している孔の数を変化させて調整した。
【００５８】
なお、基礎導体層となる導体パターンの直径は約１０００μｍとし、印刷厚みは約２０μｍとした。また、金属粒子となる第２導体パターンの直径は約８０μｍとし、印刷厚みは１０μｍとした。グリーンシートの表面に形成した基礎導体層を形成するための導体パターンの数は一つの評価基板において１００個とした。
【００５９】
こうして得られた導体層となる導体パターンを形成したグリーンシートを最表面に配置したグリーンシート積層体を作製した。グリーンシートの積層数は１０層とした。この時、グリーンシート間に接着剤を均一に塗布し、４０℃、２０ＭＰａの条件で加圧積層を行った。
【００６０】
続いて、これらのグリーンシート積層体を酸化アルミニウム質焼結体の台板上に載置して有機バインダ等の有機成分を分解除去するために、窒素雰囲気中、７５０℃で加熱処理した後、窒素雰囲気中、９００℃で１時間焼成を行って評価基板を作製した。
【００６１】
焼成後に得られた評価基板のうち、一部の評価基板には、導体層にめっき層として、ニッケルを約３〜５μｍ、金を約０．１〜０．５μｍの厚さで順次被着させた。
【００６２】
このようにして得られた評価基板の導体層の直径はφ０．８ｍｍであり、導体層に存在する金属粒子の面積比率は表１に示す比率になっていることを実体顕微鏡（倍率：１００倍）を用いて写真撮影し、その写真を画像解析装置にかけて基礎導体層の表面の面積および金属粒子の面積を算出して面積比率を求めた。
【００６３】
なお、焼成後に得られた評価基板に形成された導体層上の金属粒子の表面には、金属粒子の最大径の１／５０〜１／２００程度の直径を有する凹みが無数に形成されていた。
【００６４】
また、評価基板を厚み方向に切断した断面を研磨して導体層の断面を、元素分析装置を備えた電子顕微鏡により分析したところ、基礎導体層と絶縁基板との界面を含む基礎導体層の内部には銅または銀とともに添加したガラスが存在していることが確認された。さらに、金属粒子はその断面から見た形状が不定形であり、また、金属粒子の表面の微少な凹みには金属めっき層が入り込んでいることを確認できた。
【００６５】
次に、金属めっき層を形成した評価基板の導体層上に、直径が０．８μｍの半田ボール（鉛：６４モル／錫：３４モル）を設け、半田ボールの一部が溶融する温度に加熱して半田ボールを導体層に接合して、ボールプル強度試験用の評価基板を作製した。
【００６６】
そして、作製したボールプル強度試験用の評価基板のうち約半数について温度サイクル試験（温度：−５５〜１２５℃、下限温度および上限温度での保持時間：３０分、−５５から１２５℃までの昇降温の時間を１５分、サイクル数：１０００回）を行った。
【００６７】
ボールプル強度試験は、温度サイクル試験を行う前と温度サイクル試験後にそれぞれ測定し、１００個の評価基板の平均値として求めた。このとき、ボールプル強度試験は、測定機としてボンドテスター４０００を用い、チャック治具はＪＡＷ０．８０ＤＩＡ、チャック圧は１．５ｂａｒ、保持時間２ｓ、スピード８３μｍ／ｓで測定した。また、このボールプル強度の測定試料の破壊モードを１０倍の顕微鏡を用いて確認した。この結果を表１に示す。
【００６８】
【表１】
【００６９】
表１の結果から明らかなように、本発明範囲内の試料（試料Ｎｏ．２〜１０，１３〜２１，２４〜３２）では、ボールプル強度の初期値が７．８ｋｇ／ｍｍ２以上であり、温度サイクル試験後のボールプル強度が初期値に対して８７．５％以上であり、また、破壊モードがいずれもハンダボールの破壊となっており、金属粒子と金属めっき層間の剥がれが無く、基礎導体層と絶縁基板であるガラスセラミックスからなる絶縁基板との接合強度の低下の小さいものであった。
【００７０】
特に、平面視したときの基礎導体層の表面の面積に対する金属粒子の面積の割合が２０〜８０％である試料（試料Ｎｏ．３〜９，１４〜２０，２５〜３１）では、温度サイクル試験後のボールプル強度が初期値に対して、９７．５％以上であった。
【００７１】
これに対して、導体層に金属粒子を形成しなかった試料（試料Ｎｏ．１，１２および２３）では、ボールプル強度の初期値が６．１ｋｇ／ｍｍ２以下であり、ボールプル強度試験後の破壊モードがハンダとパッド間の破壊となっていた。また、金属粒子の面積比率を１００％とした試料（試料Ｎｏ．１１，２２および３３）では、温度サイクル試験後のボールプル強度が初期値に対して、３７．５％以下であった。また、基礎導体層を形成する導体ペーストとしてガラス粉末を添加しないものを用いて作製した評価基板では、ボールプル強度の初期値が５．１ｋｇ／ｍｍ２であり、上記条件の温度サイクル試験後に基礎導体層とガラスセラミックスからなる絶縁基板との界面で一部剥がれが見られた。
【符号の説明】
【００７２】
１・・・・絶縁基板
１ａ・・・収納部
３・・・・導体層
３ａ・・・基礎導体層
３ｂ・・・金属粒子
５・・・・貫通導体
６・・・・パッド
７・・・・電子部品
８・・・・ボンディングワイヤ
９・・・・蓋体
１０・・・ハンダ
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子等の電子部品が実装され、電気信号の入出力のための接続端子が設けられて、機能モジュールを構成するのに好適な配線基板と、半導体素子等の電子部品が実装された電子部品実装基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
配線基板は、通常、絶縁層が複数層積層された絶縁基板の内部および表面に電気的に導通を取るための貫通導体や配線層が形成されている。このような配線基板では、表面に形成されている配線層のうち、半導体素子等の電子部品が実装されるか、あるいは外部回路基板など他の配線基板と接続され電気信号の入出力に寄与する接続端子が接合される部分はパッドとなっている。この場合、接続端子は、パッドに薄膜導体層や金属めっき層等を介してろう付けされている。
【０００３】
配線基板は、近年、半導体素子等の電子部品の高周波化や伝送信号の高速化に対応するために、配線層の低抵抗化が図られている。従来、配線基板は、絶縁基板としてアルミナを主成分とするものを用い、配線層にタングステンやモリブデンが用いられていたが、近年、これに代わり、配線層がタングステンやモリブデンよりも電気抵抗の低い銅や銀を主成分とするものに置き換えられ、それとともに絶縁基板はアルミナを主成分とするものから銅や銀等との同時焼成が可能なガラスセラミックスに置き換わってきている。
【０００４】
配線基板を構成する絶縁基板がガラスセラミックスにより形成されている場合、アルミナを絶縁基板とするものに比較して、配線層と絶縁基板との接合強度が低くなっていた。そのため、両者の接合性について様々な検討がなされ、接合性を改善するための技術が提案されてきた。
【０００５】
例えば、特許文献１には、絶縁基板の表面に形成される配線層を、厚み方向に２層構造とすることが示されている。この配線層は、絶縁基板側に、銅を主成分とし、アルミナなどの無機成分を接合強化剤として含ませた第１の導体層を配置し、この第１の導体層の表面側に、接合強化剤を含まないで銅を主成分とする第２の導体層とを層状に配置させた構造となっている。
【０００６】
そして、特許文献１では、第１の導体層に含まれるアルミナなどの無機成分が絶縁基板であるガラスセラミックスと反応して反応層を形成することによって、銅とガラスセラミックスとの接合強度が高まるものとされている。また、第１の導体層の表面側に形成された第２の導体層は、接合強化剤を含まないことから表面のほぼ全面に金属（銅）が露出しているため金属めっき層やろう財との接着性が向上するとともに、半導体素子等の電子部品や外部回路基板など他の配線基板との接続を行うための接続端子の接合も良好なものになる、と述べている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開平８−１８１４４１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上述のように、特許文献１に開示されたようなパッドの構造では、絶縁基板側に配置された第１の導体層に対して、第１の導体層の表面側のほぼ全面に第２の導体層を形成した構造とすることで、第１の導体層と絶縁基板であるガラスセラミックスとの接合強度および第２の導体層と金属めっき層やろう材との接着性を初期の段階でいずれも良好な強度になる。
【０００９】
ところが、このような配線基板に対して温度サイクル試験などの信頼性評価を行った場合、絶縁基板と第２の導体層との熱膨張係数が大きく異なることに起因して、第１の導体層の表面側のほぼ全面に形成された第２の導体層の歪量が大きいことから絶縁基板と第１の導体層との接合界面が剥がれやすくなるために、第１の導体層と絶縁基板であるガラスセラミックスとの接合強度が大きく低下するという問題があった。
【００１０】
従って、本発明は、ガラスセラミックスからなる絶縁基板と導体層との接合性を長期間に亘って良好に維持できるとともに、金属めっき層やろう財との接着性に優れた配線基板と、これに搭載された電子部品を具備して構成される電子部品実装基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の配線基板は、ガラスセラミックスからなる絶縁基板と、該絶縁基板の表面に設けられた導体層とを具備する配線基板であって、前記導体層が、銅または銀とガラスを主成分とする接合強化剤とが焼結してなる基礎導体層と、該基礎導体層の表面に一部が埋設された状態で点在する、前記基礎導体層と同一の金属からなる金属粒子とを具備していることを特徴とする。
【００１２】
また、本発明の配線基板では、平面視したときの前記基礎導体層の表面の面積に対する前記金属粒子が占める面積の割合が、２０〜８０％であることが望ましい。
【００１３】
本発明の電子部品実装基板は、上記の配線基板と、該配線基板に実装された電子部品とを有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、ガラスセラミックスからなる絶縁基板と導体層との接合性を長期間に亘って良好に維持できるとともに、金属めっき層やろう材との接着性に優れた配線基板を提供することができる。また、この配線基板に電子部品を実装した電子部品実装基板は、信頼性に優れたものにすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の配線基板を含む半導体素子収納用パッケージの断面図である。
【図２】本発明の一実施形態としての接続パッドの拡大断面図である。
【図３】図２に示す接続パッドを下側から見た状態の平面図である。
【図４】パッドの表面にろう材（ハンダ）を接合した状態を示す拡大断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
本発明の配線基板の一実施形態について説明する。
【００１７】
図１は、本発明の配線基板を使用した半導体素子収納用パッケージの概略断面図である。図２は、本発明の配線基板の一実施形態として、外部回路基板など外部の回路と接続するための導体層であるパッドの拡大断面図である。図３は、図２に示すパッドを下側から見た状態を示す平面図である。図４は、パッドの表面にろう材（ハンダ）を接合した状態を示す拡大断面図である。
【００１８】
本発明の配線基板は、ガラスセラミックスからなる絶縁基板１と、この絶縁基板１の表面に設けられた導体層３とを具備するものである。また、絶縁基板１は、表面に形成された導体層３の他に、その絶縁基板１の内部に、貫通導体５を有しており、絶縁基板１の表面（図１では下面に対応）に設けられた導体層３は、貫通導体５と接続されて、例えば、外部回路基板など外部の回路と接続するためのパッドを形成している。以下、ここでいう導体層３とはパッドを意味するものである。
【００１９】
また、本発明の配線基板は、絶縁基板１の収納部１ａに半導体素子等の電子部品７がガラス、樹脂およびろう材などから選ばれる１種の接着剤を介して固定されており、電子部品７は、導体層３にボンディングワイヤ８を介して電気的に接続されている。また、絶縁基板１の上面には蓋体９がガラス、樹脂、金属およびろう材などから選ばれる１種の封止材を介して接合されており、絶縁基板１と蓋体９とからなる容器の内部に半導体素子等の電子部品７を気密に収納し、配線基板の下層側の導体層３にハンダ１０を接合することによって電子部品実装基板の一例である半導体素子収納用パッケージが完成する。
【００２０】
本発明の配線基板は、導体層３が、銅または銀とガラスを主成分とする接合強化剤とが焼結してなる基礎導体層３ａと、該基礎導体層３ａの表面に一部が埋設された状態で点在する、前記基礎導体層と同一の金属からなる金属粒子３ｂとを具備していることを特徴とする。
【００２１】
このような構成によれば、導体層３が、絶縁基板１側に銅または銀と接合強化剤とを焼結してなる基礎導体層３ａを有するものであることから、基礎導体層３ａに含まれる接合強化剤がガラスセラミックスと反応して反応層を形成することにより、基礎導体層３ａとガラスセラミックスからなる絶縁基板１との接合強度を高めることができる。
【００２２】
また、かかる導体層３は、基礎導体層３ａの表面に一部が埋設された状態で基礎導体層３ａと同一の金属からなる金属粒子３ｂが点在した構造となっており、基礎導体層３ａの金属と金属粒子３ｂの金属とを同じ金属とすることで、導体層３の表面に付与される金属めっき層やろう材との接着性を高めることができる。
【００２３】
さらに、この導体層３においては、上記のように、基礎導体層３ｂの表面に一部が埋設された状態で金属粒子３ｂが点在した構造となっているため、基礎導体層３ａの表面側のほぼ全面に導体層が膜状に形成された場合に比較して温度変化によって起こる金属粒子の歪量が小さくなる。このため配線基板に対して温度サイクル試験などの信頼性評価を行った場合においても絶縁基板１と基礎導体層３ｂとの接合界面の剥がれを抑制できる。このことから基礎導体層３ｂと絶縁基板１であるガラスセラミックスとの接合強度の低下を小さくでき、これによりガラスセラミックスからなる絶縁基板１と基礎導体層３ｂとの接合性および金属粒子３ｂと金属めっき層やろう材との接着性を長期間に亘って良好に維持できる。これにより、温度サイクル試験後においてもハンダのボールプル強度の低下の少ない配線基板を得ることができる。
【００２４】
配線基板を構成するガラスセラミックスからなる絶縁基板１は、銅や銀の融点以下の温度で焼結可能な組成を有するガラスセラミックス材料からなるものである。
【００２５】
具体的には、ガラス粉末とセラミック粉末の原料粉末とを含むグリーンシートを焼結させたものであり、結晶相とガラス相とを有している。結晶相として、絶縁性および強度（ハンダのボールプル強度）の点で、ディオプサイド、セルシアン、コージェライト、アノーサイトが析出しているものが望ましい。
【００２６】
なお、本明細書中、”ガラスセラミックス”というのは、非晶質のガラス粉末と結晶性のセラミックスの粉末とを混合し焼成したもの、あるいは結晶性のガラスあるいはセラミックス、の両方含めた意味で用いる。
【００２７】
導体層３を構成する基礎導体層３は、銅または銀を主成分とし、これにガラスを主成分とする接合強化剤を含ませて焼結してなるものである。接合強化剤としては、ガラスセラミックスからなる絶縁基板の成分を含み焼結温度でガラスセラミックスとの間にアンカー効果による接着性向上が見られるガラス材料を選択することが好ましく、好適には、ガラスセラミックスからなる絶縁基板を形成するガラスや、このガラスにアルミナ，クオーツ，エンスタタイト，コージエライトおよびムライト等の無機フィラーを含ませたものが使用可能である。
【００２８】
この場合、ガラス材料としては、ガラスセラミックスからなる絶縁基板との反応性が高く、ガラスセラミックスからなる絶縁基板との同時焼成時の焼成収縮開始温度および焼成収縮終了温度が近く軟化温度が±５０℃以内を示すものが好適であり、その組成は、ＳｉＯ２が５０〜６０質量％、Ｂ２Ｏ３が５〜１０質量％、Ａｌ２Ｏ３が５〜１０質量％であり、残部に、ＢａＯ，ＳｒＯ，ＣａＯおよびＭｇＯ等のアルカリ土類金属酸化物を含むものが好ましい。
【００２９】
そして、基礎導体層３ａの組成としては、銅または銀を１００質量％としたときに、ガラスが２〜５質量％、および無機フィラーが０〜２質量％であるのがよい。ガラスが２質量％以下という下限は、前述のアンカー効果およびケミカルボンドが期待できる最低限の量としての観点から決定されたものである。５質量％という上限は、焼成後の導体層３の体積固有抵抗が銅または銀本来のそれに近く、充分に低くなるようにとの観点から決定されたものである。
【００３０】
また、ガラスおよび無機フィラーを上記範囲にすることにより基礎導体層３ａと金属粒子３ｂとの接合性を高められると同時に、導体層３の表面に最終的に形成される金属めっき層やろう材との密着性をも高められるという利点がある。
【００３１】
さらに、本発明における接合強化剤には、上記のようなガラスセラミックスと反応して反応層を形成でき、これにより銅または銀とガラスセラミックスとの接着性を向上させる効果のあるチタン、酸化チタン、クロム、酸化クロム、マンガン、二酸化マンガン等も使用可能である。
【００３２】
焼成後の導体層３の体積固有抵抗を出来る限り低くするためには、接合強化剤の添加量は、できるだけ少量に抑えることが好ましい。従って、添加量が少なくても前述のアンカー効果およびケミカルボンドが期待できるように、接合強化剤の平均粒径は５μｍ以下とすることが望ましい。
【００３３】
上述の基礎導体層３ａは、銅粉末または銀粉末と、接合強化剤となる他の成分粉末とを含んだペーストを印刷して所定のパターンを形成し焼成することで形成する。この場合、銅粉末、銀粉末およびガラスを主成分とする接合強化剤となる他の成分粉末の平均粒径は、ガラスセラミックスとの焼成収縮整合の点から１〜６μｍが望ましい。
【００３４】
また、本発明の配線基板は、該基礎導体層３ａの表面に一部が埋設された状態で点在する金属粒子３ｂとを具備している。
【００３５】
金属粒子３ｂは、基礎導体層３ａとなるパターンを形成した後、このパターン上に、これも金属粒子３ｂを含むペーストを印刷して形成される。この場合、金属粒子３ｂは、基礎導体層３ａとなるパターン上に、金属粒子３ｂを含むペーストを印刷した後、加圧処理を行い、金属粒子３ｂを基礎導体層３ａとなるパターン中に一部埋設させることにより形成する。この場合、金属粒子３ｂを基礎導体層３ｂ中で接触せずに互いにほぼ等間隔をおいて存在させるために、所定の間隔で開口されたメッシュを用いるのがよい。
【００３６】
ここで、金属粒子３ｂを形成するために用いるペーストは、実質的に無機成分として金属粒子３ｂとなる金属粉末以外は含まないものがよい。実質的に無機成分を含有しないペーストを用いることにより、金属粒子３ｂを形成するために用いるペースト中に含まれる金属粉末同士が焼結して、基礎導体層３ｂに一部埋設された状態で点在する金属粒子３ｂを形成することができるからである。
【００３７】
また、金属粒子３ｂの形状は、球状または不定形のいずれでもよく、さらに、金属粒子３ｂの表面に微少な凹みを有するものであってもよい。金属粒子３ｂの表面に微少な凹みが形成されていると、この金属粒子３ｂの表面に形成される金属めっき層やろう材がこの凹みに入り込み両材料の接着性をさらに高められるという利点がある。
【００３８】
また、金属粒子３ｂとなる金属粉末の平均粒径は、基礎導体層３ａを形成するために用いる金属粉末と同等かもしくはわずかに大きいものを用いるのがよく、１〜８μｍの範囲ものを用いることが望ましい。金属粉末として平均粒径が小さいものは、実質的に無機成分を含有しない金属粉末同士が焼結して表面に微少な凹みを無数有する金属粒子３ｂが形成され、一方、金属粉末の平均粒径が大きいものは、サイズの大きい金属粉末が基礎導体層３ｂ中に単独で残るようになり、金属粒子３ｂが基礎導体層３ａに一部が埋設された状態で点在するようになる。
【００３９】
金属粒子３ｂは、導体層３を平面視したときに、基礎導体層３ａの表面の面積に対する金属粒子３ｂの占める面積の割合が２０〜８０％であることが望ましい。
【００４０】
導体層３を平面視したときに、基礎導体層３ａの表面の面積に対する金属粒子３ｂの占める面積の割合が２０〜８０％であると、絶縁基板１上に形成した導体層３のボールプル強度の初期値に対する温度サイクル試験後の割合を９７．５％以上に維持できるという利点がある。
【００４１】
この場合、基礎導体層３ａに、一部埋設された金属粒子３ｂは、金属粒子３ｂ同士が基礎導体層３ａ中で接触せずに互いにほぼ等間隔をおいて存在していることが望ましい。
【００４２】
また、金属粒子３ｂのサイズは、導体層３が円形である場合、導体層３の直径の１／２０〜１／５が好ましい。金属粒子３ｂのサイズが、導体層３の直径の１／２０〜１／５であると、金属粒子３ｂ同士が基礎導体層３上において接触しにくく、また、導体層３の最上層の表面の凹凸を小さくできるという利点がある。
【００４３】
また、本発明の配線基板では、金属粒子３ｂの層のさらに外側に、適宜、金めっき層（特に、置換金めっき層）を設けてもよく、さらには、導体層３にピンの取り付ける場合は、ろう材（例えば、ＡｕＳｎ）を用いて行う。この場合、金めっき層はろう材中に溶け込んでしまい、事実上存在しなくなることが多い。
【００４４】
上述の配線基板を作製する方法としては、導体層３の形成しやすさ、取扱いの容易さなどからグリーンシート法を用いるのが望ましい。
【００４５】
グリーンシートは、原料粉末と樹脂、溶剤等を混合撹拌して得たスラリーを脱気した後、グリーンシート作製機によって作製される。この方法においては、スラリーの粘度及びドクターブレードの間隙等の調整によってグリーンシートの厚さを変えることが可能であるが、割れ等のないシートを作るためにシートの厚さは１００〜５００μｍが望ましい。このシートを用途に応じて、穴明け、導体ペースト充填、配線、パターンを印刷した後、複数枚積層し、焼成する。上述の基礎導体層３ａ、金属粒子３ｂの層となるパターンを、この焼成前に印刷しておく。また、積層に際しては、金属粒子３ｂを外側に位置させるような向きで積層する。
【００４６】
焼成雰囲気としては、導体層３に銅を用いる場合には、導体が酸化せず、樹脂が飛散除去される非酸化性雰囲気もしくは真空中が望ましい。導体層３に銀を用いる場合には、大気中または酸素濃度が大気雰囲気に近い酸化性雰囲気が望ましい。雰囲気圧は、通常、常圧でよいが、必要に応じて加圧してもよい。焼成温度は、９００〜１０５０℃とするのがよく、焼結時間は、通常０．５〜３時間とするのがよい。また焼成時、通常、積層基板を加圧しないが、必要に応じて加圧焼成してもよい。
【００４７】
本発明の配線基板は、ガラスセラミックスからなる絶縁基板側に位置する基礎導体層３ｂは、銅または銀以外に、ガラスを主成分とする接合強化剤を含み、さらに、アルミナ、ムライト、チタン、酸化チタン、クロム、酸化クロム、マンガン、二酸化マンガン等の無機フィラーを含むため、アンカー効果およびケミカルボンド等によって絶縁基板であるガラスセラミックスとの接着性が良好である。
【００４８】
一方、外側に位置する金属粒子３ｂは、実質的に無機成分を含有しないペーストを用いて焼成を行うため、基礎導体層３ｂの表面に一部が埋設された状態で点在する金属粒子３ｂを形成することができる。そのため、金属めっき層との接着性、ろう材との接着性がともに良好となるのである。
【００４９】
これらの２つの層（基礎導体層３ａと金属粒子３ｂ）はどちらも銅または銀が主成分であり、また、銅または銀の融点に近い温度で焼成するため、両層間の接着性は極めて良好である。
【００５０】
本発明の電子部品実装基板は、上述したように、半導体素子収納用パッケージに代表されるものであり、配線基板と、該配線基板に実装された電子部品とを有することを特徴とする。電子部品実装基板を構成する配線基板が、上記した本発明の配線基板であると、配線基板に半導体素子６などの電子部品を搭載して実際に長期間使用した場合においても、絶縁基板１と導体層３との接合界面の剥がれを抑制できることから、信頼性に優れた電子部品実装基板を得ることができる。なお、電子部品としては、能動素子の代表例である半導体素子の他に、コンデンサ、圧電素子、受光素子などの受動素子を実装可能である。
【実施例】
【００５１】
本発明の配線基板について実装信頼性を評価するために、評価基板を作製した。この評価基板は、幅３０ｍｍ×３０ｍｍ、厚み１．０mｍのガラスセラミックスからなる絶縁層を複数積層して形成した絶縁基板の表面に、直径が０．１２mmの導体層を形成し、この導体層をパッドとしたものである。
【００５２】
以下に、評価基板の製造方法について示す。
【００５３】
まず、絶縁基板を構成するグリーンシートを作製した。ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｂ２Ｏ３、ＢａＯ、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＺｎＯを含むガラス粉末、クォーツ粉末、およびＣａＺｒＯ３粉末を準備し、ガラス粉末を５７質量％、クォーツ粉末を４０質量％、ＣａＺｒＯ２粉末を３質量％秤量し、有機バインダー、可塑剤を添加して、ガラスセラミック組成物用スラリーを調製した。
【００５４】
次に、このガラスセラミック組成物用スラリーをドクターブレード法により成形して、２００ｍｍ×２００ｍｍ、厚み１２５μmのグリーンシートを作製した。ここで、グリーンシートにはパンチングにより直径１２０μmのスルーホールを形成した。
【００５５】
パッドの基礎導体層を形成するために、金属粉末として銅または銀を、接合強化剤として、グリーンシートに用いたのと同じガラス粉末を、有機バインダとしてアクリル樹脂を、また、有機バインダを溶解させる溶媒としてジブチルプタレートを、可塑剤としてそれぞれ準備した。次いで、銅粉末または銀粉末１００質量部に対して、ガラス粉末を５質量部添加し、これに有機バインダを１５質量部添加し、溶剤を混ぜて混錬することで、主成分として銅または銀を含む導体ペーストを作製した。この方法で作製した導体ペーストをスクリーン印刷法により、グリーンシートに形成したビアホールへ充填するとともに、表面に印刷塗布を行なった。銅粉末および銀粉末は平均粒径が２μｍのものを用いた。ガラス粉末は平均粒径が１μｍのものを用いた。なお、比較例として、基礎導体層を形成する導体ペーストとしてガラス粉末を添加しない導体ペーストを用いたものも作製した。
【００５６】
次に、導体層における金属粒子の部分を形成するための第２導体ペーストは、基礎導体層側のパターンを形成するために調製した導体ペーストからガラス粉末を添加しないで調製したものを準備した。
【００５７】
次に、グリーンシートの表面に形成した導体ペーストの上に、金属粒子を形成するための第２の導体パターンをスクリーン印刷法を用いて形成し、次に、加圧処理により第２導体パターンの金属粒子をその下方にある導体パターン中に一部（例えば、直径の半分程度）
を埋設させた。基礎導体層を形成するための導体パターンの面積に対する金属粒子となる第２導体パターンの面積比率は、スクリーンに開口している孔の数を変化させて調整した。
【００５８】
なお、基礎導体層となる導体パターンの直径は約１０００μｍとし、印刷厚みは約２０μｍとした。また、金属粒子となる第２導体パターンの直径は約８０μｍとし、印刷厚みは１０μｍとした。グリーンシートの表面に形成した基礎導体層を形成するための導体パターンの数は一つの評価基板において１００個とした。
【００５９】
こうして得られた導体層となる導体パターンを形成したグリーンシートを最表面に配置したグリーンシート積層体を作製した。グリーンシートの積層数は１０層とした。この時、グリーンシート間に接着剤を均一に塗布し、４０℃、２０ＭＰａの条件で加圧積層を行った。
【００６０】
続いて、これらのグリーンシート積層体を酸化アルミニウム質焼結体の台板上に載置して有機バインダ等の有機成分を分解除去するために、窒素雰囲気中、７５０℃で加熱処理した後、窒素雰囲気中、９００℃で１時間焼成を行って評価基板を作製した。
【００６１】
焼成後に得られた評価基板のうち、一部の評価基板には、導体層にめっき層として、ニッケルを約３〜５μｍ、金を約０．１〜０．５μｍの厚さで順次被着させた。
【００６２】
このようにして得られた評価基板の導体層の直径はφ０．８ｍｍであり、導体層に存在する金属粒子の面積比率は表１に示す比率になっていることを実体顕微鏡（倍率：１００倍）を用いて写真撮影し、その写真を画像解析装置にかけて基礎導体層の表面の面積および金属粒子の面積を算出して面積比率を求めた。
【００６３】
なお、焼成後に得られた評価基板に形成された導体層上の金属粒子の表面には、金属粒子の最大径の１／５０〜１／２００程度の直径を有する凹みが無数に形成されていた。
【００６４】
また、評価基板を厚み方向に切断した断面を研磨して導体層の断面を、元素分析装置を備えた電子顕微鏡により分析したところ、基礎導体層と絶縁基板との界面を含む基礎導体層の内部には銅または銀とともに添加したガラスが存在していることが確認された。さらに、金属粒子はその断面から見た形状が不定形であり、また、金属粒子の表面の微少な凹みには金属めっき層が入り込んでいることを確認できた。
【００６５】
次に、金属めっき層を形成した評価基板の導体層上に、直径が０．８μｍの半田ボール（鉛：６４モル／錫：３４モル）を設け、半田ボールの一部が溶融する温度に加熱して半田ボールを導体層に接合して、ボールプル強度試験用の評価基板を作製した。
【００６６】
そして、作製したボールプル強度試験用の評価基板のうち約半数について温度サイクル試験（温度：−５５〜１２５℃、下限温度および上限温度での保持時間：３０分、−５５から１２５℃までの昇降温の時間を１５分、サイクル数：１０００回）を行った。
【００６７】
ボールプル強度試験は、温度サイクル試験を行う前と温度サイクル試験後にそれぞれ測定し、１００個の評価基板の平均値として求めた。このとき、ボールプル強度試験は、測定機としてボンドテスター４０００を用い、チャック治具はＪＡＷ０．８０ＤＩＡ、チャック圧は１．５ｂａｒ、保持時間２ｓ、スピード８３μｍ／ｓで測定した。また、このボールプル強度の測定試料の破壊モードを１０倍の顕微鏡を用いて確認した。この結果を表１に示す。
【００６８】
【表１】
【００６９】
表１の結果から明らかなように、本発明範囲内の試料（試料Ｎｏ．２〜１０，１３〜２１，２４〜３２）では、ボールプル強度の初期値が７．８ｋｇ／ｍｍ２以上であり、温度サイクル試験後のボールプル強度が初期値に対して８７．５％以上であり、また、破壊モードがいずれもハンダボールの破壊となっており、金属粒子と金属めっき層間の剥がれが無く、基礎導体層と絶縁基板であるガラスセラミックスからなる絶縁基板との接合強度の低下の小さいものであった。
【００７０】
特に、平面視したときの基礎導体層の表面の面積に対する金属粒子の面積の割合が２０〜８０％である試料（試料Ｎｏ．３〜９，１４〜２０，２５〜３１）では、温度サイクル試験後のボールプル強度が初期値に対して、９７．５％以上であった。
【００７１】
これに対して、導体層に金属粒子を形成しなかった試料（試料Ｎｏ．１，１２および２３）では、ボールプル強度の初期値が６．１ｋｇ／ｍｍ２以下であり、ボールプル強度試験後の破壊モードがハンダとパッド間の破壊となっていた。また、金属粒子の面積比率を１００％とした試料（試料Ｎｏ．１１，２２および３３）では、温度サイクル試験後のボールプル強度が初期値に対して、３７．５％以下であった。また、基礎導体層を形成する導体ペーストとしてガラス粉末を添加しないものを用いて作製した評価基板では、ボールプル強度の初期値が５．１ｋｇ／ｍｍ２であり、上記条件の温度サイクル試験後に基礎導体層とガラスセラミックスからなる絶縁基板との界面で一部剥がれが見られた。
【符号の説明】
【００７２】
１・・・・絶縁基板
１ａ・・・収納部
３・・・・導体層
３ａ・・・基礎導体層
３ｂ・・・金属粒子
５・・・・貫通導体
６・・・・パッド
７・・・・電子部品
８・・・・ボンディングワイヤ
９・・・・蓋体
１０・・・ハンダ
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラスセラミックスからなる絶縁基板と、該絶縁基板の表面に設けられた導体層とを具備する配線基板であって、前記導体層が、銅または銀とガラスを主成分とする接合強化剤とが焼結してなる基礎導体層と、該基礎導体層の表面に一部が埋設された状態で点在する、前記基礎導体層と同一の金属からなる金属粒子とを具備していることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
平面視したときの前記基礎導体層の表面の面積に対する前記金属粒子の面積の割合が、２０〜８０％であることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
請求項１または２に記載の配線基板と、該配線基板に実装された電子部品とを有することを特徴とする電子部品実装基板。
【請求項１】
ガラスセラミックスからなる絶縁基板と、該絶縁基板の表面に設けられた導体層とを具備する配線基板であって、前記導体層が、銅または銀とガラスを主成分とする接合強化剤とが焼結してなる基礎導体層と、該基礎導体層の表面に一部が埋設された状態で点在する、前記基礎導体層と同一の金属からなる金属粒子とを具備していることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
平面視したときの前記基礎導体層の表面の面積に対する前記金属粒子の面積の割合が、２０〜８０％であることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
請求項１または２に記載の配線基板と、該配線基板に実装された電子部品とを有することを特徴とする電子部品実装基板。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図２】
【図３】
【図４】
【公開番号】特開２０１１−１１４１７０（Ｐ２０１１−１１４１７０Ａ）
【公開日】平成２３年６月９日（２０１１．６．９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−２６９４５０（Ｐ２００９−２６９４５０）
【出願日】平成２１年１１月２７日（２００９．１１．２７）
【出願人】（０００００６６３３）京セラ株式会社 (13,660)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年６月９日（２０１１．６．９）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年１１月２７日（２００９．１１．２７）
【出願人】（０００００６６３３）京セラ株式会社 (13,660)
【Ｆターム（参考）】
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