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Fターム[4E351EE10]の内容

Fターム[4E351EE10]に分類される特許

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【課題】生産性が高く、且つ、厚み方向への収縮が大きな場合でも、層間接続導体の突き上げを抑制して、基板内部で変形や断線等の発生を低減できる多層セラミック基板及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】平面視で層間接続導体部13と同じ位置であって、且つ、層間接続導体部13の厚み方向の少なくとも一方に、層間接続導体部13と直接に又は第1内部配線層9を介して接触するように、導体と結晶化ガラスとムライトとを含み導電性を有する第2内部配線層11を備える。この結晶化ガラスは、ガラス転移点(Tg)が焼成収縮開始温度より低く、しかも、結晶化温度(Tc)が焼成収縮開始温度より高く且つ焼成収縮開始温度+150℃より低い。 (もっと読む)


【課題】 エレクトロマイグレーションによる接続パッドの空隙を抑制することが可能な配線基板を提供すること。
【解決手段】 上面に半導体素子4の搭載部1aを有する絶縁基板1と、ガラス成分を含む銅の多結晶体からなり、搭載部1aから絶縁基板1の内部にかけて形成された貫通導体3と、貫通導体3を形成している銅の結晶よりも平均粒径が大きい銅の多結晶体からなり、搭載部1aにおける貫通導体3の端面を覆うように形成された接続層2とを備えており、接続層2を形成している銅の結晶配向性が無配向であり、半導体素子4の電極5が接続層2にはんだ6を介して電気的に接続される配線基板である。 (もっと読む)


【課題】焼成時における銅の酸化が抑制され、抵抗率の低い電極を形成可能な電極用ペースト組成物、および、該電極用ペースト組成物を用いて形成された電極を有する太陽電池を提供する。
【解決手段】電極用ペースト組成物を、示差熱−熱重量同時測定において最大面積を示す発熱ピークのピーク温度が280℃以上である銅含有粒子と、ガラス粒子と、溶剤と、樹脂と、を含んで構成する。また、該電極用ペースト組成物を用いて形成された電極を有する太陽電池である。 (もっと読む)


【課題】 絶縁層と貫通導体との界面からの水分侵入を低減できるガラスセラミック配線基板を提供すること。
【解決手段】 SiOを網目形成酸化物とした第1のガラス材料を含んだ、焼結温度が800℃乃至1000℃であるガラスセラミック焼結体からなる複数の絶縁層1と、絶縁層1
を貫通する貫通導体とを有するガラスセラミック配線基板であって、貫通導体は、導体材料と、第1のガラス材料の軟化点よりも高く、絶縁層1の焼結温度よりも低い軟化点を有する非晶質のSiO−B−Al−BaO−CaO−MgO系ガラスとの焼結体であることを特徴とするガラスセラミック配線基板である。ガラスセラミック配線基板が燒結する際に、貫通導体に含まれる第2のガラス材料が軟化したときには、絶縁層に含まれる第1のガラス材料が軟化しており、絶縁層に隙間が少なくなっているので、第2のガラス材料が絶縁層側に流れ出すことを抑制できる。 (もっと読む)


【課題】ガラスセラミックスからなる絶縁基板と導体層との接合性を長期間に亘って良好に維持できるとともに、金属めっき層やろう材との接着性に優れた配線基板と、これに搭載された電子部品を具備して構成される電子部品実装基板を提供する。
【解決手段】導体層3が、銅または銀と接合強化剤とを焼結してなるからなる基礎導体層3aと、該基礎導体層3aの表面に一部が埋設された状態で点在する前記基礎導体層と同一の金属からなる金属粒子3bとを具備している。このことにより温度サイクル試験などの信頼性評価を行った場合においても絶縁基板1と基礎導体層3aとの接合界面の剥がれを抑制できる。 (もっと読む)


【課題】 脱バインダー不良および焼結挙動の不整合による貫通導体の絶縁基体表面からの突出が抑制された配線基板およびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明は、3層以上のガラスセラミック絶縁層からなる絶縁基体1と、絶縁基体1の表面および内部に形成された配線層2と、内層を構成するガラスセラミック絶縁層1b〜1hに形成された第1の貫通導体31と、表層を構成するガラスセラミック絶縁層1a、1iに形成され第1の貫通導体31に直に接続された第2の貫通導体32とを備えた配線基板であって、第1の貫通導体31および第2の貫通導体32は同じ金属を主成分として含むとともに、第1の貫通導体31はさらにガラスを含みガラスからの析出結晶を実質的に含んでおらず、第2の貫通導体32はさらにガラスおよびガラスからの析出結晶を有していることを特徴とするものである。 (もっと読む)


【課題】 脱バインダー不良および焼結挙動の不整合による貫通導体の絶縁基体表面からの突出が抑制された配線基板およびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明は、複数のガラスセラミック絶縁層を積層してなる絶縁基体1と、絶縁基体1の表面および内部に形成された配線層2と、内層を構成するガラスセラミック絶縁層1b〜1hに形成された第1の貫通導体31と、表層を構成するガラスセラミック絶縁層1a、1iに形成され第1の貫通導体31に直に接続された第2の貫通導体32とを備えた配線基板であって、第1の貫通導体31および第2の貫通導体32は、同じ金属を主成分として含むとともにガラスおよび析出結晶を含んでおり、第2の貫通導体32に含まれる析出結晶の量が第1の貫通導体31に含まれる析出結晶の量よりも多いことを特徴とするものである。 (もっと読む)


【課題】 接続パッドが絶縁基体に強固に接合され、接続パッドを介して配線基板を外部電気回路基板に長期にわたって確実に電気的に接続させておくことが可能な、高い電気的な接続信頼性を有する配線基板を提供する。
【解決手段】 内部に配線導体2を有する板状の絶縁基体1の下面に複数の接続パッド3が縦横の並びに配列形成され、複数の接続パッド3の中央部分にそれぞれビア導体4の下端が接合されてなる配線基板9であって、接続パッド3のうち少なくとも縦横の並びの角部分に位置するものは、角部分の外側の外縁部分が、ビア導体4に隣接して形成された補助ビア導体5の下端と接合されている配線基板9である。接続パッド3の外縁部分が補助ビア導体5の下端と強固に接合されるため、接続パッド3の剥がれが抑制され、接続信頼性が向上する。 (もっと読む)


【課題】無収縮焼成技術で作製される多層セラミックス基板において、焼結金属導体のセラミックス基板層に対する接着強度を十分に確保するとともに、めっき不良の発生を抑える。
【解決手段】複数のセラミックス基板層2a〜2dが積層された積層体の表面に焼結金属導体(表面導体5)を有する。焼結金属導体として形成される表面導体5は、所定のパターンでセラミックス基板層2a,2d上に直接接して形成されており、且つセラミックス基板層2a,2dと接する側のガラス濃度が表面側のガラス濃度よりも大である。表面導体5の形成に際しては、セラミックスグリーンシート11a,11d上に所定のパターンを有する導電ペースト層を少なくとも2層形成し、これら導電ペースト層のうち最下層の導電ペースト層に含まれるガラス含有量を最上層の導電ペースト層に含まれるガラス含有量よりも大とする。 (もっと読む)


【課題】ハンダ付け性および接着強度に優れ、しかも比抵抗が小さい導体層が表面に形成されている導体層付セラミックス基板の提供。
【解決手段】焼成されてセラミックス積層体となるセラミックグリーンシート積層体の表面に、ガラス粉末および金属粉末を含有し焼成されて導体層となる導体ペーストが塗布されたものを焼成して得られたセラミックス基板であって、セラミックス積層体上の導体層がその表面側に存在する金属層とセラミックス積層体との界面側に存在するガラス層とに分離している導体層付セラミックス基板。 (もっと読む)


【課題】コイル内蔵基板の内蔵コイルの重畳特性を向上させると共に、上面や下面に搭載された半導体チップやチップ部品に対するコイル用導体から発生する磁力線の影響を大幅に抑制することができるコイル内蔵セラミック基板を提供すること。
【解決手段】本発明のコイル内蔵基板は、間に平面スパイラルコイル4が埋設されている、第1のフェライト層2および第2のフェライト層3を、一対の絶縁層1で挟持してなるコイル内蔵基板において、平面スパイラルコイル4のコイル導体間に第1のフェライト層2および第2のフェライト層3より透磁率の小さい第3のフェライト層を形成することで成る。 (もっと読む)


【課題】導体ペーストからの金属元素の拡散を抑制することができる導体ペーストおよび成形体並びに配線基板を提供することを目的とする。
【解決手段】金属粉末3aの表面に10nm以上の厚みの金属酸化物3bが形成された複合金属粉末3と、ガラス粉末5と、樹脂7とを含有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】特許文献1のセラミック多層基板の場合には内部導体から内部抵抗体への銀の拡散を抑制する効果が確認されているが、実際には内部導体からだけではなく、セラミック基板のガラス成分が抵抗体中へ拡散すると共に抵抗体中のガラス成分がセラミック層中へ拡散するため、抵抗体と内部導体間の拡散を抑制するだけでは抵抗値の変動を防止し、安定させた高精度な抵抗体を得るには十分ではない。
【解決手段】本発明のセラミック多層基板10は、ガラスAを含む複数のセラミック層11Aからなる積層体11と、上下のセラミック層11Aの層間に設けられ且つガラスBを含む厚膜抵抗体12と、厚膜抵抗体12と上下のセラミック層11Aとの間に設けられ且つガラスCを主成分とする拡散防止層13、14と、を有する。 (もっと読む)


【目的】 1000℃以下で焼成可能なガラスセラミックからなる基板に、密着強度、ハンダ耐熱性、基板との焼成マッチングに優れ、導体損失を低減した表層導体を同時焼成にて形成したセラミック配線基板を提供する。
【構成】 ガラスセラミックからなる未焼成のセラミックグリーンシート上に、銀および白金からなる導電成分と、モリブデン、タングステン、二酸化マンガン、二酸化ケイ素、酸化銅からなるフィラー成分とを含む導電ペーストを用いて表層配線を形成した後、1000℃以下の温度にて前記の未焼成のセラミックグリーンシートと前記銀/白金表層配線とを同時焼成したセラミック配線基板。 (もっと読む)


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