導電ペースト及びそれを用いたセラミック配線基板
【目的】 １０００℃以下で焼成可能なガラスセラミックからなる基板に、密着強度、ハンダ耐熱性、基板との焼成マッチングに優れ、導体損失を低減した表層導体を同時焼成にて形成したセラミック配線基板を提供する。
【構成】 ガラスセラミックからなる未焼成のセラミックグリーンシート上に、銀および白金からなる導電成分と、モリブデン、タングステン、二酸化マンガン、二酸化ケイ素、酸化銅からなるフィラー成分とを含む導電ペーストを用いて表層配線を形成した後、１０００℃以下の温度にて前記の未焼成のセラミックグリーンシートと前記銀／白金表層配線とを同時焼成したセラミック配線基板。
【構成】 ガラスセラミックからなる未焼成のセラミックグリーンシート上に、銀および白金からなる導電成分と、モリブデン、タングステン、二酸化マンガン、二酸化ケイ素、酸化銅からなるフィラー成分とを含む導電ペーストを用いて表層配線を形成した後、１０００℃以下の温度にて前記の未焼成のセラミックグリーンシートと前記銀／白金表層配線とを同時焼成したセラミック配線基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ガラスセラミックからなるセラミック配線基板等に用いられる導電ペースト及びそれを用いたセラミック配線基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器の小型化・高性能化に伴い、電子部品や配線基板に要求される小型化や電気的特性への要求は厳しくなりつつある。従来より、電子部品や配線基板を小型化する方法としては、配線や絶縁層を順次印刷・焼成していく印刷多層技術や、導電ペーストで配線を印刷形成したセラミックグリーンシートを積層して同時焼成する多層配線化技術がある。
【０００３】しかし、同時焼成による多層配線化技術では、絶縁体としてアルミナやチタン酸鉛等の焼成温度が１０００℃以上のセラミック材料を用いるため、配線材料にはタングステンやパラジウムといった融点が１０００℃以上の高融点金属を用いる必要があった。これらの高融点金属は導体抵抗が高いため、導体中を流れる電気信号の損失（いわゆる導体損失）が大きいといった欠点があり、電気特性への市場の要求を満たすことができなくなってきている。
【０００４】そこで近年は、更なる市場の要求特性に応えるために、導体抵抗が低い銀、金、銅等を導体材料に使用可能で、かつ、１０００℃以下で焼成可能な低温焼成材料を用いた配線基板や電子部品が種々開発されている。特に銀は導体抵抗が低く、銅と異なり酸化雰囲気中でも焼成可能なことから、はやくから低温焼成材料との同時焼成技術が検討・開発されており、その結果、セラミック配線基板の電気的特性は向上した。
【０００５】しかし、銀はハンダにくわれやすかったり、銀イオンがマイグレーションして配線間が短絡する、といった信頼性の問題があるため、そのまま銀を配線基板の表層配線として用いることはできなかった。基板のハンダ実装時や集積回路チップ実装時に発生するハンダくわれ対策として、一般には銀配線の表面にニッケルメッキ等を施すが、酸やアルカリ等の薬液による前処理が導体の基板への密着強度を下げたり、メッキ工程の追加によるコスト高といった問題をもたらす。
【０００６】銀導体のハンダくわれや銀イオンのマイグレーションを解決するためには、銀に耐熱性の高いパラジウム又は白金を添加した銀／パラジウム導体又は銀／白金導体を用いるのが有効である。銀／パラジウムは、パラジウム濃度が５〜３０％の組成において、銀／白金は、白金濃度が０．１〜５％の組成において、厚膜法によるポストファイヤメタライズとしてよく用いられている。尚、「厚膜法によるポストファイヤ」とは、焼成済みの基板に導電ペーストを印刷して配線を形成した後、基板の焼成温度以下の温度で導体を焼き付けることをいう。
【０００７】厚膜法によるポストファイヤにて表層配線を形成する技術としては、以下のような例がある。特開平４−８８０６７号公報には、銀／パラジウムにマンガンの酸化物と酸化クロムとガラスフリットを添加した導電ペーストが開示されている。それによって、表層配線の高温エージング後の密着強度やハンダぬれ性を向上する効果が得られている。特公平６−５０７０５号公報には、銀に二酸化ケイ素とガラスフリットを添加した導電ペーストが開示されている。それによって、表層配線の密着強度やハンダくわれ性を向上する効果が得られている。特公平５−１４３６３号公報には、銀に酸化ビスマスと酸化銅と二酸化マンガンとガラスフリットを添加した導電ペーストが開示されている。それによって、表層配線の密着強度やハンダくわれ性を向上する効果が得られている。しかし、これらはいずれも厚膜法によるポストファイヤであるため、その分工数が増えてコスト高になる。また、ガラスフリットは焼成中に軟化して導体粒子間に溜まるため、ハンダに導体表面を一層くわれるとガラスの浮いた導体層が露出してハンダをはじく問題がある。更には、銀／パラジウムは導体抵抗が高いため表層配線において電気信号の導体損失が大きい問題がある。
【０００８】コスト低減をするために、銀系表層配線を基板と同時焼成で形成する技術が検討された。上記の厚膜法と異なり、同時焼成法による例はあまり多く見られない。特開平９−１９８９１９号公報及び特開平９−７４２５６号公報には、銀に五酸化二バナジウムを添加した導電ペーストを用いて、表層配線の密着強度やハンダぬれ性や基板の反りを改善した基板が開示されている。また、特公平５−７４１６６号公報には、銀、パラジウム、白金等の貴金属にモリブデン、タングステンを添加した導電ペーストが開示されている。表層配線のハンダぬれ性を改善する効果が得られている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】表層配線の導体抵抗を下げ、且つ、耐ハンダ特性を向上させたセラミック配線基板を得る目的で、単に銀／白金のみを用いて表層配線を形成しても、■．配線導体の初期密着強度が低い、■．１５０℃の高温下放置によるエージング試験による強度劣化が著しい、■．２６０℃の高温ハンダによる耐熱試験によるハンダくわれが発生する、■．同時焼成時に基板と銀／白金導体との焼成タイミングのミスマッチによる基板の反りが発生する、といった様々な問題が発生する。
【００１０】上記■及び■の原因は以下のように推察される。すなわち、基板と銀／白金導体との接合が、焼成中に基板から銀／白金導体へ熱拡散したガラス成分によってのみ行われているため、機械的或いは熱的な作用によりガラス接合構造が容易に破壊されるからである。また、同時焼成に用いる導体ペーストにガラスフリットを添加すると、焼成時に配線導体上にガラスが浮いてしまうため、ガラスフリットレスにする必要がある。したがって、機械的或いは熱的な作用により容易に破壊されない接合構造を形成する添加物が必要となる。
【００１１】上記■の原因は以下のように推察される。すなわち、銀に耐熱性の高い白金を添加して耐熱性を向上させたとはいえ、単にそれだけでは２６０℃の高温下での銀のハンダ中への拡散を抑制することができないからである。したがって、銀のハンダ中への拡散を抑制する効果を有する添加物が必要となる。
【００１２】上記■の原因は以下のように推察される。すなわち、銀の粒成長自体は２００〜３００℃程度の低温域から進行しているため、軟化点が５００℃以上のガラスセラミックからなる基板の焼成収縮とタイミングを合致することが難しいからである。したがって、銀の焼成収縮のタイミングを基板の焼成収縮に近づける効果を有する添加物が必要となる。
【００１３】本発明は、上記従来の諸問題を解決するものであり、表層配線に銀／白金を用いて未焼成のセラミックと同時焼成しても、配線導体の初期密着強度、ハンダぬれ性、高温放置エージングによる劣化特性、２６０℃のハンダ耐熱性、基板の反りといった評価項目に優れた特性が得られる導電ペーストとそれを用いたセラミック配線基板を提供することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】請求項１は、銀／白金１００重量部に対して二酸化マンガンを０．２〜１重量部、酸化銅を０．２〜１重量部、二酸化ケイ素を０．３〜１重量部、モリブデン及びタングステンの金属粉末を３〜５．６重量部含有することを特徴とする導電ペーストを要旨とする。
【００１５】該導電ペーストが奏する具体的な効果は以下のようである。■．二酸化マンガンの添加により表層配線の２６０℃の高温下でのハンダ耐熱性を向上できる。■．二酸化ケイ素の添加により表層配線の１５０℃高温放置エージング特性を向上できる。■．酸化銅の添加により表層配線の初期密着強度を向上できる。■．モリブデン及びタングステンの金属粉末の添加により基板の反りを低減できる。■．ガラスフリットを一切含まないため、ハンダぬれ性が良好である。
【００１６】請求項２は、銀／白金１００重量部に対して二酸化マンガンを０．２〜１重量部、酸化銅を０．２〜１重量部、ＢＥＴ法による比表面積が５０ｍ2／ｇ以上で、且つ、１次粒子の平均径が５〜５０ｍμｍで、且つ、純度が９９．８％以上の二酸化ケイ素を０．３〜１重量部、モリブデン及びタングステンの金属粉末を３〜５．６重量部含有することを特徴とする導電ペーストを要旨とする。
【００１７】該導電ペーストが奏する具体的な効果は以下のようである。■．二酸化マンガンの添加により表層配線の２６０℃の高温下でのハンダ耐熱性を向上できる。■．所定の物性値を有する微粉末状の二酸化ケイ素の添加により表層配線の１５０℃高温放置エージング特性をより効果的に向上できる。１５０℃高温放置エージング時においては、ハンダ（例えば、錫／鉛共晶ハンダ）に含まれる錫が銀／白金の粒界を移行して、配線部と絶縁部のガラスフリットによるガラス接合界面をアタックして、ガラス接合構造を破壊するため、エージング特性が劣化することが知られている。そこで、所定の物性値を有する微粉末状の二酸化ケイ素を用いることで、錫の移行を抑制し、１５０℃高温放置エージング特性をより効果的に向上できる。■．酸化銅の添加により表層配線の初期密着強度を向上できる。■．モリブデン及びタングステンの金属粉末の添加により基板の反りを低減できる。■．ガラスフリットを一切含まないため、ハンダぬれ性が良好である。
【００１８】請求項３は、ホウケイ酸鉛系ガラスをガラス主成分とするガラスセラミックからなる絶縁部と、銀を主成分とする配線部からなるセラミック配線基板であって、該配線部の少なくとも一部が、銀／白金１００重量部に対して二酸化マンガンを０．２〜１重量部含有する銀／白金で構成されることを特徴とするセラミック配線基板を要旨とする。
【００１９】銀／白金１００重量部に対して二酸化マンガンを０．２〜１重量部含有する銀／白金で構成される配線部を有するセラミック配線基板は、配線部の信頼性とコスト低減に優れるメリットがある。また、ガラスフリットを一切含まないため、ハンダぬれ性を良好にできる。ホウケイ酸鉛系ガラスをガラス主成分とするガラスセラミックは焼成時の収縮挙動が比較的安定しており、配線導体との焼成収縮差をあわせ込みやすいメリットがある。特には、ガラスの軟化点が６５０〜７８０℃の範囲にあるホウケイ酸鉛系ガラスをガラス主成分とするガラスセラミックが好ましい。
【００２０】請求項４は、ホウケイ酸鉛系ガラスをガラス主成分とするガラスセラミックからなる絶縁部と、銀を主成分とする配線部からなるセラミック配線基板であって、該配線部の少なくとも一部が、銀／白金１００重量部に対して二酸化マンガンを０．２〜１重量部、酸化銅を０．２〜１重量部、二酸化ケイ素を０．３〜１重量部、モリブデン及びタングステンの金属粉末を３〜５．６重量部含有する導電ペーストを用いて形成したセラミック配線基板を要旨とする。
【００２１】銀／白金に二酸化マンガン、二酸化ケイ素、酸化銅、モリブデン及びタングステンの金属粉末を添加した導電ペーストを用いてホウケイ酸鉛系ガラスをガラス主成分とするガラスセラミックからなる未焼成基板上に配線を形成し、同時焼成することで、配線導体の初期密着強度、高温放置エージングによる劣化特性、２６０℃のハンダ耐熱性、基板の反りといった諸問題を解決し、信頼性とコスト低減に優れたセラミック配線基板を提供できる。ホウケイ酸鉛系ガラスをガラス主成分とするガラスセラミックは焼成時の収縮挙動が比較的安定しており、配線導体との焼成収縮差をあわせ込みやすいメリットがある。特には、ガラスの軟化点が６５０〜７８０℃の範囲にあるホウケイ酸鉛系ガラスをガラス主成分とするガラスセラミックが好ましい。
【００２２】請求項５は、ホウケイ酸鉛系ガラスをガラス主成分とするガラスセラミックからなる絶縁部と、銀を主成分とする配線部からなるセラミック配線基板であって、該配線部の少なくとも一部が、銀／白金１００重量部に対して二酸化マンガンを０．２〜１重量部、酸化銅を０．２〜１重量部、ＢＥＴ法による比表面積が５０ｍ2／ｇ以上で、且つ、１次粒子の平均径が５〜５０ｍμｍで、且つ、純度が９９．８％以上の二酸化ケイ素を０．３〜１重量部、モリブデン及びタングステンの金属粉末を３〜５．６重量部含有する導電ペーストを用いて形成したことを特徴とするセラミック配線基板を要旨とする。
【００２３】銀／白金に二酸化マンガン、所定の物性値を有する微粉末状の二酸化ケイ素、酸化銅、モリブデン及びタングステンの金属粉末を添加した導電ペーストを用いてホウケイ酸鉛系ガラスをガラス主成分とするガラスセラミックからなる未焼成基板上に配線を形成し、同時焼成することで、配線導体の初期密着強度、高温放置エージングによる劣化特性、２６０℃のハンダ耐熱性、基板の反りといった諸問題を解決し、信頼性とコスト低減に優れたセラミック配線基板を提供できる。特には、所定の物性値を有する微粉末状の二酸化ケイ素の添加により、表層配線の１５０℃高温放置エージング特性をより効果的に向上できる。ホウケイ酸鉛系ガラスをガラス主成分とするガラスセラミックは焼成時の収縮挙動が比較的安定しており、配線導体との焼成収縮差をあわせ込みやすいメリットがある。特には、ガラスの軟化点が６５０〜７８０℃の範囲にあるホウケイ酸鉛系ガラスをガラス主成分とするガラスセラミックが好ましい。
【００２４】請求項３乃至請求項５にいうセラミック配線基板の例としては、積層型のＬＣフィルタ、カプラ（方向性結合器）、ローパスフィルタ内蔵カプラ、電力分配器、バラン（平衡−不平衡変換素子）、ミキサーモジュール基板、ＰＬＬモジュール基板、ＶＣＯ（電圧制御形発振器）、ＴＣＸＯ（温度補償形水晶発振器）等のいわゆる電子部品が挙げられる。通常の共晶ハンダを用いた実装工程を経ても十分な信頼性を有するセラミック配線基板が得られる。鉛レスの高融点ハンダを用いたハンダ実装工程にも十分対応可能である。
【００２５】上記電子部品以外の適用例としては、フリップチップ接続方式の集積回路チップを電気的に接続するための電極パッド群を備えたセラミック配線基板が挙げられる。具体的には、Ｃ４（Controlled Collapse Chip Connection）法を用いた、いわゆるＣ４パッケージ、ＣＳＰ（Chip Size Package）等が挙げられる。これらのパッケージに抵抗、コンデンサ、インダクタのうち少なくとも1つを一体化してモジュール化したものであっても良い。集積回路チップの接続に、通常の共晶ハンダを用いた実装工程を経ても十分な信頼性を有するセラミック配線基板が得られる。また、鉛レスの高融点ハンダ、或いは金スズを用いた集積回路チップ実装工程にも十分対応可能である。
【００２６】
【実施例】以下に、実施例によって本発明を詳しく説明する。尚、本発明の実施の形態は以下に記載する構成にのみ限定されるものではない。
【００２７】（１）セラミックグリーンシートの製作以下の方法により、セラミック配線基板用のセラミックグリーンシートの製作を行なった。
【００２８】セラミック原料として、軟化点が６７８℃のホウケイ酸鉛ガラス粉末（組成：ＳｉＯ2（４９％）、Ａｌ2Ｏ3（５％）、Ｂ2Ｏ3（５％）、Ｎａ2Ｏ（２．５％）、Ｋ2Ｏ（１．５％）、ＣａＯ（５％）、ＰｂＯ（３２％））と市販のα−アルミナ粉末（住友化学製 Ａｌ−Ｓ４３Ａ）を用意した。有機バインダーとしては、メタクリル酸エチル系のアクリル樹脂を用意した。
【００２９】次に、アルミナ製のポットに、上記のガラス粉末とアルミナ粉末とを重量比で１：１、総量で１ｋｇとなるように秤量して入れた。さらに溶剤としてＭＥＫ（メチルエチルケトン）を２００ｇ、上記のアクリル樹脂を１００ｇ、可塑剤としてＤＯＰ（ジオクチルフタレート）を５０ｇ、分散剤を５ｇ、上記のポットに入れ、１０時間混合した。こうしてセラミックグリーンシート成形用のスラリーを得た。このスラリーを用いて、公知のドクターブレード法を用いてシート厚み０．４ｍｍのセラミックグリーンシートを得た。
【００３０】（２）銀／白金導電ペーストの製作導電成分として、銀粉末（平均粒径３μｍ）９８重量部と白金粉末（平均粒径０．２μｍ）２重量部、バインダー成分として、エチルセルロース５重量部とブチルカルビトール１５重量部と、二酸化マンガン（平均粒径１μｍ）、酸化銅（平均粒径１μｍ）と、二酸化ケイ素（ＢＥＴ法による比表面積３８０ｍ2／ｇ、１次粒子の平均径７ｍμｍ、純度が９９．８％以上）、セラミックグリーンシートに用いたホウケイ酸鉛系ガラスフリット（平均粒径２．５μｍ）、モリブデン（平均粒径２．５μｍ）及びタングステン（平均粒径０．６μｍ）とを表１及び表２に記載の量比で配合し、これらの混合物を三本ロールミルを用いて混練して導電ペーストを調製した。
【００３１】（３）評価基板の製作上記（１）で製作したセラミックグリーンシートを４枚積層圧着し、積層体を製作した。積層体の最上層に上記（２）で製作した導電ペーストを用いて、焼成後に２ｍｍ□になる所定の大きさで表層配線をスクリーン印刷法にて形成した。その後、大気雰囲気中で最高保持温度８４０℃で焼成を行った。得られた評価基板の寸法は、５０ｍｍ□×厚み１．３５ｍｍであった。一基板上には、２ｍｍ□×厚み２０μｍの表層配線が１００個形成されている。
【００３２】（４）基板の反りの測定上記（３）で製作した評価基板の銀／白金配線に発生するうねり量を、表面粗度計を用いて測定し、基板の「反り」として評価した。具体的には、表面粗度計を用いて表層配線上を評価基板の対角線に沿ってトレースして得られた凹凸量から表層配線の厚みを差し引いた数値をいう。反りの値としては、４０μｍ未満のものを合格とした。表１においては実測値を示した。表２においては４０μｍ未満の合格したものを「○」で示した。結果を表１及び表２に併記した。
【００３３】（５）ハンダぬれ性試験上記（３）で製作した評価基板を２３０℃に加熱・溶融した錫／鉛共晶ハンダ浴に５秒間浸漬し、表層導体上にハンダをのせた。銀／白金配線の面積に対するハンダの面積比を画像処理機を用いて求めた。銀／白金配線の面積に対するハンダの面積比が９５％以上のものを合格とした。結果を表１及び表２に併記した。
【００３４】（６）ハンダ耐熱試験上記（３）で製作した評価基板を２６０℃に加熱・溶融した錫／鉛共晶ハンダ浴に１０秒間浸漬し、表層導体上にハンダをのせる作業を繰り返し行い、1回目、３回目、５回目の浸漬後のハンダぬれの状態を確認した。ハンダが十分にぬれた状態を合格として「○」、配線がハンダにくわれてなくなった状態を不合格として「×」とした。３回以上もったものを合格とした。結果を表１及び表２に併記した。
【００３５】（７）密着強度試験上記（３）で製作した評価基板を２３０℃に加熱・溶融した錫／鉛共晶ハンダ浴に５秒間浸漬し、表層導体上にハンダをのせた。ハンダののった表層配線に直径０．５ｍｍのニッケルメッキ付き銅線をハンダ付けし、基板面の法線方向に２０ｍｍ／分の速度でリードプルテスターで引っ張り、表層導体と基板間での破断発生時の強度を初期強度として測定した。残りの評価基板を大気雰囲気中で１５０℃に加熱した恒温槽に入れてエージングを行った。５０時間経過後及び５００時間経過後にそれぞれ取り出し、初期強度と同様にリードプルテスターで引っ張り、表層導体と基板間での破断発生時の強度を測定した。尚、初期強度は３．９ｋｇｆ／２ｍｍ□以上、エージング５０時間経過後の密着強度は２．２ｋｇｆ／２ｍｍ□以上、エージング５００時間経過後の密着強度は１．０ｋｇｆ／２ｍｍ□以上が合格である。結果を表１及び表２に併記した。
【００３６】
【表１】
【００３７】
【表２】
【００３８】表１は、請求項２に記載の発明に対応する結果である。本発明の実施例である試料番号２乃至試料番号６及び試料番号１６の結果を見ると、反りが３６μｍ以下、ハンダぬれ性が９５〜１００％、ハンダ耐熱性が３〜５回、初期密着強度が３．９４〜４．４３ｋｇｆ／２ｍｍ□、エージング５０時間後の密着強度が２．２８〜２．８８ｋｇｆ／２ｍｍ□、エージング５００時間後の密着強度が１．０５〜１．２８ｋｇｆ／２ｍｍ□と、全ての項目において十分合格レベルであった。
【００３９】一方、二酸化マンガンの添加量が０．１重量部の比較例である試料番号１を見ると、反りが４０μｍ、ハンダ耐熱性が１回、初期密着強度が３．５８ｋｇｆ／２ｍｍ□、エージング５０時間後の密着強度が２．１０ｋｇｆ／２ｍｍ□、エージング５００時間後の密着強度が０．８６ｋｇｆ／２ｍｍ□と、合格基準を下回る結果となった。二酸化マンガンの添加量が０．２重量部未満では十分な特性が得られないことがわかる。
【００４０】また、二酸化マンガンの添加量が１．２重量部の比較例である試料番号７を見ると、ハンダぬれ性が７０％で不合格で、他の評価項目は合格であった。これは二酸化マンガンの添加量が１．０重量部を越えると表層配線上に二酸化マンガンが浮いてハンダぬれ性を低下させたものと推察される。
【００４１】ガラスフリット添加した比較例である試料番号８乃至試料番号１１をみると、ハンダぬれ性が３０〜７５％、ハンダ耐熱性がすべて１回目で不合格と、特にハンダ関係で劣る結果となった。表層配線上にガラスフリットが浮きあがっているため、ハンダぬれ性やハンダ耐熱性が著しく劣化したものと推察される。
【００４２】酸化ビスマスを添加した比較例である試料番号１２乃至試料番号１４をみると、添加量が増えるにつれてハンダぬれ性やハンダ耐熱性が劣化していくことがわかる。酸化ビスマスは二酸化マンガンと異なり、表層配線上に浮きあがりやすいものと推察される。また、エージング５００時間後の密着強度も１．０ｋｇｆ／２ｍｍ□未満であり、エージング劣化も大きいことがわかる。
【００４３】尚、試料番号１５乃至試料番号１７は、二酸化マンガン添加系に対するモリブデン及びタングステンの添加量の影響を調べたものである。添加量が３重量部以下の試料番号１５を見ると、反りが１３０μｍとかなり大きくなっている。モリブデン及びタングステンの添加量の効果は主に反りに利いていることが分かる。一方、添加量が５．６重量部以上の試料番号１７を見ると、エージング５００時間後の密着強度が１．０ｋｇｆ／２ｍｍ□未満である。添加量が必要以上に多いと、エージング劣化に利いてくることがわかる。
【００４４】表２は、請求項１及び請求項３に記載の発明に対応する結果である。実施例である試料番号１８乃至試料番号２２及び試料番号２４乃至試料番号２６を見ると、反りが４０μｍ未満、ハンダぬれ性が９５〜１００％、ハンダ耐熱性が３〜５回、初期密着強度が４．３５〜４．８９ｋｇｆ／２ｍｍ□、エージング５０時間後の密着強度が３．１１〜３．７６ｋｇｆ／２ｍｍ□、エージング５００時間後の密着強度が１．３５〜２．２４ｋｇｆ／２ｍｍ□と、全ての項目において十分合格レベルであった。
【００４５】尚、実施例である試料番号２４乃至試料番号２６と比較例である試料番号２７は、酸化銅の添加量の影響を調べた結果である。酸化銅の添加量が増えるにつれてハンダぬれ性及びハンダ耐熱性が劣化していくことがわかる。全ての特性を合格するには、酸化銅の添加量は１．０重量部以下にする必要があることがわかる。
【００４６】試料番号２３は、二酸化ケイ素の添加量が１．０重量部を越える比較例である。ハンダぬれ性が７５％、ハンダ耐熱性が１回と、ハンダ関係の特性が劣る結果となった。これは、二酸化ケイ素の添加量が１．０重量部を越えると表層配線の上に二酸化ケイ素が浮いた状態となってハンダ特性を劣化させるものと推察される。
【００４７】試料番号２８乃至試料番号３０は、ガラスフリットを添加した比較例である。ガラスフリットの添加量が増えるにつれて、やはりハンダぬれ性及びハンダ耐熱性が劣化していくことがわかる。尚、エージング５００時間後の密着強度もかなり劣化しているが、これはガラスフリットによるガラス結合層がエージング時の加熱によって強度劣化を促進したものと推察される。
【００４８】試料番号３１乃至試料番号３５は白金添加量を０〜５重量部の間で変化させた結果である。白金無添加の比較例である試料番号３１では、ハンダぬれ性及びハンダ耐熱性について大きく劣る結果となった。一方、白金添加量が０．１〜５重量部の実施例である試料番号３２乃至試料番号３５では、全ての評価項目において良好な結果を示した。ハンダ特性については、耐熱性の高い白金を添加した効果が如実に表れている。尚、白金添加量を５重量部以上にしない理由は、銀／白金の焼成温度が銀と比較して１００℃以上上がってしまい焼けなくなるからである。また、高価な白金を多く用いることによるコスト高も問題となる。したがって、白金添加量は通常０．１〜５重量部、特性上及びコスト上のバランスを考えると、０．５〜３重量部の範囲が好ましい。
【００４９】本発明の導電ペーストを用いたセラミック配線基板を応用してマイクロ波回路チップを作成することができる。
【００５０】次に、本発明を適用したマイクロ波回路チップの一例としてのローパスフィルタ内蔵カプラと、それを構成するインダクタンス回路及びキャパシタンス回路について説明する。
【００５１】図１は、携帯電話機に用いられるローパスフィルタ内蔵カプラを示す概略図である。図１に示すように、ローパスフィルタ内蔵カプラ１０は、８層の絶縁基板１２を積層して構成される。各絶縁基板１２は、上記実施例１の絶縁基板の表面などに必要な回路要素を形成したものである。ローパスフィルタ内蔵カプラ１０のサイズは、長さ３．２ｍｍ、幅１．６ｍｍ、高さ１．３ｍｍである。図１は概略図であり、縦方向の縮尺と横方向の縮尺とは同一でなないことに留意されたい。ローパスフィルタ内蔵カプラ１０の両側面に形成された６つの凹部１１には、１つの層の回路要素と他の層の回路要素とを電気的に接続するための層間導体としての配線１３が設けられている。配線１３は、本発明の導電ペーストを用いて形成した銀／白金で構成されている。尚、配線１３以外の内層導体は銀から構成されている。導体抵抗をより低く抑えて、伝送ロスを低減する趣旨である。
【００５２】図２（ａ）及び図２（ｂ）は、図１に示すローパスフィルタ内蔵カプラの積層基板のうち、インダクタンス回路が設けられた基板とキャパシタンス回路が設けられた基板とを示す図である。
【００５３】図２（ａ）に示す絶縁基板１２ａには、インダクタンス回路１４ａ及び１４ｂと、層間導体としてのバイアホール導体１６と、該バイアホール導体１６と電気的に接続されたコンタクト領域１８とが形成されている。図２（ｂ）に示す絶縁基板１２ｂには、キャパシタンス回路２０ａ、２０ｂ及び２０ｃが形成され、絶縁基板１２ｃには、キャパシタンス回路２２が形成されている。
【００５４】図２（ａ）に示すインダクタンス回路１４ａ及び１４ｂと、コンタクト領域１８とは、絶縁基板１２ａの上に積層される絶縁基板の回路要素と電気的に接続され、バイアホール導体１６は、絶縁基板１２ａの下に積層される絶縁基板の回路要素と電気的に接続される。図２（ｂ）に示すキャパシタンス回路２０ａ、２０ｂ及び２０ｃとキャパシタンス回路２２との間で形成される静電容量により、キャパシタンスが形成される。
【００５５】次に、上述のローパスフィルタ内蔵カプラ１０の製造方法を、図３を参照して説明する。図３は、図２（ｂ）に示す絶縁基板１２ｃを９個取りするセラミックグリーンシートの平面図である。グリーンシート３０の上面には、キャパシタンス回路を形成するための銀ペーストからなる回路パターン３２がスクリーン印刷により形成されている。図３において、点線３４は各絶縁基板を形成する際の切断線を示している。この点線３４に沿って、図１に示す凹部１１を形成するための通孔３６がパンチにより打ち抜かれている。
【００５６】各絶縁基板１２に図２（ａ）及び図２（ｂ）に示すような必要な回路パターンを形成したものを８層積層し、次に、通孔３６の内壁面に本発明の銀／白金導電ペーストをスクリーン印刷法で印刷する。次に、図３に示す点線３４に沿って切断を行う。次に、絶縁基板を構成するグリーンシート及び回路パターンを構成する銀／白金導電ペーストを同時に焼成する。これにより、図１に示すローパスフィルタ内蔵カプラが得られる。
【００５７】図４は、本発明が適用されたパワーアンプを示す一部切欠断面図である。図４に示すように、パワーアンプ４０は、４層の絶縁基板４２ａ〜４２ｄを積層して構成されるが、積層基板４１の中央部にはキャビティ４４が設けられている。キャビティ４４の領域における絶縁基板４２ｃ、４２ｄは２層構造をなしている。このキャビティ４４を規定する絶縁基板４２ｂ上には、集積回路が作りつけられた半導体チップ４６が本発明の銀／白金導体を介して金／錫ロー材を用いて搭載されている。キャビティ４４を取り囲むステップ部４８と半導体チップ４６とは、ボンディングワイヤ５０により電気的に接続されている。最上層である第４層の絶縁基板４２ｄ上には、抵抗等のチップ部品５２が本発明の銀／白金導体を介してハンダ実装により取り付けられている。積層基板４１の内部には、銀からなる配線層５４やバイアホール導体５６が設けられている。
【００５８】次に、上記パワーアンプの製造方法について説明するが、はじめに、該パワーアンプに用いられる積層基板の製造方法について説明する。
【００５９】上述の実施例１と同様に、グリーンシート（厚み０．１５ｍｍ）を作成し、１００ｍｍ×１００ｍｍの大きさに切断したものを準備する。各層のグリーンシートには、内層用の回路パターンを銀の導電ペースト、表層用の回路パターンを本発明の銀／白金の導電ペーストを用いてスクリーン印刷法によりマトリックス状に印刷し、また、下から３層目及び４層目となるシートには、ステップ部４８及びキャビティ４４を形成するための通孔をマトリックス状に形成する。次に、回路パターンが印刷されたグリーンシートを積層して、グリーンシートと回路を形成する銀及び／又は白金導電ペーストを同時焼成する。焼成した大型積層基板を図６〜図８に示す。
【００６０】図６に示すように、大型積層基板６０は、互いに直交するＸ方向及びＹ方向に拡がる多数のチップ領域６２からなり、点線で示す切断線６４で切断することにより、１つの積層基板６０から多数個のパワーアンプ用基板を作ることができる。
【００６１】図７は、図６に示す線VII−VIIに沿った断面図である。図７に示すように、縁部を除く積層基板の長さは６３ｍｍであり、１つのチップ領域の長さは７ｍｍである。また、積層基板６０全体の長さは７５ｍｍである。
【００６２】図８は、図７に示す部分Ｓの拡大図である。図８に示すように、積層基板６０は、層Ｌａ、Ｌｂ、Ｌｃ及びＬｄからなる。各層には、金属配線、パッド等を形成するために銀メタライズ層が設けられる。層Ｌａの下面には、本発明の銀／白金メタライズ層が設けられ、上面には銀メタライズ層が設けられる。層Ｌｂ、層Ｌｃ及び層Ｌｄの上面には本発明の銀／白金メタライズ層が設けられる。また、層Ｌａの下面と、層Ｌｂ、Ｌｃ及びＬｄの露出部には、メタライズ層を覆うようにして絶縁のためのセラミックコートが形成される。このように、積層基板６０は、銀及び／又は白金のメタライズ層が設けられた絶縁基板を、複数枚積層したものを焼成したものであるが、上述したように、絶縁基板の組成を本発明の範囲内とすることにより、該絶縁基板が導体層と物性的にマッチングするため、上記のような大型積層基板６０を作成しても焼成後の積層基板に反りや変形は殆どない。
【００６３】次に、集積回路及びチップ部品を実装し、図示しない電磁シールド用メタルキャップが取り付けられる。その後、図６に示す点線６４で切断する。これにより、１つの基板から多数のパワーアンプ部品が得られる。
【００６４】図４に示すパワーアンプは、図５に示す従来のパワーアンプに比べて小型化している。これは、従来のパワーアンプ用基板は１層の基板４１０からなるので、基板表面にしか配線及び回路要素を設けることができないため、大きな面積が必要であったためである。本発明が適用された積層基板では基板内部に配線及び必要であれば回路要素を設けることができるため、従来よりもコンパクトなパワーアンプが得られる。
【００６５】以上のように、本発明の銀／白金メタライズ層を有する積層基板は、大型であっても反りや変形がないことが特徴である。たとえば、上記７５ｍｍ×７５ｍｍの４層の大型積層基板６０における焼成後の反りは４０μｍ以下である。従って、このような大型の積層基板を用いて、パワーアンプを高い生産効率で作ることができる。また、パワーアンプを小型化することができる。
【００６６】なお、上記実施例では、本発明が適用される回路構成として、ローパスフィルタ内蔵カプラとパワーアンプについて説明したが、本発明はローパスフィルタ、ハイパスフィルタ等のフィルタ回路、その他のマイクロ波回路に応用することができる。
【００６７】尚、本発明の実施の形態は、上記実施形態に何ら限定されるものではなく、本発明の技術的範囲に属する限り種々の形態を採り得ることはいうまでもない。
【００６８】
【発明の効果】以上のように、本発明の導電ペーストを用いれば、ホウケイ酸鉛系ガラスをガラス主成分とするガラスセラミックからなる基板に、密着強度、ハンダ耐熱性、基板との焼成マッチングに優れ、導体損失を低減した表層配線を容易に同時焼成にて形成することができる。かかる導電ペーストを用いたセラミック配線基板は、ハンダ実装等の実装工程で優れた信頼性を有するものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例が適用された、携帯電話に用いられるローパスフィルタ内蔵カプラを示す概略図である。
【図２】図１に示すローパスフィルタ内蔵カプラの積層基板を示す斜視図であり、（ａ）は、インダクタンス回路が設けられた基板を示し、（ｂ）は、キャパシタンス回路が設けられた基板を示す。
【図３】図２（ｂ）に示す絶縁基板を９個取りするセラミックグリーンシートの平面図である。
【図４】本発明が適用されたパワーアンプを示す一部切り欠き断面図である。
【図５】従来のパワーアンプの側面図である。
【図６】本発明が適用された大型積層基板を示す斜視図である。
【図７】図６に示す線VII−VIIに沿う断面図である。
【図８】図７に示す領域Ｓの拡大図である。
【符号の説明】
１０−−−ローパスフィルタ内蔵カプラ
１２，１２ａ，１２ｂ，１２ｃ−−−絶縁基板
１３−−−銀／白金導体
１４ａ，１４ｂ−−−インダクタンス回路
２０ａ，２０ｂ，２０ｃ−−−キャパシタンス回路
２２−−−キャパシタンス回路
３０−−−グリーンシート
３２−−−回路パターン
３４−−−切断線
４０−−パワーアンプ
４１−−−積層基板
４２ａ，４２ｂ，４２ｃ，４２ｄ−−−絶縁基板
５４−−−銀配線層
５６−−−バイアホール銀導体
６０−−−大型積層基板
６２−−−チップ領域
６４−−−切断線
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ガラスセラミックからなるセラミック配線基板等に用いられる導電ペースト及びそれを用いたセラミック配線基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器の小型化・高性能化に伴い、電子部品や配線基板に要求される小型化や電気的特性への要求は厳しくなりつつある。従来より、電子部品や配線基板を小型化する方法としては、配線や絶縁層を順次印刷・焼成していく印刷多層技術や、導電ペーストで配線を印刷形成したセラミックグリーンシートを積層して同時焼成する多層配線化技術がある。
【０００３】しかし、同時焼成による多層配線化技術では、絶縁体としてアルミナやチタン酸鉛等の焼成温度が１０００℃以上のセラミック材料を用いるため、配線材料にはタングステンやパラジウムといった融点が１０００℃以上の高融点金属を用いる必要があった。これらの高融点金属は導体抵抗が高いため、導体中を流れる電気信号の損失（いわゆる導体損失）が大きいといった欠点があり、電気特性への市場の要求を満たすことができなくなってきている。
【０００４】そこで近年は、更なる市場の要求特性に応えるために、導体抵抗が低い銀、金、銅等を導体材料に使用可能で、かつ、１０００℃以下で焼成可能な低温焼成材料を用いた配線基板や電子部品が種々開発されている。特に銀は導体抵抗が低く、銅と異なり酸化雰囲気中でも焼成可能なことから、はやくから低温焼成材料との同時焼成技術が検討・開発されており、その結果、セラミック配線基板の電気的特性は向上した。
【０００５】しかし、銀はハンダにくわれやすかったり、銀イオンがマイグレーションして配線間が短絡する、といった信頼性の問題があるため、そのまま銀を配線基板の表層配線として用いることはできなかった。基板のハンダ実装時や集積回路チップ実装時に発生するハンダくわれ対策として、一般には銀配線の表面にニッケルメッキ等を施すが、酸やアルカリ等の薬液による前処理が導体の基板への密着強度を下げたり、メッキ工程の追加によるコスト高といった問題をもたらす。
【０００６】銀導体のハンダくわれや銀イオンのマイグレーションを解決するためには、銀に耐熱性の高いパラジウム又は白金を添加した銀／パラジウム導体又は銀／白金導体を用いるのが有効である。銀／パラジウムは、パラジウム濃度が５〜３０％の組成において、銀／白金は、白金濃度が０．１〜５％の組成において、厚膜法によるポストファイヤメタライズとしてよく用いられている。尚、「厚膜法によるポストファイヤ」とは、焼成済みの基板に導電ペーストを印刷して配線を形成した後、基板の焼成温度以下の温度で導体を焼き付けることをいう。
【０００７】厚膜法によるポストファイヤにて表層配線を形成する技術としては、以下のような例がある。特開平４−８８０６７号公報には、銀／パラジウムにマンガンの酸化物と酸化クロムとガラスフリットを添加した導電ペーストが開示されている。それによって、表層配線の高温エージング後の密着強度やハンダぬれ性を向上する効果が得られている。特公平６−５０７０５号公報には、銀に二酸化ケイ素とガラスフリットを添加した導電ペーストが開示されている。それによって、表層配線の密着強度やハンダくわれ性を向上する効果が得られている。特公平５−１４３６３号公報には、銀に酸化ビスマスと酸化銅と二酸化マンガンとガラスフリットを添加した導電ペーストが開示されている。それによって、表層配線の密着強度やハンダくわれ性を向上する効果が得られている。しかし、これらはいずれも厚膜法によるポストファイヤであるため、その分工数が増えてコスト高になる。また、ガラスフリットは焼成中に軟化して導体粒子間に溜まるため、ハンダに導体表面を一層くわれるとガラスの浮いた導体層が露出してハンダをはじく問題がある。更には、銀／パラジウムは導体抵抗が高いため表層配線において電気信号の導体損失が大きい問題がある。
【０００８】コスト低減をするために、銀系表層配線を基板と同時焼成で形成する技術が検討された。上記の厚膜法と異なり、同時焼成法による例はあまり多く見られない。特開平９−１９８９１９号公報及び特開平９−７４２５６号公報には、銀に五酸化二バナジウムを添加した導電ペーストを用いて、表層配線の密着強度やハンダぬれ性や基板の反りを改善した基板が開示されている。また、特公平５−７４１６６号公報には、銀、パラジウム、白金等の貴金属にモリブデン、タングステンを添加した導電ペーストが開示されている。表層配線のハンダぬれ性を改善する効果が得られている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】表層配線の導体抵抗を下げ、且つ、耐ハンダ特性を向上させたセラミック配線基板を得る目的で、単に銀／白金のみを用いて表層配線を形成しても、
【００１０】上記
【００１１】上記
【００１２】上記
【００１３】本発明は、上記従来の諸問題を解決するものであり、表層配線に銀／白金を用いて未焼成のセラミックと同時焼成しても、配線導体の初期密着強度、ハンダぬれ性、高温放置エージングによる劣化特性、２６０℃のハンダ耐熱性、基板の反りといった評価項目に優れた特性が得られる導電ペーストとそれを用いたセラミック配線基板を提供することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】請求項１は、銀／白金１００重量部に対して二酸化マンガンを０．２〜１重量部、酸化銅を０．２〜１重量部、二酸化ケイ素を０．３〜１重量部、モリブデン及びタングステンの金属粉末を３〜５．６重量部含有することを特徴とする導電ペーストを要旨とする。
【００１５】該導電ペーストが奏する具体的な効果は以下のようである。
【００１６】請求項２は、銀／白金１００重量部に対して二酸化マンガンを０．２〜１重量部、酸化銅を０．２〜１重量部、ＢＥＴ法による比表面積が５０ｍ2／ｇ以上で、且つ、１次粒子の平均径が５〜５０ｍμｍで、且つ、純度が９９．８％以上の二酸化ケイ素を０．３〜１重量部、モリブデン及びタングステンの金属粉末を３〜５．６重量部含有することを特徴とする導電ペーストを要旨とする。
【００１７】該導電ペーストが奏する具体的な効果は以下のようである。
【００１８】請求項３は、ホウケイ酸鉛系ガラスをガラス主成分とするガラスセラミックからなる絶縁部と、銀を主成分とする配線部からなるセラミック配線基板であって、該配線部の少なくとも一部が、銀／白金１００重量部に対して二酸化マンガンを０．２〜１重量部含有する銀／白金で構成されることを特徴とするセラミック配線基板を要旨とする。
【００１９】銀／白金１００重量部に対して二酸化マンガンを０．２〜１重量部含有する銀／白金で構成される配線部を有するセラミック配線基板は、配線部の信頼性とコスト低減に優れるメリットがある。また、ガラスフリットを一切含まないため、ハンダぬれ性を良好にできる。ホウケイ酸鉛系ガラスをガラス主成分とするガラスセラミックは焼成時の収縮挙動が比較的安定しており、配線導体との焼成収縮差をあわせ込みやすいメリットがある。特には、ガラスの軟化点が６５０〜７８０℃の範囲にあるホウケイ酸鉛系ガラスをガラス主成分とするガラスセラミックが好ましい。
【００２０】請求項４は、ホウケイ酸鉛系ガラスをガラス主成分とするガラスセラミックからなる絶縁部と、銀を主成分とする配線部からなるセラミック配線基板であって、該配線部の少なくとも一部が、銀／白金１００重量部に対して二酸化マンガンを０．２〜１重量部、酸化銅を０．２〜１重量部、二酸化ケイ素を０．３〜１重量部、モリブデン及びタングステンの金属粉末を３〜５．６重量部含有する導電ペーストを用いて形成したセラミック配線基板を要旨とする。
【００２１】銀／白金に二酸化マンガン、二酸化ケイ素、酸化銅、モリブデン及びタングステンの金属粉末を添加した導電ペーストを用いてホウケイ酸鉛系ガラスをガラス主成分とするガラスセラミックからなる未焼成基板上に配線を形成し、同時焼成することで、配線導体の初期密着強度、高温放置エージングによる劣化特性、２６０℃のハンダ耐熱性、基板の反りといった諸問題を解決し、信頼性とコスト低減に優れたセラミック配線基板を提供できる。ホウケイ酸鉛系ガラスをガラス主成分とするガラスセラミックは焼成時の収縮挙動が比較的安定しており、配線導体との焼成収縮差をあわせ込みやすいメリットがある。特には、ガラスの軟化点が６５０〜７８０℃の範囲にあるホウケイ酸鉛系ガラスをガラス主成分とするガラスセラミックが好ましい。
【００２２】請求項５は、ホウケイ酸鉛系ガラスをガラス主成分とするガラスセラミックからなる絶縁部と、銀を主成分とする配線部からなるセラミック配線基板であって、該配線部の少なくとも一部が、銀／白金１００重量部に対して二酸化マンガンを０．２〜１重量部、酸化銅を０．２〜１重量部、ＢＥＴ法による比表面積が５０ｍ2／ｇ以上で、且つ、１次粒子の平均径が５〜５０ｍμｍで、且つ、純度が９９．８％以上の二酸化ケイ素を０．３〜１重量部、モリブデン及びタングステンの金属粉末を３〜５．６重量部含有する導電ペーストを用いて形成したことを特徴とするセラミック配線基板を要旨とする。
【００２３】銀／白金に二酸化マンガン、所定の物性値を有する微粉末状の二酸化ケイ素、酸化銅、モリブデン及びタングステンの金属粉末を添加した導電ペーストを用いてホウケイ酸鉛系ガラスをガラス主成分とするガラスセラミックからなる未焼成基板上に配線を形成し、同時焼成することで、配線導体の初期密着強度、高温放置エージングによる劣化特性、２６０℃のハンダ耐熱性、基板の反りといった諸問題を解決し、信頼性とコスト低減に優れたセラミック配線基板を提供できる。特には、所定の物性値を有する微粉末状の二酸化ケイ素の添加により、表層配線の１５０℃高温放置エージング特性をより効果的に向上できる。ホウケイ酸鉛系ガラスをガラス主成分とするガラスセラミックは焼成時の収縮挙動が比較的安定しており、配線導体との焼成収縮差をあわせ込みやすいメリットがある。特には、ガラスの軟化点が６５０〜７８０℃の範囲にあるホウケイ酸鉛系ガラスをガラス主成分とするガラスセラミックが好ましい。
【００２４】請求項３乃至請求項５にいうセラミック配線基板の例としては、積層型のＬＣフィルタ、カプラ（方向性結合器）、ローパスフィルタ内蔵カプラ、電力分配器、バラン（平衡−不平衡変換素子）、ミキサーモジュール基板、ＰＬＬモジュール基板、ＶＣＯ（電圧制御形発振器）、ＴＣＸＯ（温度補償形水晶発振器）等のいわゆる電子部品が挙げられる。通常の共晶ハンダを用いた実装工程を経ても十分な信頼性を有するセラミック配線基板が得られる。鉛レスの高融点ハンダを用いたハンダ実装工程にも十分対応可能である。
【００２５】上記電子部品以外の適用例としては、フリップチップ接続方式の集積回路チップを電気的に接続するための電極パッド群を備えたセラミック配線基板が挙げられる。具体的には、Ｃ４（Controlled Collapse Chip Connection）法を用いた、いわゆるＣ４パッケージ、ＣＳＰ（Chip Size Package）等が挙げられる。これらのパッケージに抵抗、コンデンサ、インダクタのうち少なくとも1つを一体化してモジュール化したものであっても良い。集積回路チップの接続に、通常の共晶ハンダを用いた実装工程を経ても十分な信頼性を有するセラミック配線基板が得られる。また、鉛レスの高融点ハンダ、或いは金スズを用いた集積回路チップ実装工程にも十分対応可能である。
【００２６】
【実施例】以下に、実施例によって本発明を詳しく説明する。尚、本発明の実施の形態は以下に記載する構成にのみ限定されるものではない。
【００２７】（１）セラミックグリーンシートの製作以下の方法により、セラミック配線基板用のセラミックグリーンシートの製作を行なった。
【００２８】セラミック原料として、軟化点が６７８℃のホウケイ酸鉛ガラス粉末（組成：ＳｉＯ2（４９％）、Ａｌ2Ｏ3（５％）、Ｂ2Ｏ3（５％）、Ｎａ2Ｏ（２．５％）、Ｋ2Ｏ（１．５％）、ＣａＯ（５％）、ＰｂＯ（３２％））と市販のα−アルミナ粉末（住友化学製 Ａｌ−Ｓ４３Ａ）を用意した。有機バインダーとしては、メタクリル酸エチル系のアクリル樹脂を用意した。
【００２９】次に、アルミナ製のポットに、上記のガラス粉末とアルミナ粉末とを重量比で１：１、総量で１ｋｇとなるように秤量して入れた。さらに溶剤としてＭＥＫ（メチルエチルケトン）を２００ｇ、上記のアクリル樹脂を１００ｇ、可塑剤としてＤＯＰ（ジオクチルフタレート）を５０ｇ、分散剤を５ｇ、上記のポットに入れ、１０時間混合した。こうしてセラミックグリーンシート成形用のスラリーを得た。このスラリーを用いて、公知のドクターブレード法を用いてシート厚み０．４ｍｍのセラミックグリーンシートを得た。
【００３０】（２）銀／白金導電ペーストの製作導電成分として、銀粉末（平均粒径３μｍ）９８重量部と白金粉末（平均粒径０．２μｍ）２重量部、バインダー成分として、エチルセルロース５重量部とブチルカルビトール１５重量部と、二酸化マンガン（平均粒径１μｍ）、酸化銅（平均粒径１μｍ）と、二酸化ケイ素（ＢＥＴ法による比表面積３８０ｍ2／ｇ、１次粒子の平均径７ｍμｍ、純度が９９．８％以上）、セラミックグリーンシートに用いたホウケイ酸鉛系ガラスフリット（平均粒径２．５μｍ）、モリブデン（平均粒径２．５μｍ）及びタングステン（平均粒径０．６μｍ）とを表１及び表２に記載の量比で配合し、これらの混合物を三本ロールミルを用いて混練して導電ペーストを調製した。
【００３１】（３）評価基板の製作上記（１）で製作したセラミックグリーンシートを４枚積層圧着し、積層体を製作した。積層体の最上層に上記（２）で製作した導電ペーストを用いて、焼成後に２ｍｍ□になる所定の大きさで表層配線をスクリーン印刷法にて形成した。その後、大気雰囲気中で最高保持温度８４０℃で焼成を行った。得られた評価基板の寸法は、５０ｍｍ□×厚み１．３５ｍｍであった。一基板上には、２ｍｍ□×厚み２０μｍの表層配線が１００個形成されている。
【００３２】（４）基板の反りの測定上記（３）で製作した評価基板の銀／白金配線に発生するうねり量を、表面粗度計を用いて測定し、基板の「反り」として評価した。具体的には、表面粗度計を用いて表層配線上を評価基板の対角線に沿ってトレースして得られた凹凸量から表層配線の厚みを差し引いた数値をいう。反りの値としては、４０μｍ未満のものを合格とした。表１においては実測値を示した。表２においては４０μｍ未満の合格したものを「○」で示した。結果を表１及び表２に併記した。
【００３３】（５）ハンダぬれ性試験上記（３）で製作した評価基板を２３０℃に加熱・溶融した錫／鉛共晶ハンダ浴に５秒間浸漬し、表層導体上にハンダをのせた。銀／白金配線の面積に対するハンダの面積比を画像処理機を用いて求めた。銀／白金配線の面積に対するハンダの面積比が９５％以上のものを合格とした。結果を表１及び表２に併記した。
【００３４】（６）ハンダ耐熱試験上記（３）で製作した評価基板を２６０℃に加熱・溶融した錫／鉛共晶ハンダ浴に１０秒間浸漬し、表層導体上にハンダをのせる作業を繰り返し行い、1回目、３回目、５回目の浸漬後のハンダぬれの状態を確認した。ハンダが十分にぬれた状態を合格として「○」、配線がハンダにくわれてなくなった状態を不合格として「×」とした。３回以上もったものを合格とした。結果を表１及び表２に併記した。
【００３５】（７）密着強度試験上記（３）で製作した評価基板を２３０℃に加熱・溶融した錫／鉛共晶ハンダ浴に５秒間浸漬し、表層導体上にハンダをのせた。ハンダののった表層配線に直径０．５ｍｍのニッケルメッキ付き銅線をハンダ付けし、基板面の法線方向に２０ｍｍ／分の速度でリードプルテスターで引っ張り、表層導体と基板間での破断発生時の強度を初期強度として測定した。残りの評価基板を大気雰囲気中で１５０℃に加熱した恒温槽に入れてエージングを行った。５０時間経過後及び５００時間経過後にそれぞれ取り出し、初期強度と同様にリードプルテスターで引っ張り、表層導体と基板間での破断発生時の強度を測定した。尚、初期強度は３．９ｋｇｆ／２ｍｍ□以上、エージング５０時間経過後の密着強度は２．２ｋｇｆ／２ｍｍ□以上、エージング５００時間経過後の密着強度は１．０ｋｇｆ／２ｍｍ□以上が合格である。結果を表１及び表２に併記した。
【００３６】
【表１】
【００３７】
【表２】
【００３８】表１は、請求項２に記載の発明に対応する結果である。本発明の実施例である試料番号２乃至試料番号６及び試料番号１６の結果を見ると、反りが３６μｍ以下、ハンダぬれ性が９５〜１００％、ハンダ耐熱性が３〜５回、初期密着強度が３．９４〜４．４３ｋｇｆ／２ｍｍ□、エージング５０時間後の密着強度が２．２８〜２．８８ｋｇｆ／２ｍｍ□、エージング５００時間後の密着強度が１．０５〜１．２８ｋｇｆ／２ｍｍ□と、全ての項目において十分合格レベルであった。
【００３９】一方、二酸化マンガンの添加量が０．１重量部の比較例である試料番号１を見ると、反りが４０μｍ、ハンダ耐熱性が１回、初期密着強度が３．５８ｋｇｆ／２ｍｍ□、エージング５０時間後の密着強度が２．１０ｋｇｆ／２ｍｍ□、エージング５００時間後の密着強度が０．８６ｋｇｆ／２ｍｍ□と、合格基準を下回る結果となった。二酸化マンガンの添加量が０．２重量部未満では十分な特性が得られないことがわかる。
【００４０】また、二酸化マンガンの添加量が１．２重量部の比較例である試料番号７を見ると、ハンダぬれ性が７０％で不合格で、他の評価項目は合格であった。これは二酸化マンガンの添加量が１．０重量部を越えると表層配線上に二酸化マンガンが浮いてハンダぬれ性を低下させたものと推察される。
【００４１】ガラスフリット添加した比較例である試料番号８乃至試料番号１１をみると、ハンダぬれ性が３０〜７５％、ハンダ耐熱性がすべて１回目で不合格と、特にハンダ関係で劣る結果となった。表層配線上にガラスフリットが浮きあがっているため、ハンダぬれ性やハンダ耐熱性が著しく劣化したものと推察される。
【００４２】酸化ビスマスを添加した比較例である試料番号１２乃至試料番号１４をみると、添加量が増えるにつれてハンダぬれ性やハンダ耐熱性が劣化していくことがわかる。酸化ビスマスは二酸化マンガンと異なり、表層配線上に浮きあがりやすいものと推察される。また、エージング５００時間後の密着強度も１．０ｋｇｆ／２ｍｍ□未満であり、エージング劣化も大きいことがわかる。
【００４３】尚、試料番号１５乃至試料番号１７は、二酸化マンガン添加系に対するモリブデン及びタングステンの添加量の影響を調べたものである。添加量が３重量部以下の試料番号１５を見ると、反りが１３０μｍとかなり大きくなっている。モリブデン及びタングステンの添加量の効果は主に反りに利いていることが分かる。一方、添加量が５．６重量部以上の試料番号１７を見ると、エージング５００時間後の密着強度が１．０ｋｇｆ／２ｍｍ□未満である。添加量が必要以上に多いと、エージング劣化に利いてくることがわかる。
【００４４】表２は、請求項１及び請求項３に記載の発明に対応する結果である。実施例である試料番号１８乃至試料番号２２及び試料番号２４乃至試料番号２６を見ると、反りが４０μｍ未満、ハンダぬれ性が９５〜１００％、ハンダ耐熱性が３〜５回、初期密着強度が４．３５〜４．８９ｋｇｆ／２ｍｍ□、エージング５０時間後の密着強度が３．１１〜３．７６ｋｇｆ／２ｍｍ□、エージング５００時間後の密着強度が１．３５〜２．２４ｋｇｆ／２ｍｍ□と、全ての項目において十分合格レベルであった。
【００４５】尚、実施例である試料番号２４乃至試料番号２６と比較例である試料番号２７は、酸化銅の添加量の影響を調べた結果である。酸化銅の添加量が増えるにつれてハンダぬれ性及びハンダ耐熱性が劣化していくことがわかる。全ての特性を合格するには、酸化銅の添加量は１．０重量部以下にする必要があることがわかる。
【００４６】試料番号２３は、二酸化ケイ素の添加量が１．０重量部を越える比較例である。ハンダぬれ性が７５％、ハンダ耐熱性が１回と、ハンダ関係の特性が劣る結果となった。これは、二酸化ケイ素の添加量が１．０重量部を越えると表層配線の上に二酸化ケイ素が浮いた状態となってハンダ特性を劣化させるものと推察される。
【００４７】試料番号２８乃至試料番号３０は、ガラスフリットを添加した比較例である。ガラスフリットの添加量が増えるにつれて、やはりハンダぬれ性及びハンダ耐熱性が劣化していくことがわかる。尚、エージング５００時間後の密着強度もかなり劣化しているが、これはガラスフリットによるガラス結合層がエージング時の加熱によって強度劣化を促進したものと推察される。
【００４８】試料番号３１乃至試料番号３５は白金添加量を０〜５重量部の間で変化させた結果である。白金無添加の比較例である試料番号３１では、ハンダぬれ性及びハンダ耐熱性について大きく劣る結果となった。一方、白金添加量が０．１〜５重量部の実施例である試料番号３２乃至試料番号３５では、全ての評価項目において良好な結果を示した。ハンダ特性については、耐熱性の高い白金を添加した効果が如実に表れている。尚、白金添加量を５重量部以上にしない理由は、銀／白金の焼成温度が銀と比較して１００℃以上上がってしまい焼けなくなるからである。また、高価な白金を多く用いることによるコスト高も問題となる。したがって、白金添加量は通常０．１〜５重量部、特性上及びコスト上のバランスを考えると、０．５〜３重量部の範囲が好ましい。
【００４９】本発明の導電ペーストを用いたセラミック配線基板を応用してマイクロ波回路チップを作成することができる。
【００５０】次に、本発明を適用したマイクロ波回路チップの一例としてのローパスフィルタ内蔵カプラと、それを構成するインダクタンス回路及びキャパシタンス回路について説明する。
【００５１】図１は、携帯電話機に用いられるローパスフィルタ内蔵カプラを示す概略図である。図１に示すように、ローパスフィルタ内蔵カプラ１０は、８層の絶縁基板１２を積層して構成される。各絶縁基板１２は、上記実施例１の絶縁基板の表面などに必要な回路要素を形成したものである。ローパスフィルタ内蔵カプラ１０のサイズは、長さ３．２ｍｍ、幅１．６ｍｍ、高さ１．３ｍｍである。図１は概略図であり、縦方向の縮尺と横方向の縮尺とは同一でなないことに留意されたい。ローパスフィルタ内蔵カプラ１０の両側面に形成された６つの凹部１１には、１つの層の回路要素と他の層の回路要素とを電気的に接続するための層間導体としての配線１３が設けられている。配線１３は、本発明の導電ペーストを用いて形成した銀／白金で構成されている。尚、配線１３以外の内層導体は銀から構成されている。導体抵抗をより低く抑えて、伝送ロスを低減する趣旨である。
【００５２】図２（ａ）及び図２（ｂ）は、図１に示すローパスフィルタ内蔵カプラの積層基板のうち、インダクタンス回路が設けられた基板とキャパシタンス回路が設けられた基板とを示す図である。
【００５３】図２（ａ）に示す絶縁基板１２ａには、インダクタンス回路１４ａ及び１４ｂと、層間導体としてのバイアホール導体１６と、該バイアホール導体１６と電気的に接続されたコンタクト領域１８とが形成されている。図２（ｂ）に示す絶縁基板１２ｂには、キャパシタンス回路２０ａ、２０ｂ及び２０ｃが形成され、絶縁基板１２ｃには、キャパシタンス回路２２が形成されている。
【００５４】図２（ａ）に示すインダクタンス回路１４ａ及び１４ｂと、コンタクト領域１８とは、絶縁基板１２ａの上に積層される絶縁基板の回路要素と電気的に接続され、バイアホール導体１６は、絶縁基板１２ａの下に積層される絶縁基板の回路要素と電気的に接続される。図２（ｂ）に示すキャパシタンス回路２０ａ、２０ｂ及び２０ｃとキャパシタンス回路２２との間で形成される静電容量により、キャパシタンスが形成される。
【００５５】次に、上述のローパスフィルタ内蔵カプラ１０の製造方法を、図３を参照して説明する。図３は、図２（ｂ）に示す絶縁基板１２ｃを９個取りするセラミックグリーンシートの平面図である。グリーンシート３０の上面には、キャパシタンス回路を形成するための銀ペーストからなる回路パターン３２がスクリーン印刷により形成されている。図３において、点線３４は各絶縁基板を形成する際の切断線を示している。この点線３４に沿って、図１に示す凹部１１を形成するための通孔３６がパンチにより打ち抜かれている。
【００５６】各絶縁基板１２に図２（ａ）及び図２（ｂ）に示すような必要な回路パターンを形成したものを８層積層し、次に、通孔３６の内壁面に本発明の銀／白金導電ペーストをスクリーン印刷法で印刷する。次に、図３に示す点線３４に沿って切断を行う。次に、絶縁基板を構成するグリーンシート及び回路パターンを構成する銀／白金導電ペーストを同時に焼成する。これにより、図１に示すローパスフィルタ内蔵カプラが得られる。
【００５７】図４は、本発明が適用されたパワーアンプを示す一部切欠断面図である。図４に示すように、パワーアンプ４０は、４層の絶縁基板４２ａ〜４２ｄを積層して構成されるが、積層基板４１の中央部にはキャビティ４４が設けられている。キャビティ４４の領域における絶縁基板４２ｃ、４２ｄは２層構造をなしている。このキャビティ４４を規定する絶縁基板４２ｂ上には、集積回路が作りつけられた半導体チップ４６が本発明の銀／白金導体を介して金／錫ロー材を用いて搭載されている。キャビティ４４を取り囲むステップ部４８と半導体チップ４６とは、ボンディングワイヤ５０により電気的に接続されている。最上層である第４層の絶縁基板４２ｄ上には、抵抗等のチップ部品５２が本発明の銀／白金導体を介してハンダ実装により取り付けられている。積層基板４１の内部には、銀からなる配線層５４やバイアホール導体５６が設けられている。
【００５８】次に、上記パワーアンプの製造方法について説明するが、はじめに、該パワーアンプに用いられる積層基板の製造方法について説明する。
【００５９】上述の実施例１と同様に、グリーンシート（厚み０．１５ｍｍ）を作成し、１００ｍｍ×１００ｍｍの大きさに切断したものを準備する。各層のグリーンシートには、内層用の回路パターンを銀の導電ペースト、表層用の回路パターンを本発明の銀／白金の導電ペーストを用いてスクリーン印刷法によりマトリックス状に印刷し、また、下から３層目及び４層目となるシートには、ステップ部４８及びキャビティ４４を形成するための通孔をマトリックス状に形成する。次に、回路パターンが印刷されたグリーンシートを積層して、グリーンシートと回路を形成する銀及び／又は白金導電ペーストを同時焼成する。焼成した大型積層基板を図６〜図８に示す。
【００６０】図６に示すように、大型積層基板６０は、互いに直交するＸ方向及びＹ方向に拡がる多数のチップ領域６２からなり、点線で示す切断線６４で切断することにより、１つの積層基板６０から多数個のパワーアンプ用基板を作ることができる。
【００６１】図７は、図６に示す線VII−VIIに沿った断面図である。図７に示すように、縁部を除く積層基板の長さは６３ｍｍであり、１つのチップ領域の長さは７ｍｍである。また、積層基板６０全体の長さは７５ｍｍである。
【００６２】図８は、図７に示す部分Ｓの拡大図である。図８に示すように、積層基板６０は、層Ｌａ、Ｌｂ、Ｌｃ及びＬｄからなる。各層には、金属配線、パッド等を形成するために銀メタライズ層が設けられる。層Ｌａの下面には、本発明の銀／白金メタライズ層が設けられ、上面には銀メタライズ層が設けられる。層Ｌｂ、層Ｌｃ及び層Ｌｄの上面には本発明の銀／白金メタライズ層が設けられる。また、層Ｌａの下面と、層Ｌｂ、Ｌｃ及びＬｄの露出部には、メタライズ層を覆うようにして絶縁のためのセラミックコートが形成される。このように、積層基板６０は、銀及び／又は白金のメタライズ層が設けられた絶縁基板を、複数枚積層したものを焼成したものであるが、上述したように、絶縁基板の組成を本発明の範囲内とすることにより、該絶縁基板が導体層と物性的にマッチングするため、上記のような大型積層基板６０を作成しても焼成後の積層基板に反りや変形は殆どない。
【００６３】次に、集積回路及びチップ部品を実装し、図示しない電磁シールド用メタルキャップが取り付けられる。その後、図６に示す点線６４で切断する。これにより、１つの基板から多数のパワーアンプ部品が得られる。
【００６４】図４に示すパワーアンプは、図５に示す従来のパワーアンプに比べて小型化している。これは、従来のパワーアンプ用基板は１層の基板４１０からなるので、基板表面にしか配線及び回路要素を設けることができないため、大きな面積が必要であったためである。本発明が適用された積層基板では基板内部に配線及び必要であれば回路要素を設けることができるため、従来よりもコンパクトなパワーアンプが得られる。
【００６５】以上のように、本発明の銀／白金メタライズ層を有する積層基板は、大型であっても反りや変形がないことが特徴である。たとえば、上記７５ｍｍ×７５ｍｍの４層の大型積層基板６０における焼成後の反りは４０μｍ以下である。従って、このような大型の積層基板を用いて、パワーアンプを高い生産効率で作ることができる。また、パワーアンプを小型化することができる。
【００６６】なお、上記実施例では、本発明が適用される回路構成として、ローパスフィルタ内蔵カプラとパワーアンプについて説明したが、本発明はローパスフィルタ、ハイパスフィルタ等のフィルタ回路、その他のマイクロ波回路に応用することができる。
【００６７】尚、本発明の実施の形態は、上記実施形態に何ら限定されるものではなく、本発明の技術的範囲に属する限り種々の形態を採り得ることはいうまでもない。
【００６８】
【発明の効果】以上のように、本発明の導電ペーストを用いれば、ホウケイ酸鉛系ガラスをガラス主成分とするガラスセラミックからなる基板に、密着強度、ハンダ耐熱性、基板との焼成マッチングに優れ、導体損失を低減した表層配線を容易に同時焼成にて形成することができる。かかる導電ペーストを用いたセラミック配線基板は、ハンダ実装等の実装工程で優れた信頼性を有するものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例が適用された、携帯電話に用いられるローパスフィルタ内蔵カプラを示す概略図である。
【図２】図１に示すローパスフィルタ内蔵カプラの積層基板を示す斜視図であり、（ａ）は、インダクタンス回路が設けられた基板を示し、（ｂ）は、キャパシタンス回路が設けられた基板を示す。
【図３】図２（ｂ）に示す絶縁基板を９個取りするセラミックグリーンシートの平面図である。
【図４】本発明が適用されたパワーアンプを示す一部切り欠き断面図である。
【図５】従来のパワーアンプの側面図である。
【図６】本発明が適用された大型積層基板を示す斜視図である。
【図７】図６に示す線VII−VIIに沿う断面図である。
【図８】図７に示す領域Ｓの拡大図である。
【符号の説明】
１０−−−ローパスフィルタ内蔵カプラ
１２，１２ａ，１２ｂ，１２ｃ−−−絶縁基板
１３−−−銀／白金導体
１４ａ，１４ｂ−−−インダクタンス回路
２０ａ，２０ｂ，２０ｃ−−−キャパシタンス回路
２２−−−キャパシタンス回路
３０−−−グリーンシート
３２−−−回路パターン
３４−−−切断線
４０−−パワーアンプ
４１−−−積層基板
４２ａ，４２ｂ，４２ｃ，４２ｄ−−−絶縁基板
５４−−−銀配線層
５６−−−バイアホール銀導体
６０−−−大型積層基板
６２−−−チップ領域
６４−−−切断線
【特許請求の範囲】
【請求項１】 銀／白金１００重量部に対して二酸化マンガンを０．２〜１重量部、酸化銅を０．２〜１重量部、二酸化ケイ素を０．３〜１重量部、モリブデン及びタングステンの金属粉末を３〜５．６重量部含有することを特徴とする導電ペースト。
【請求項２】 銀／白金１００重量部に対して二酸化マンガンを０．２〜１重量部、酸化銅を０．２〜１重量部、ＢＥＴ法による比表面積が５０ｍ2／ｇ以上で、且つ、１次粒子の平均径が５〜５０ｍμｍで、且つ、純度が９９．８％以上の二酸化ケイ素を０．３〜１重量部、モリブデン及びタングステンの金属粉末を３〜５．６重量部含有することを特徴とする導電ペースト。
【請求項３】 ホウケイ酸鉛系ガラスをガラス主成分とするガラスセラミックからなる絶縁部と、銀を主成分とする配線部からなるセラミック配線基板であって、該配線部の少なくとも一部が、銀／白金１００重量部に対して二酸化マンガンを０．２〜１重量部含有する銀／白金で構成されることを特徴とするセラミック配線基板。
【請求項４】 ホウケイ酸鉛系ガラスをガラス主成分とするガラスセラミックからなる絶縁部と、銀を主成分とする配線部からなるセラミック配線基板であって、該配線部の少なくとも一部が、銀／白金１００重量部に対して二酸化マンガンを０．２〜１重量部、酸化銅を０．２〜１重量部、二酸化ケイ素を０．３〜１重量部、モリブデン及びタングステンの金属粉末を３〜５．６重量部含有する導電ペーストを用いて形成したことを特徴とするセラミック配線基板。
【請求項５】 ホウケイ酸鉛系ガラスをガラス主成分とするガラスセラミックからなる絶縁部と、銀を主成分とする配線部からなるセラミック配線基板であって、該配線部の少なくとも一部が、銀／白金１００重量部に対して二酸化マンガンを０．２〜１重量部、酸化銅を０．２〜１重量部、ＢＥＴ法による比表面積が５０ｍ2／ｇ以上で、且つ、１次粒子の平均径が５〜５０ｍμｍで、且つ、純度が９９．８％以上の二酸化ケイ素を０．３〜１重量部、モリブデン及びタングステンの金属粉末を３〜５．６重量部含有する導電ペーストを用いて形成したことを特徴とするセラミック配線基板。
【請求項１】 銀／白金１００重量部に対して二酸化マンガンを０．２〜１重量部、酸化銅を０．２〜１重量部、二酸化ケイ素を０．３〜１重量部、モリブデン及びタングステンの金属粉末を３〜５．６重量部含有することを特徴とする導電ペースト。
【請求項２】 銀／白金１００重量部に対して二酸化マンガンを０．２〜１重量部、酸化銅を０．２〜１重量部、ＢＥＴ法による比表面積が５０ｍ2／ｇ以上で、且つ、１次粒子の平均径が５〜５０ｍμｍで、且つ、純度が９９．８％以上の二酸化ケイ素を０．３〜１重量部、モリブデン及びタングステンの金属粉末を３〜５．６重量部含有することを特徴とする導電ペースト。
【請求項３】 ホウケイ酸鉛系ガラスをガラス主成分とするガラスセラミックからなる絶縁部と、銀を主成分とする配線部からなるセラミック配線基板であって、該配線部の少なくとも一部が、銀／白金１００重量部に対して二酸化マンガンを０．２〜１重量部含有する銀／白金で構成されることを特徴とするセラミック配線基板。
【請求項４】 ホウケイ酸鉛系ガラスをガラス主成分とするガラスセラミックからなる絶縁部と、銀を主成分とする配線部からなるセラミック配線基板であって、該配線部の少なくとも一部が、銀／白金１００重量部に対して二酸化マンガンを０．２〜１重量部、酸化銅を０．２〜１重量部、二酸化ケイ素を０．３〜１重量部、モリブデン及びタングステンの金属粉末を３〜５．６重量部含有する導電ペーストを用いて形成したことを特徴とするセラミック配線基板。
【請求項５】 ホウケイ酸鉛系ガラスをガラス主成分とするガラスセラミックからなる絶縁部と、銀を主成分とする配線部からなるセラミック配線基板であって、該配線部の少なくとも一部が、銀／白金１００重量部に対して二酸化マンガンを０．２〜１重量部、酸化銅を０．２〜１重量部、ＢＥＴ法による比表面積が５０ｍ2／ｇ以上で、且つ、１次粒子の平均径が５〜５０ｍμｍで、且つ、純度が９９．８％以上の二酸化ケイ素を０．３〜１重量部、モリブデン及びタングステンの金属粉末を３〜５．６重量部含有する導電ペーストを用いて形成したことを特徴とするセラミック配線基板。
【図１】
【図２】
【図８】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図２】
【図８】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【公開番号】特開２００１−１４３５２７（Ｐ２００１−１４３５２７Ａ）
【公開日】平成１３年５月２５日（２００１．５．２５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願平１１−２４８５３６
【出願日】平成１１年９月２日（１９９９．９．２）
【出願人】（０００００４５４７）日本特殊陶業株式会社 (2,912)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１３年５月２５日（２００１．５．２５）
【国際特許分類】
【出願日】平成１１年９月２日（１９９９．９．２）
【出願人】（０００００４５４７）日本特殊陶業株式会社 (2,912)
【Ｆターム（参考）】
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