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Fターム[4G047KB18]の内容

重金属無機化合物 (11,210) | 製法−固体原料の焼成によるもの (372) | 焼成工程 (218) | 焼成条件 (210) | 電場、磁場中 (2)

Fターム[4G047KB18]に分類される特許

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【課題】任意の基板上に成膜され、基板から厚み方向に1750nm以内の領域で良好に配向した配向酸化物膜を提供する。
【解決手段】基板上にフッ素を含む酸化物前駆体の薄膜を形成し、前記基板を加熱炉に設置し、加湿酸素含有ガス雰囲気下において磁場を印加しながら熱処理を施すことを特徴とする配向酸化物膜の製造方法。 (もっと読む)


本発明は、良好な相純度、微細構造および超伝導性質有する高品質のMgB2ベースの超伝導体ワイヤ、テープ、バルク体およびパウダーの連続的な製造のための単純で、エネルギー効率が良く、費用効率が高い方法であって、革新的な工程、すなわち、排気し封止した金属チューブ中の反応物質を電気的な自己発熱下で、自己発熱兼熱間転造、続いて電気的な自己発熱によりアニーリングすることにより、従来技術に関する種々の欠点および短所を克服する方法を提供することである。 (もっと読む)


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