本発明の高抵抗シリコンウェーハの製造方法によれば、ＣＺ法により得られた、高抵抗で炭素を含有するシリコンウェーハを用いて、昇温操作（ランピング）による第１熱処理と、高温熱処理および中温熱処理とからなる第２熱処理とを組み合わせることにより、効率的に酸素ドナーの生成を抑制でき、デバイス製造の工程における熱処理後においても、高抵抗が維持でき、抵抗率の変動を抑制した高抵抗シリコンウェーハを得ることができる。さらに、この高抵抗シリコンウェーハを用いれば、優れたエピタキシャルウェーハおよびＳＯＩウェーハを製造できるので、高周波通信デバイスまたはアナログ、デジタル混載デバイス等、広い分野で適用することができる。
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単結晶スピネルウェハが開示され、前面および裏面；ならびに第１および第２平面を持つ外周部を含む。ある態様において、単結晶スピネルウェハは特定の結晶学的配向を有し、そして平面は所望の面配置に沿って延びるように与えられる。平面はへき開面およびへき開面のへき開方向を確認するのに有利でありうる。 （もっと読む）

キャスト法を用いたＳｉ系結晶の成長方法において、前記Ｓｉ系結晶の結晶方位を自在に制御することができ、前記Ｓｉ系結晶から切り出して得たウエハが所定のエッチング操作後において、形状方位の揃ったテクスチャー構造を有するように、前記Ｓｉ系結晶内に形状方位の揃った構造を簡易に形成する。キャスト成長用坩堝１１の底部に、少なくともＳｉを含む結晶片１２を配置する。次いで、キャスト成長用坩堝１１内において、結晶片１２の上方にＳｉ原料１３を配置する。次いで、キャスト成長用坩堝１２を加熱して、結晶片１２の少なくとも一部が残存するようにＳｉ原料１３を溶解して、Ｓｉ融液１４を形成する。次いで、Ｓｉ融液１４を冷却及び凝固させることにより、結晶片１２の残部１２ＡからＳｉ系結晶を一方向成長させる。 （もっと読む）

【課題】 種結晶を用いることなく、浮遊帯溶融法により、＜１１１＞方位から２°以内に方位制御された磁性ガーネット単結晶を製造することができる、磁性ガーネット単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】 磁性ガーネット単結晶の製造方法は、種結晶を用いない、浮遊帯溶融法による磁性ガーネット単結晶の製造方法であり、多結晶の原料棒を準備する工程と、原料棒の一部を長手方向に順次溶融し固化させる工程と、直径が３．０ｍｍ以下の磁性ガーネット単結晶を製造する工程とを含む。磁性ガーネット単結晶の組成は、（Ｙ，Ｒ）₃ （Ｆｅ，Ｍ）₅ Ｏ₁₂系（ただし、ＲはＹおよび原子番号５７〜７１の元素のうちの少なくとも１種で、ＭはＡｌ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｓｃのうちの少なくとも１種）であり、磁性ガーネット単結晶の成長方向は、＜１１１＞方位から２°００′以内の傾きの範囲である。 （もっと読む）