シリコンエピタキシャルウェーハの主裏面に微少な凹凸が生じるのを抑制でき、主裏面全体のヘイズレベルを５０ｐｐｍ以下にするシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。
反応容器内に、シリコン単結晶基板を載置可能なサセプタが配設され、サセプタに載置されたシリコン単結晶基板に、水素雰囲気中で熱処理を施す水素熱処理工程と、水素熱処理工程後に、シリコンエピタキシャル層を気相成長する気相成長工程とを備えるシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法において、水素熱処理工程中に、シリコン単結晶基板をサセプタから離間させ、気相成長工程の間は、シリコン単結晶基板をサセプタに載置する。
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【課題】 種結晶を用いることなく、浮遊帯溶融法により、＜１１１＞方位から２°以内に方位制御された磁性ガーネット単結晶を製造することができる、磁性ガーネット単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】 磁性ガーネット単結晶の製造方法は、種結晶を用いない、浮遊帯溶融法による磁性ガーネット単結晶の製造方法であり、多結晶の原料棒を準備する工程と、原料棒の一部を長手方向に順次溶融し固化させる工程と、直径が３．０ｍｍ以下の磁性ガーネット単結晶を製造する工程とを含む。磁性ガーネット単結晶の組成は、（Ｙ，Ｒ）₃ （Ｆｅ，Ｍ）₅ Ｏ₁₂系（ただし、ＲはＹおよび原子番号５７〜７１の元素のうちの少なくとも１種で、ＭはＡｌ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｓｃのうちの少なくとも１種）であり、磁性ガーネット単結晶の成長方向は、＜１１１＞方位から２°００′以内の傾きの範囲である。 （もっと読む）