【課題】ＣＶＤダイヤモンド層を提供すること。
【解決手段】研磨工具へのインサートとして用いるためのＣＶＤダイヤモンド層であって、
（ｉ）層が少なくとも０．０５原子％の濃度でホウ素ドーパント原子を含有すること；及び
（ii）長さ１８ｍｍ、幅２ｍｍ及び厚さ１．４ｍｍ以下のサンプルに対して三点曲げ試験によって測定して、テンション状態にある成核相による少なくとも６００ＭＰａの平均引張り破断強度と、テンション状態にある成長面による少なくとも３００ＭＰａの平均引張り破断強度を特徴とするＣＶＤダイヤモンド層。 （もっと読む）

【課題】有機金属気相成長法を用いた液滴エピタキシー法によるガスフローシーケンスの変更により、量子ドット中に所望の元素成分を確実に固溶させる。
【解決手段】基材１上に下地層２を形成した後、反応室をＰ成分雰囲気にした状態で、基材１の温度を下地層形成温度からドット形成温度まで降温する。そして、基材１の温度をドット形成温度に維持したまま、反応室をＡｓ成分及びＰ成分を含む雰囲気にして所定時間保持する。これにより、下地層２上にＡｓ成分及びＰ成分５を存在させる。その後、反応室を、Ｉｎ成分を含む雰囲気にして、Ｉｎ成分よりなりＡｓ成分及びＰ成分が固溶した液滴を形成するとともに、この液滴を結晶化して、ＩｎＡｓＰよりなる量子ドットを形成する。 （もっと読む）

【課題】製造された結晶にある欠陥総数を低減するために、種結晶を用いた昇華システムにおいて形成された結晶の１ｃらせん転位欠陥レベルが低く、より大きく、高品質の炭化珪素バルク単結晶を製造する方法を提供する。
【解決手段】３Ｃ、４Ｈ、６Ｈ、２Ｈ、および１５Ｒポリタイプからなる群から選択されるポリタイプであって、少なくとも７６．２ｍｍ（約３インチ）の直径と、約２０００ｃｍ^−２未満の１ｃらせん転位密度とを有する高品質のＳｉＣ単結晶ウェハ。 （もっと読む）

【課題】結晶起因のパーティクルに着眼して、超高集積素子を製造する際に最適な高品質の大直径シリコンウエーハを提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法により引き上げられたシリコン単結晶より切り出したシリコンウエーハを鏡面加工し、アンモニア系の洗浄液で洗浄した際、主表面上に検出される０．０８３μｍ以上のパーティクルが１２０個以下、及び／又は０．０９０μｍ以上のパーティクルが８０個未満である、直径が３００ｍｍ以上のシリコン単結晶ウエーハ。 （もっと読む）

【課題】クーラーを構成する冷却配管系の構成を改善することにより、冷却配管系の破損に伴う危険を回避する手段を改善した単結晶引上げ装置及び方法を提供する。
【解決手段】ＣＺ法によりるつぼ３０内の原料融液３１から単結晶３２を引上げる単結晶引上げ装置１であって、引上げ中の単結晶３２を冷却するクーラー１０を備える単結晶引上げ装置１において、クーラー１０は、冷却水が流通する冷却配管系を含み、かつ冷却配管系を単結晶３２の引上げ方向に複数の系統に分割して構成する。 （もっと読む）

【課題】凝集空孔欠陥や酸化誘起積層欠陥を実質的に有さず、かつ高い酸素含有量を有する単結晶シリコンインゴットの製造方法を提供する。
【解決手段】（ｉ）成長速度ｖ、（ii）平均軸方向温度勾配Ｇ_０、及び(iii）凝固温度から約７５０℃への結晶の冷却速度を制御することによって、側表面６から半径方向内側へ延びており、シリコン格子間原子が優勢な真性点欠陥である第１の軸対称領域８、及びその第１の軸対称領域８から半径方向内側へインゴットの中心軸へ延びる第２の軸対称領域を有するセグメントを生じさせることを含んでなるシリコンインゴットの製造方法において、ｖ、Ｇ_０及び冷却速度を制御して、第１の領域８に凝集真性点欠陥を生じさせながら、それ以外ではそのような欠陥の生成に適する酸化処理にウエハを付し、冷却速度を更に制御してこのセグメントから得られるウエハに酸化誘起積層欠陥が生じることを制限する。 （もっと読む）

【課題】液相法において大型の結晶を成長させることができるＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法は、液相法によるＩＩＩ族窒化物結晶１０の成長方法であって、平坦な主面１ｍを有し、少なくとも主面１ｍ側にＩＩＩ族窒化物結晶１０と同じ化学組成を有するＩＩＩ族窒化物種結晶１ａを含み、主面１ｍに最も近い（ｈｋｉｌ）面１ｎ（ここで、ｉ＝−（ｈ＋ｋ）であり、ｈ、ｋおよびｌはそれぞれ−９以上９以下の整数）の反りの曲率半径が２ｍ以上である基板１を準備する工程と、基板１の主面１ｍに、ＩＩＩ族金属を含む溶媒３に窒素含有ガス５を溶解させた溶液を接触させて、主面１ｍ上にＩＩＩ族窒化物結晶１０を成長させる工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】液相法において大型の結晶を成長させることができるＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法は、液相法によるＩＩＩ族窒化物結晶１０の成長方法であって、平坦な主面１ｍを有し、少なくとも主面１ｍ側にＩＩＩ族窒化物結晶１０と同じ化学組成を有するＩＩＩ族窒化物種結晶１ａを含み、主面１ｍに最も近い（ｈｋｉｌ）面１ｎ（ここで、ｉ＝−（ｈ＋ｋ）であり、ｈ、ｋおよびｌはそれぞれ−９以上９以下の整数）の反りの曲率半径が２ｍ以上である基板１を準備する工程と、基板１の主面１ｍに、ＩＩＩ族金属とアルカリ金属を含む溶媒３に窒素含有ガス５を溶解させた溶液を接触させて、主面１ｍ上にＩＩＩ族窒化物結晶１０を成長させる工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】横磁場型チョクラルスキー法によって、大口径品であっても、全長にわたって低酸素濃度であるシリコン単結晶を簡便に製造することができる方法を提供する。
【解決手段】原料シリコン融液５が充填される石英ルツボ６の内径Ｄを引き上げられるシリコン単結晶４の直径ｄの２．５倍以上３倍以下とし、かつ、石英ルツボ６の回転速度ＣＲ［ｒｐｍ］を０＜ＣＲ≦０．５以下、石英ルツボ６と反対方向に回転しながら引き上げられるシリコン単結晶４の回転速度ＳＲ［ｒｐｍ］を５≦ＳＲ≦６０ｈ／（π・ｄ）（ここで、ｈ：原料シリコン融液の深さ）として単結晶引上げを行う。 （もっと読む）

光電池及び他の用途のためのシリコンをキャストする方法。かかる方法によれば、放射状に分布する不純物及び欠陥を含まないか又は実質的に含まず、それぞれ少なくとも３５ｃｍである少なくとも２つの寸法を有する単結晶質又は双晶シリコンのキャスト体が与えられる。 （もっと読む）

【課題】転位密度が低く不純物濃度の低いＩＩＩ族窒化物結晶をその結晶を破損させることなく製造する方法を提供する。
【解決手段】反応容器７のＧａ−Ｎａ−Ｌｉ融液２に窒素ガス（窒素含有ガス３）を溶解させて、ＧａＮ下地基板１の主面１ｍ上に厚さ１００μｍのＧａＮ結晶を成長させた（ａ）。つづいて、反応容器７に金属Ｎａをいれ、加熱により結晶処理用液体４であるＮａ融液を形成した後、窒素ガス（窒素含有ガス３）を溶解させて、ＧａＮ結晶（ＩＩＩ族窒化物結晶１０）の熱処理を行なった。この結果、結晶の表面に荒れが起こったものの、結晶の破損には至らず、またＧａＮ結晶（ＩＩＩ族窒化物結晶１０）およびＧａＮ下地基板１の不純物濃度は、Ｎａ濃度が５×１０15ｃｍ-3と熱処理前のＮａ濃度と同様であったのに対し、Ｌｉ濃度が３×１０16ｃｍ-3と熱処理前のＬｉ濃度に比べて大幅に低減した。 （もっと読む）

光電池及び他の用途のためのシリコンをキャストするための方法及び装置を提供する。これらの方法によれば、炭素が低含量のインゴットを成長させることができ、その結晶成長はキャスティング中のシード材料の断面積を増加させるように制御される。 （もっと読む）

【課題】人工水晶育成時に留め金を結晶中に取り込み、かつ、留め金の掛止部が水晶の結晶から露出するようにした外形寸法が５ｃｍ未満の小型装飾用アズグロウン人工水晶及びその製造方法を提供する。
【解決手段】Ｙ軸方向に形成した孔３ｃに留め具３ｄを取り付けた所定の形状の種水晶３ａを準備する工程と、前記留め具３ｄを取り付けた複数の種水晶３ａをオートクレーブの上部空間内に支持具に係合して吊下・支持する工程と、前記オートクレーブを所定の温度で加熱して前記オートクレーブの下部空間内に格納したラスカを育成溶液で溶解して前記種水晶３ａの表面にＳｉＯ₂分子を析出させて水晶を成長させる工程と、からなり、前記留め具３ｄの一部が水晶の結晶中に予め取り込まれ、かつ、前記留め具の掛止部が水晶の結晶から露出するようにアズグロウン人工水晶３ｂを製造する。 （もっと読む）

第１のバルク結晶半導体材料、及び第１のバルク結晶半導体材料の表面上に設けられた第２のバルク結晶半導体材料を備えた半導体デバイス構造であって、第１のバルク結晶半導体材料の表面には意図的に形成される中間領域が存在していても存在していなくてもよく、第２のバルク結晶半導体材料は第１のバルク結晶半導体材料とは異なるＩＩ−ＶＩ族の材料である。ここにおいて、第１及び／または第２のバルク結晶半導体材料の部分が選択的に除去され、その除去された第１及び／または第２のバルク結晶半導体材料により減少された厚さを有するパターン化エリアを形成し、好ましくは第１及び／または第２のバルク結晶半導体材料の表面のパターン化エリアを露出する。 （もっと読む）

【課題】高品位で大面積の非極性面を有するＩＩＩ−Ｖ族化合物窒化物半導体結晶を得るために有利な製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物半導体結晶２００の製造方法は非極性面であるＭ面を有する種結晶Ｓを準備し、非極性面であるＭ面からＩＩＩ族窒化物半導体２００を気相中で成長させる成長工程を具備し、成長工程は、種結晶Ｓの＋Ｃ軸方向（＜０００１＞方向）に伸びるようにＩＩＩ族窒化物半導体２００を成長させることを含む。 （もっと読む）

【課題】ＺｎＯウィスカー膜とその作製方法を提供する。
【解決手段】基板上に形成されたＺｎＯウィスカー膜であって、ＺｎＯ結晶を主成分（モル比５０％以上）としており、アスペクト比が２以上のウィスカー形状粒子集積膜であり、高い比表面積と高い導電率を両立させたナノ構造体であり、基板上に形成したＺｎＯウィスカー膜である、ことからなるＺｎＯウィスカー膜、酸化亜鉛が析出する反応溶液系で、原料濃度、温度及び／又はｐＨを調整してＺｎＯ結晶を析出させ、基板上にＺｎＯウィスカー膜を形成させることからなるＺｎＯウィスカー膜の製造方法及びその電子デバイス材料。 （もっと読む）

【課題】原料の溶融物から結晶を製造するための構成および単結晶を提供すること。
【解決手段】原料の溶融物（１６）から結晶を製造するための構成（１）は、第１の方向（１８）に指向する勾配温度領域（Ｔ）を発生するように構成される１つ以上の加熱要素を有する加熱装置（２０、２１）を含む炉と、勾配温度領域（Ｔ）に並べて配置され、溶融物（１６）を収容する少なくとも２つの複数のルツボ（１４）と、少なくとも２つのルツボ（１４）内において、第１の方向（１８）に垂直な面内の温度領域（Ｔ）を均一化するための装置（２１ａ、２１ｂ、４６、２６）とを備える。その装置は、ルツボ（１４）間の空間（２３）内に配置される充填材料（２４）を含み、径方向に向けた熱移動を発生させるため、充填材料（２４）に異方性熱伝導率を生じさせる。その構成は、充填材料（２４）に協同する移動磁界を発生させる装置でもよい。 （もっと読む）

【課題】特性の優れた半導体素子を製造するための低抵抗率炭化珪素単結晶基板を提供する。
【解決手段】体積抵抗率が0.001Ωcm以上0.012Ωcm以下の炭化珪素単結晶基板であって、基板全表面の90%以上が、表面粗さ(Ra)1.0nm以下の炭化珪素単結晶面で覆われている炭化珪素単結晶基板である。また、炭化珪素単結晶基板の結晶多形(ポリタイプ)は、4H型であり、その厚さを0.05mm以上0.4mm以下、｛0001｝面からのオフセット角度を1°以上12°以下とする。 （もっと読む）

高温高圧プロセスによって成長させた、窒素で置換され、窒素が孤立して存在しているダイヤモンドから、窒素空孔中心を含むダイヤモンドを製造する方法であって、
−照射線量が１ｃｍ^２当たり１０^１７個から１０^１９個の電子になるように、前記ダイヤモンドに電子ビームを照射するステップ（１２）と、
−電子ビームを照射したダイヤモンドを、真空中または不活性雰囲気中で、７００℃を超える温度で少なくとも１時間アニールするステップ（１４）とを含み、
前記電子ビームが、７ＭｅＶを超える加速エネルギーを有することを特徴とする方法。
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【課題】 処理後のウエハの不良品発生率を低減することが可能な半絶縁性ＧａＡｓウエハ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 直径Φが４インチ以上の半絶縁性ＧａＡｓウエハであって、ウエハの半径Ｒに対してウエハ中心から（２／３）・Ｒの半径を有する円の部分を中心部とし、前記ウエハ面内の中心部以外の部分である外周部の平均転位密度が、前記中心部の平均転位密度より大きい。 （もっと読む）