【課題】昇華ガスによる欠陥およびクラックの発生を抑制する炭化珪素単結晶材の焼鈍方法を提供する。
【解決手段】焼鈍用容器１６の収容部１９に、焼鈍用容器１６から離間するように炭化珪素単結晶材２０を配置し、焼鈍用容器１６と炭化珪素単結晶材２０との間に炭化珪素単結晶材２０全体を覆うように高熱伝導性の充填材粉末１８を充填した後、焼鈍用容器１６を外部から加熱して、炭化珪素単結晶材２０を焼鈍する炭化珪素単結晶材２０の焼鈍方法。 （もっと読む）

【課題】単結晶ナノ構造を基板の上に成長させる方法を提供する。
【解決手段】基板１の主表面上にパターン２を最初に形成する工程であって、パターン２は基板１の表面まで延びた開口部を有する工程と、パターン２の開口部中の、露出した主表面の上に、金属３を供給する工程と、開口部をアモルファス材料４で、少なくとも部分的に埋める工程と、アモルファス材料４と金属化合物３とを、３００℃と１０００℃の間の温度でアニールし、金属媒介結晶化により、アモルファス材料４を単結晶材料５に変える工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】ELO法に有用に使用できる構造体を容易に製造できる製法を提供する。
【解決手段】無機物質の単結晶よりなるベース基板７上に、窒化アルミニウム単結晶よりなる突出部６を複数有する構造体の製造方法であって、ベース基板７の温度を９２０℃を超え１０２０℃未満とし、ベース基板７上に、ハロゲン化アルミニウムガス、および窒素源ガスを供給して窒化アルミニウム単結晶層を成長させた積層基板を製造した後、積層基板の窒化アルミニウム単結晶層から窒素極性を有する窒化アルミニウム単結晶を除去することにより、アルミニウム極性を有する窒化アルミニウム単結晶よりなる突出部６であって、上面の面積が１．０×１０^−４〜１．０×１０^−１μｍ^２であり、かつ密度が２０〜２００個／μｍ^２となる突出部６を形成する。 （もっと読む）

【課題】ＲＥ_２ＢａＯ_４とＢａ_ｘ−Ｃｕ_ｙ−Ｏ_ｚ系混合原料との固液反応を用いることにより、ＲＥ１２３系酸化物超電導体を形成する方法は、低温で保持部材が金属シースの単芯線材または多芯線材を形成する方法であったが、臨界電流Ｉｃおよび臨界電流密度Ｊｃの値が低く、しかもそれらの再現性に乏しいという課題があった。
【解決手段】少なくともＲＥ_２ＢａＯ_４とＢａ_ｘ−Ｃｕ_ｙ−Ｏ_ｚ系原料とを含む混合原料を保持部材の内部に保持した状態で、混合原料を加熱することにより、ＲＥ_２Ｏ_３を含む複合相前駆体を形成する工程と、複合相前駆体を形成する工程を行なった後に保持部材の内部に保持された複合相前駆体を加圧することにより、複合相前駆体を緻密化する工程と、緻密化された複合相前駆体に、酸素を含む雰囲気中で熱処理を行なう工程とを備える、ＲＥ１２３系酸化物超電導体の製造方法を用いる。 （もっと読む）

【課題】効率良く量産可能であり、走査プローブ顕微鏡において高分解能観察や高精度微細加工が可能な先端半径と、高アスペクト比構造観察に十分な長さの針をもち、且つ、先端の耐摩耗性に優れたダイヤモンド探針と、これを備えた走査プローブ顕微鏡用カンチレバー、フォトマスク修正用プローブ、電子線源を提供する。
【解決手段】反応性イオンエッチング等では作製困難な長さを有する針状ダイヤモンドを、熱化学加工法によって作製し、プラズマ中でエッチングもしくはマイクロ波プラズマＣＶＤ成長により先端部分を先鋭化することで、効率良く量産可能な先鋭化針状ダイヤモンド５を得ることができる。先鋭化針状ダイヤモンド５のうち少なくとも一本もしくは複数本を、走査プローブ顕微鏡用カンチレバーの探針として備える。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板に代表されるIV族半導体上に、基板面に対して垂直に延びる半導体ナノワイヤを配置すること。
【解決手段】（１１１）面を有するIV族半導体基板と、前記（１１１）面を被覆し、開口部を有する絶縁膜とを含む基板を準備し；前記基板を低温熱処理して、前記（１１１）面を、（１１１）１×１面とし；前記基板に低温条件下で、III族原料またはV族原料を供給して、前記（１１１）面を、（１１１）Ａ面または（１１１）Ｂ面に変換し；前記IV族半導体基板の（１１１）面から前記開口部を通して、III−V化合物半導体ナノワイヤを成長させる。IV族半導体基板とは、シリコン基板やゲルマニウム基板であったりする。 （もっと読む）

【課題】リチウム濃度が十分に低く、高い結晶度を持った酸化亜鉛単結晶の簡便な製造方法を提供する。
【解決手段】結晶成長温度の変動幅を５℃以内に抑えるか、あるいは、３００〜３７０℃の範囲内の温度にて、リチウム濃度が１ｐｐｍ（重量基準）以下の溶液を用いて水熱合成法によって酸化亜鉛結晶を成長させることにより、結晶中のリチウム濃度が５×１０14atoms/cm3以下で、（０００２）面反射におけるX線ロッキングカーブ測定による半値幅が５０秒以下である酸化亜鉛単結晶が得られる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、転位欠陥の少ない良質の基板を得ることのできるSiC単結晶インゴット、これから得られる基板及びエピタキシャルウェハを提供する。
【解決手段】パワーデバイス用の炭化珪素単結晶インゴットであって、炭化珪素単結晶中にドナー型の不純物を濃度2×10¹⁸cm^-3以上6×10²⁰cm^-3以下、且つアクセプター型の不純物を濃度1×10¹⁸cm^-3以上5.99×10²⁰cm^-3以下含有し、さらに前記ドナー型の不純物濃度がアクセプター型の不純物濃度より大きく、その差が1×10¹⁸cm^-3以上5.99×10²⁰cm^-3以下であり、抵抗率が0.04Ωcm以下であることを特徴とする炭化珪素単結晶インゴット、これから得られる基板及びエピタキシャルウェハである。 （もっと読む）

【課題】育成中に破裂することなく、グローイン欠陥の無いシリコン単結晶を提供する。
【解決手段】シリコン単結晶１１の中心部及び外周部における１３７０〜１３１０℃の軸方向温度勾配の比Ｇc₁／Ｇeが１．２〜１．３となるように育成中の単結晶１１の外周部を冷却する。熱遮蔽体２８下端とシリコン融液１５表面との間のギャップを４０〜１００ｍｍに設定し、パーフェクト領域からなるか或いはこのパーフェクト領域の引上げ時よりも引上げ速度が大きい領域からなるように、単結晶１１の引上げ速度ｖと単結晶１１中心部における融点から１３５０℃までの軸方向温度勾配Ｇc₂との比ｖ／Ｇc₂を０．１６〜０．２０ｍｍ²／(℃・分)に制御する。さらに、単結晶１１の引上げ速度を制御して、固液界面３３上の単結晶１１中心部での熱応力を５０ＭＰａ以下とする。 （もっと読む）

【課題】高転位密度結晶領域のピッチが大きくても転位を集める効果が大きく低転位密度結晶領域の転位密度が低く、反りが小さいＧａＮ結晶基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本ＧａＮ結晶基板２０ｐは、（０００１）面に対して０°以上３０°以下のオフ角を有する主面２０ｍを有し、低転位密度結晶領域２０ｋと高転位密度結晶領域２０ｈとを含み、主面２０ｍにおける高転位密度結晶領域２０ｈの形状は、［１−１００］方向に伸びる複数の第１ストライプ結晶領域２０ｈｓと［１１−２０］方向に伸びる複数の第２ストライプ結晶領域２０ｈｔとを含む格子状である。 （もっと読む）

【課題】従来にない平均短径が細いロッド状又はチューブ状の棒状結晶を基板上に立設してなり、表面積を大きくすることができるので、高感度のセンサーとして有用な金属酸化物構造体、及び該金属酸化物構造体を効率よく、低コストで製造することができる金属酸化物構造体の製造方法の提供。
【解決手段】基板と、該基板上に種晶を介して棒状結晶が立設してなり、前記種晶が第１の金属酸化物からなり、前記棒状結晶が第２の金属酸化物からなり、該棒状結晶の平均短径が５０ｎｍ以下であることを特徴とする金属酸化物構造体である。 （もっと読む）

【課題】低コストで製造することができる大型で良質な半導体結晶を提供する。
【解決手段】化合物からなる半導体結晶５０であって、直径が６インチ以上であり、平均転位密度が１×１０⁴ｃｍ^-2以下である。半導体結晶５０はＧａＡｓであるか、または、ＣｄＴｅ、ＩｎＡｓおよびＧａＳｂからなる群から選ばれるいずれか１つであって、単結晶である。半導体結晶５０のボロン濃度は、３×１０¹⁶ｃｍ^-3以下である。さらに、インゴットの固化率０．１〜０．８の領域にわたるカーボン濃度は、０．５×１０¹⁵ｃｍ^-3〜１．５×１０¹⁵ｃｍ^-3である。 （もっと読む）

結晶成長システムにおいて結晶成長を制御することを示す。該結晶成長システムは、そこからチョクラルスキー法により単結晶インゴットを成長させる半導体融液を含む加熱された坩堝を含み、該インゴットは該融液から引き上げられるシード結晶上に成長する。本願の方法は、上部コイルに第１の交流電流（Ｉ_ＵＡＣ）を供給し、かつ下部コイルに第２の交流電流（Ｉ_ＬＡＣ）を供給することによりカスプ磁場を該融液に印加することを含む。該方法はまた該上部コイルに第１の交流電流（Ｉ_ＵＡＣ）を供給し、かつ該下部コイルに第２の交流電流（Ｉ_ＬＡＣ）を供給し時間的に変化する磁場を形成することも含み、該時間的に変化する磁場は該半導体融液中にポンプ力を形成する。
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【課題】電子放射性物質による電子放射が安定化し、暗黒始動特性を改善してランプ点灯までに要する時間を短縮し、製造ロット毎の点灯時間のばらつきが小さい蛍光ランプを得ることができる塗料とそれを用いた塗膜および塗膜の製造方法並びに蛍光ランプを提供する。
【解決手段】本発明の蛍光ランプ用の塗料は、粒子径が０．３μｍ以上かつ２０．０μｍ以下の単結晶のα型アルミナと、ニトロセルロースと、溶媒とを含有してなることを特徴とする。前記α型アルミナは球状粒子である。 （もっと読む）

【課題】結晶基板の結晶状態を維持し且つ欠陥のない単結晶のナノワイヤを成長させることが可能なナノワイヤ作製方法を提供する。
【解決手段】フリースタンディングナノワイヤの成長を可能とする比較的狭い範囲の成長条件からあえてずらした成長条件でナノワイヤを成長させることにより、フリースタンディングナノワイヤに必要なサイドファセットの形成を不安定にし、結晶基板の表面と平行に且つ当該表面に沿ったナノワイヤの成長を可能とする。また、ナノワイヤの成長途中で、例えばドーパントを切り替えることにより、ｎ型ＩｎＰナノワイヤ３ｎとｐ型ＩｎＰナノワイヤ３ｐを連設することができる。更に、平行な複数のナノワイヤを交差させて網状の半導体膜を得ることもできる。 （もっと読む）

【課題】 分子デバイスを含む、有機材料の機能を利用する有機材料含有デバイスの構築に適した取り扱いが容易な基板を提供する。
【解決手段】 水素原子およびアミノ基が化学吸着した半導体表面を有する基板とする。このアミノ基は、例えばＳｉ−Ｎ結合により固定されている。アミノ基は多くの官能基と化学反応しうる基であり、生体分子との親和性にも優れている。この表面は、大気中での取り扱いも容易である。アミノ基と有機分子とを反応させれば、有機分子と半導体表面とが化学的に一体に結合する。アミノ基は、例えば水素原子で終端された半導体表面にアンモニア等の窒素含有反応種を接触させ、この反応種に由来する窒素原子を含むアミノ基を半導体表面に化学吸着させて導入すればよい。 （もっと読む）

【課題】超高密度記録を達成可能な六方晶フェライト磁性粉末および上記六方晶フェライト磁性粉末を用いた高密度記録に適した磁気記録媒体を提供すること。
【解決手段】Ｂ₂Ｏ₃成分を含むガラス形成成分および六方晶フェライト形成成分を含み、かつ上記Ｂ₂Ｏ₃成分をＢ₂Ｏ₃換算で１５〜２７モル％含む原料混合物を溶融し溶融物を得ること、上記溶融物を急冷し、飽和磁化量が０．６Ａ・ｍ²／ｋｇ以下である固化物を得ること、ならびに、上記固化物を６００〜６９０℃の温度域まで加熱し該温度域に保持することにより平均板径が１５〜２５ｎｍの六方晶フェライト磁性粉末を析出させること、を含む六方晶フェライト磁性粉末の製造方法。非磁性支持体上に、上記方法により製造された六方晶フェライト磁性粉末と結合剤とを含む磁性層を有する磁気記録媒体。上記方法を含む磁気記録媒体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】大量のナノロッド及び基体表面に整列されたナノロッドのいずれをも製造することが可能な方法を提供すること。
【解決手段】金属酸化物ナノロッドの製造方法は、炉６内において金属蒸気を発生させる工程と、炉内の成長領域内において、ナノロッド成長用基体２２の表面上に金属酸化物ナノロッドが形成されるのに十分な時間だけナノロッド成長用基体２２を金属蒸気に曝す工程と、ナノロッド成長用基体２２を成長領域から除去する工程と、このように形成された金属酸化物ナノロッドであって、その直径が１ｎｍから２００ｎｍの金属酸化物ナノロッドを収集する工程とからなる。 （もっと読む）

【課題】反り量が小さい大口径のシリコンエピタキシャルウェーハを提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法により育成され、ボロンとゲルマニウムとが添加されたシリコン単結晶インゴットをスライスして作製された直径３００ｍｍ以上のシリコンウェーハ１であって、ボロン濃度が８．５×１０^１８（ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３）以上ドープされ、ゲルマニウムが、式１の関係式を満たす範囲でドープされたシリコンウェーハ１の表面に、シリコンエピタキシャル層２を成長させた。
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【課題】電磁波透過体として好適なＡｌ_xＧａ_1-xＮ単結晶およびＡｌ_xＧａ_1-xＮ単結晶を含む電磁波透過体を提供する。
【解決手段】好ましくは昇華法により好適な条件で成長させたＡｌ_xＧａ_1-xＮ（０＜ｘ≦１）単結晶２は、２５℃の雰囲気温度下で１ＭＨｚおよび１ＧＨｚの少なくともいずれかの高周波信号が印加されたときの誘電正接が５×１０^-3以下である。また、電磁波透過体４は、一主面２ｍを有するＡｌ_xＧａ_1-xＮ単結晶２を含み、Ａｌ_xＧａ_1-xＮ単結晶２は２５℃の雰囲気温度下で１ＭＨｚおよび１ＧＨｚの少なくともいずれかの高周波信号が印加されたときの誘電正接が５×１０^-3以下である。 （もっと読む）