【課題】反りの小さな半導体基板および半導体装置を提供する。
【解決手段】Ｓｉ基板１０上に接して形成されたＸ線回折による（００２）面のロッキングカーブ半値幅が１５００秒以下のＡｌＮ層１２と、ＡｌＮ層１２上に形成されたＧａＮ系半導体層１４と、を具備する半導体基板であって、その反りの曲率半径は±２５ｍ以上であり、反り量は、半導体基板の大きさを４インチとした場合、±５０μｍ以下である。ＧａＮ系半導体層１４はＡｌＮ層１２から圧縮応力を受ける。 （もっと読む）

【課題】高品質のＢＮＡ単結晶を製造する方法を提供する。
【解決手段】種結晶を得る工程、及び、得られた種結晶を溶液中で成長させる結晶成長工程、を含む溶液法によるＢＮＡ結晶の製造方法であって、結晶成長工程において、種結晶は、結晶保持部材により保持されており、かつ、種結晶の主成長方向における端部で保持部材に保持され、結晶成長工程で用いる溶液は、種結晶を得る工程において種結晶が析出した後の上澄み溶液である。得られたＢＮＡ結晶は、Ｘ線回折法によるロッキングカーブ計測において、回折ピークＸ線強度の半値幅が１００秒以下である。 （もっと読む）

【課題】デバイス製造のために改善された特性が与えられているＳｉＣバルク単結晶を製造する方法及び単結晶ＳｉＣ基板を提供する。
【解決手段】ＳｉＣバルク単結晶２を製造する方法において、成長坩堝３の結晶成長領域５にＳｉＣ成長気相９が生成され、中心縦軸１４を有するＳｉＣバルク単結晶２をＳｉＣ成長気相９からの堆積によって成長させ、このとき堆積は成長しているＳｉＣバルク単結晶２の成長境界面１６のところで行われ、ＳｉＣ成長気相９が、少なくとも部分的に、成長坩堝３の備蓄領域４にあるＳｉＣソース材料６から供給され、窒素、アルミニウム、バナジウム及びホウ素からなる群に属する少なくとも１つのドーピング物質を含んでいる。結晶成長領域５はＳｉＣ表面区画と炭素表面区画とによって区切られ、ＳｉＣ表面区画割合を炭素表面区画割合によって除算することで得られるＳｉＣ／Ｃの面積比率が常に１よりも小さい値を有するように選択される。 （もっと読む）

【課題】電磁波（フォトン）と表面プラズモンおよび表面マグノンとの間でのエネルギ交換を効率よく、かつ高い頻度で行うことができ、表面プラズモン共振や表面マグノン共振によって吸収、蓄積されるフォトンのエネルギを多くすることができるナノドットを有する構造体を提供する。
【解決手段】支持体１０と、支持体１０の上に形成された、複数の導電性セラミクスの単結晶２２が集合してなる導電性セラミクス層２０とを有し、導電性セラミクス層２０の表面には、導電性セラミクスの単結晶２２の一部からなり、高さ方向に直交する断面の面積が底部から頂部に向かってしだいに減少する形状を有するナノドット２４が複数形成された、ナノドットを有する構造体１。 （もっと読む）

【課題】半導体プロセス中の汚染管理のためのＰＣＤ、ＳＰＶ等による金属不純物汚染の評価における、モニターウエーハ外周部の測定結果の信頼性向上を実現することができる金属汚染評価用シリコンウエーハを提供する。
【解決手段】金属汚染を評価するための金属汚染評価用シリコンウエーハであって、該金属汚染評価用シリコンウエーハは、酸素濃度が０．７×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下、抵抗率が１Ωｃｍ以上であるＣＺシリコンウエーハであり、該ＣＺシリコンウエーハは、成長インゴットの直径に対して、縮径して外周部が除去されたものであることを特徴とする金属汚染評価用シリコンウエーハ。 （もっと読む）

【課題】光電変換装置の半導体層の形成に好適に使用できる酸化チタン構造体及びその製造方法、並びに高い光電変換効率を有する光電変換装置を提供すること。
【解決手段】酸化チタン構造体の製造方法は、Ｔｉ基板の面に酸化チタンナノワイヤを作製する工程と、オキシ硫酸チタン、尿素を溶解させた溶液中に酸化チタンナノワイヤを浸漬させて、酸化チタンナノワイヤ３ａの表面に酸化チタン微粒子３ｂを形成する工程と、酸化チタン微粒子が形成された酸化チタンナノワイヤを回収し、乾燥させる工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】光学的用途に適した、改良されたスピネル材料ならびにそれらの改良された製造方法を提供する。
【解決手段】融液法により形成される単結晶スピネルブールであり、そのブールは非化学量論的な組成を有し、約２０％以上の収率で表される、減少した機械的応力もしくはひずみを有し、ここで収率は式Ｗi/（Ｗi＋Ｗf）×１００％であり、Ｗi＝ブールから加工処理された無傷ウェハの数、そしてＷf＝ブールにおける機械的内部応力もしくはひずみによる、ブールからの破壊されたウェハの数である、単結晶スピネルブール。前記単結晶スピネル非化学量論的組成を有し、波長範囲にわたって吸光率により表される透明性窓を有し、その波長範囲は通常、約４００ｎｍ〜約８００ｎｍに延び、透明性窓は波長範囲に沿って最大単一吸光率ピーク高さとして定義され、最大単一吸光率ピーク高さは０．３５cm−１以下である （もっと読む）

【課題】特に１５０ｍｍ以上の大直径の半導体単結晶でも、結晶形状の悪化が抑えられ、径方向の面内抵抗率分布を制御することができ、特には面内での抵抗率のバラツキを低減することが可能なＦＺ法による半導体単結晶の製造方法、およびこのような製造方法を実施可能な半導体単結晶の製造装置を提供する。
【解決手段】誘導加熱コイルにより原料結晶を回転させながら部分的に加熱溶融して溶融帯を形成し、溶融帯を原料結晶の一端部から他端部へ移動させて、半導体単結晶を回転させながら成長させて製造するＦＺ法半導体単結晶の製造方法であって、半導体単結晶を成長中に、半導体単結晶の回転方向を交互に変更するとともに原料結晶の回転方向および／または回転数を変更して、半導体単結晶を成長させる半導体単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】育成中に有転位化が発生したシリコン単結晶から、ロス無く効率的に単結晶部を得ることができるシリコン単結晶の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】ルツボ内の原料融液に種結晶を融着後、該種結晶を上方に引き上げてシリコン単結晶を育成するチョクラルスキー法によるシリコン単結晶の製造方法であって、シリコン単結晶の直胴部を育成中に有転位化が発生した場合、前記シリコン単結晶の直胴部の有転位化が発生した位置から引き上げ軸下方に、前記直胴部の直径の０．５倍以上で、かつ、前記直胴部の直径以下の長さの結晶をさらに引き上げて、該引き上げたシリコン単結晶を原料融液から切り離すシリコン単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ウェハの反り量が小さく、かつ、ウェハ面内の結晶方位が揃っており、デバイス作製用ウェハとして適用した場合に高いデバイス性能とデバイス歩留りを実現できるSiC単結晶ウェハの提供。
【解決手段】口径１００ｍｍ以上の炭化珪素単結晶ウェハ１２であって、ウェハ面内における高低差で表される反り量が、口径１００ｍｍのウェハ換算比（反り量／ウェハ口径）で６０μｍ／１００ｍｍ以下であり、かつ、ウェハ中心における＜０００１＞結晶方位に対して、ウェハ直径上の４つの測定点ａ_１，ａ_２，ａ_１’，ａ_２’での＜０００１＞結晶方位のずれが、いずれも±１０００秒以内である炭化珪素単結晶ウェハである。４つの測定点は、全てウェハ１２の直径Ｌ_１上に存在し、このうち２点ａ_１，ａ_１’はウェハ外周からウェハ中心に向かって２ｍｍ内側の位置、残りの２点ａ_２，ａ_２’は前記外周部の２点ａ_１，ａ_１’と中心ａ_０とを結んだ線分の中点に位置する。 （もっと読む）

【課題】結晶方位を把握することができ、かつ容易に製造することができる炭化珪素基板を提供する。
【解決手段】第１の円形面１１は、第１の形状を有する第１のノッチ部Ｎ１ａが設けられている。第２の円形面２１は、第１の円形面に対向し、かつ第２の形状を有する第２のノッチ部Ｎ２ａが設けられている。側面３１は第１の円形面１１および第２の円形面２１をつないでいる。第１のノッチ部Ｎ１ａおよび第２のノッチ部Ｎ２ａは互いに対向しており、側面３１は第１のノッチ部Ｎ１ａおよび第２のノッチ部Ｎ２ａをつなぐ第１のへこみ部Ｄａを有する。 （もっと読む）

【課題】多層膜の成膜により生じた反りを矯正すること。
【解決手段】単結晶基板２０と、単結晶基板２０の片面に形成された２つ以上の層を有しかつ圧縮応力を有する多層膜３０とを含み、単結晶基板２０をその厚み方向において２等分して得られる２つの領域２０Ｕ、２０Ｄのうち、少なくとも単結晶基板２０の多層膜３０が形成された面側と反対側の面側の領域２０Ｄ内に、熱変性層２２が設けられている多層膜付き単結晶基板、その製造方法および当該製造方法を用いた素子製造方法 （もっと読む）

【課題】表面増強ラマン散乱の研究用の基板を提供する。
【解決手段】基板は、銀、金、白金、銅及び／又はそれらの合金から成る群から選択された金属により被覆されている、ウィスカーを含む半導体表面を含んでおり、半導体はガリウム含有窒化物であり、本質的に各ウィスカーは内部に線状欠陥を含んでいる。ウィスカーは、半導体表面から離れた末端を介して互いに接続されて、円錐状の束を形成している。被覆金属の膜厚は５０ｎｍ〜１５０ｎｍであり、好ましくは７０ｎｍ〜８０ｎｍである。 （もっと読む）

【課題】大面積で転位密度が小さいIII族窒化物半導体結晶を簡便な工程で製造すること。
【解決手段】幅１００μｍ以上の第１結晶成長面（１）と幅１００μｍ以上の第２結晶成長面（２）を１０°以上１８０°未満の角度で交差するように配置し、第１結晶成長面と第２結晶成長面からの結晶成長のみで４０ｍｍ²以上のIII族窒化物半導体結晶を成長させることが可能な結晶成長面配置条件下で結晶成長を行う。 （もっと読む）

【課題】良好なサーモクロミック特性を有する二酸化バナジウム（ＶＯ_２）の単結晶微粒子、及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】サーモクロミック特性を有する二酸化バナジウム（ＶＯ_２）の単結晶微粒子の製造方法であって、バナジウム（Ｖ）を含む物質Ａと、ヒドラジン（Ｎ_２Ｈ_４）またはその水和物（Ｎ_２Ｈ_４・ｎＨ_２Ｏ）と、水とを含み、二酸化チタン（ＴｉＯ_２）の粒子を実質的に含まない溶液を水熱反応させることにより単結晶微粒子を得ることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】石英ルツボの劣化を招くことがなく、また取り扱いが簡便で、しかも溶解時間を大幅に短縮して生産性を高めることができるシリコン原料の溶解方法を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法により直径が300mm以上のシリコン単結晶を育成する場合に、石英ルツボ１ａ内に、多結晶のシリコン原料１０を複数回にわたってチャージして所定量の融液を確保する。この際、ルツボ１ａ内に初期チャージ原料１０’を投入後、この初期チャージ原料１０’を溶解する間に、追加チャージの塊状原料１０を収容した原料供給管８ａ、８ｂを、その底面がルツボ１ａ内の原料融液７の直上に位置するように降下させ、同時に加熱ヒータ１１を原料を加熱しやすい位置に調整して、原料供給管内８ａ、８ｂの塊状原料１０を予熱・加熱し、初期チャージ原料１０’が溶解後、追加チャージの塊状原料１０をルツボ１ａ内に投入する。 （もっと読む）

【課題】他の結晶特性に影響することなくシリコン単結晶における巨視的ボイドの発生率をさらに減じる。
【解決手段】シリコンから成る単結晶９をるつぼ４に含まれた融液１１から引き上げる方法において、引上げの間単結晶９は熱シールド２によって包囲されており、熱シールドの下端部３は融液の表面から所定の距離ｈに位置しており、ガス流１０が、単結晶９と熱シールド２との間の領域を下方へ、熱シールド２の下端部３と融液１１との間を外方へ、次いで熱シールド２の外側の領域において再び上方へ流れ、下端部３における熱シールド２の内径Ｄ_HSが単結晶９の直径Ｄ_SCよりも少なくとも５５ｍｍだけ大きく、下端部３における熱シールド２の半径方向幅Ｂ_HSUが単結晶９の直径Ｄ_SCの２０％以下である。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、短時間で製造することができ、さらに、ゲッタリングサイトを容易かつ短時間に形成できるとともに、内部応力に起因した転位の発生を有効に抑制できるシリコンウェーハの製造方法を提供することにある。
【解決手段】高速引上げ工程と、ウェーハ作製工程と、シリコンウェーハ１０の表面１０ａから所定の深さ位置Ａに対して、長波長である第１レーザー光線２０及び短波長である第２レーザー光線３０を照射するレーザー照射工程（図２(ｃ)）とを具え前記第１レーザー光線２０は、前記ウェーハ１０の所定の深さ位置Ａに集光し、重金属を捕獲するための加工変質層１１を形成し、前記第２レーザー光線は、前記ウェーハの表面１０ａ近傍（表層部分１０ｂ）に集光し、該集光部分を溶融させた後、再結晶化させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】優れた品質のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体単結晶の基板を提供する。
【解決手段】ｎ型ヒ化ガリウム基板であって、１００ｃｍ^-2未満の平均転位密度と、５×１０¹⁶ｃｍ^-3以上で５×１０¹⁷ｃｍ^-3未満のシリコン濃度を有し、半絶縁性ヒ化ガリウム基板は１０００ｃｍ^-2未満の平均転位密度と、５×１０¹⁵ｃｍ^-3未満のシリコン濃度と、１×１０³Ωｃｍ以上の比抵抗を有する。また、ｎ型リン化インジウム基板であって、１００ｃｍ^-2未満の平均転位密度と、１×１０¹⁷ｃｍ^-3以上で３×１０¹⁸ｃｍ^-3未満の硫黄濃度を有し、または１０００ｃｍ^-2未満の平均転位密度と、１×１０¹⁷ｃｍ^-3以上で５×１０¹⁸ｃｍ^-3未満の錫濃度を有し、そして半絶縁性リン化インジウム基板は１０００ｃｍ^-2未満の転位密度と１×１０³Ωｃｍ以上の比抵抗を有して鉄がドープされている。 （もっと読む）