炭化珪素基板
【課題】結晶方位を把握することができ、かつ容易に製造することができる炭化珪素基板を提供する。
【解決手段】第1の円形面11は、第1の形状を有する第1のノッチ部N1aが設けられている。第2の円形面21は、第1の円形面に対向し、かつ第2の形状を有する第2のノッチ部N2aが設けられている。側面31は第1の円形面11および第2の円形面21をつないでいる。第1のノッチ部N1aおよび第2のノッチ部N2aは互いに対向しており、側面31は第1のノッチ部N1aおよび第2のノッチ部N2aをつなぐ第1のへこみ部Daを有する。
【解決手段】第1の円形面11は、第1の形状を有する第1のノッチ部N1aが設けられている。第2の円形面21は、第1の円形面に対向し、かつ第2の形状を有する第2のノッチ部N2aが設けられている。側面31は第1の円形面11および第2の円形面21をつないでいる。第1のノッチ部N1aおよび第2のノッチ部N2aは互いに対向しており、側面31は第1のノッチ部N1aおよび第2のノッチ部N2aをつなぐ第1のへこみ部Daを有する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は炭化珪素基板に関し、特に、単結晶構造を有する炭化珪素基板に関する。
【背景技術】
【0002】
炭化珪素はシリコンに比していくつかの優れた特性を有しており、たとえば、大きなバンドギャップ、大きな最大絶縁破壊電界、および大きな熱伝導率を有している。このため炭化珪素基板を用いて半導体装置を製造することが検討されている。たとえば非特許文献1:Hiroshi YANO et al., "High Channel Mobility in Inversion Layer of SiC MOSFETs for Power Switching Transistors", Jpn. J. Appl. Phys. Vol.39 (2000) pp. 2008-2011 は、MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)を開示している。さらにこの文献は、炭化珪素基板の(11−20)面上にMOSFETを作製した場合、<0001>方向のドレイン電流の大きさに比して<1−100>方向のドレイン電流の大きさは3倍大きいことを開示している。このため、炭化珪素基板を用いて半導体装置を製造する際に、炭化珪素基板の面内方向の方位を把握しておくことが必要となり得る。炭化珪素基板の結晶方位を把握するために、特許文献1:特開2009−081290によれば、オリエンテーションフラットを形成する方法が開示されている。
【0003】
また半導体装置を効率的に製造するためには、ある程度以上の基板の大きさが求められる。特許文献2:米国特許第7314520号明細書によれば、76mm(3インチ)以上の炭化珪素基板を製造することができるとされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特開2009−081290号公報
【特許文献2】米国特許第7314520号明細書
【非特許文献】
【0005】
【非特許文献1】Hiroshi YANO et al., "High Channel Mobility in Inversion Layer of SiC MOSFETs for Power Switching Transistors", Jpn. J. Appl. Phys. Vol.39 (2000) pp. 2008-2011
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
本発明者らは、炭化珪素基板の製造方法の検討を行った結果、150mm(6インチ)以上の大きさを有する炭化珪素基板を工業的に製造することができる方法を見出した。このような大型の炭化珪素基板に対してオリエンテーションフラットを形成しようとすると、基板が大きいことから、必要とされる研削量も多くなる。しかし炭化珪素はシリコンに比して硬度が高いことから、研削量が多い加工は容易ではない。
【0007】
本発明は、上記のような課題を解決するために成されたものであり、本発明の目的は、結晶方位を把握することができ、かつ容易に製造することができる炭化珪素基板を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0008】
本発明の炭化珪素基板は、単結晶構造を有するものであって、第1および第2の円形面と、側面とを有する。第1の円形面は、第1の形状を有する第1のノッチ部が設けられている。第2の円形面は、第1の円形面に対向し、かつ第2の形状を有する第2のノッチ部が設けられている。側面は第1および第2の円形面をつないでいる。第1および第2のノッチ部は互いに対向している。側面は、第1および第2のノッチ部をつなぐ第1のへこみ部を有する。
【0009】
好ましくは、炭化珪素基板は、炭化珪素基板の任意の裏返し操作に対して非対称性を有する。これにより炭化珪素基板の表裏を識別することができる。
【0010】
好ましくは、第1の円形面は、第1の形状と異なる第3の形状を有する第3のノッチ部を含む。また第2の円形面は、第2の形状と異なる第4の形状を有する第4のノッチ部を含む。第3および第4のノッチ部は互いに対向している。側面は、第3および第4のノッチ部をつなぐ第2のへこみ部を有する。
【0011】
好ましくは、第1のへこみ部は裏返し操作に対して非対称性を有する。
好ましくは、第1および第2の形状は互いに異なる。
【0012】
好ましくは、第1および第2の形状は同じであり、かつ裏返し操作に対して非対称性を有する。
【0013】
好ましくは、第1の円形面の表面粗さと第2の円形面の表面粗さとが異なっている。これにより炭化珪素基板の表裏を識別することができる。
【0014】
好ましくは、第1の円形面および第2の円形面のうち、一方は10nm未満の表面粗さRaを有し、他方は10nm以上の表面粗さRaを有する。表面粗さRaは、10μmの辺を有する正方形状の領域に対する原子間力顕微鏡(AFM:Atomic Force Microscope)による測定によって求められる。
【0015】
好ましくは、第1および第2の円形面の各々は、15cm以上の直径を有する。
好ましくは、単結晶構造は六方晶を有する。また第1のノッチ部は、第1の円形面の中心から<11−20>方向および<1−100>方向のいずれか一方に延びる軸の第1の円形面への正射影上に位置する。
【0016】
好ましくは、炭化珪素基板は10/cm2以下のマイクロパイプ密度を有する。
好ましくは、炭化珪素基板は10000/cm2以下のエッチピット密度を有する。
【0017】
好ましくは、炭化珪素基板の反りが30μm以下である。
好ましくは、単結晶構造は六方晶を有し、第1の円形面は{0001}面に対して50°以上65°以下のオフ角を有する。より好ましくは、以下の第1または第2の条件のいずれかが満たされる。
【0018】
第1に、オフ角のオフ方位は<01−10>方向に対して±5°以下の範囲内にある。好ましくは、第1の円形面は<01−10>方向において{03−38}面に対して−3°以上+5°以下のオフ角を有する。より好ましくは、第1の円形面は<01−10>方向において(0−33−8)面に対して−3°以上+5°以下のオフ角を有する。
【0019】
第2に、好ましくは、オフ角のオフ方位は<11−20>方向に対して±5°以下の範囲内にある。
【0020】
ここで、六方晶の単結晶炭化珪素の(0001)面はシリコン面、(000−1)面はカーボン面と定義される。また<01−10>方向における{03−38}面に対するオフ角とは、上記オフ方位の基準としての<01−10>方向および<0001>方向の張る平面への上記第1の円形面の法線の正射影と、{03−38}面の法線とのなす角度であり、その符号は、上記正射影が<01−10>方向に対して平行に近づく場合が正であり、上記正射影が<0001>方向に対して平行に近づく場合が負である。また<01−10>方向における(0−33−8)面に対するオフ角とは、上記オフ方位の基準としての<01−10>方向および<0001>方向の張る平面への上記第1の円形面の法線の正射影と、(0−33−8)面の法線とのなす角度であり、その符号は、上記正射影が<01−10>方向に対して平行に近づく場合が正であり、上記正射影が<0001>方向に対して平行に近づく場合が負である。そして、上記<01−10>方向における(0−33−8)面に対するオフ角が−3°以上+5°以下である第1の円形面とは、当該第1の円形面が炭化珪素結晶において上記条件を満たすカーボン面側の面であることを意味する。また(0−33−8)面は、結晶面を規定するための軸の設定により表現が異なる等価なカーボン面側の面を含むとともに、シリコン面側の面を含まない。一方、{03−38}面は、カーボン面側の面である(0−33−8)面と、シリコン面側の面である(03−38)面との両方を含む。
【発明の効果】
【0021】
本発明によれば、炭化珪素基板に、第1および第2のノッチ部をつなぐ第1のへこみ部、つまり、結晶方位を把握するためのノッチが形成される。ノッチの形成に伴う加工量はオリエンテーションフラットの形成に伴う加工量に比して小さくすることができるので、結晶方位を把握することができる炭化珪素基板をより容易に製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【0022】
【図1】実施の形態1における炭化珪素基板の構成を概略的に示す斜視図である。
【図2】図1の炭化珪素基板の概略平面図である。
【図3】図1の炭化珪素基板の概略底面図である。
【図4】図1の炭化珪素基板の概略正面図である。
【図5】実施の形態1における炭化珪素基板の製造方法の第1工程を概略的に示す斜視図である。
【図6】実施の形態1における炭化珪素基板の製造方法の第2工程を概略的に示す斜視図である。
【図7】実施の形態1における炭化珪素基板の製造方法の第3工程を概略的に示す斜視図である。
【図8】実施の形態1における炭化珪素基板の製造方法の第4工程を概略的に示す斜視図である。
【図9】実施の形態1における炭化珪素基板の製造方法の第5工程を概略的に示す斜視図である。
【図10】実施の形態1の変形例の炭化珪素基板の構成を概略的に示す正面図である。
【図11】実施の形態2における炭化珪素基板の構成を概略的に示す平面図である。
【図12】図11の炭化珪素基板の概略底面図である。
【図13】図11の炭化珪素基板を軸AXm周りに裏返した様子を概略的に示す図である。
【図14】実施の形態3における炭化珪素基板の構成を概略的に示す平面図である。
【図15】図14の炭化珪素基板の概略底面図である。
【図16】図14の炭化珪素基板を軸AXc周りに裏返した様子を概略的に示す図である。
【図17】実施の形態4における炭化珪素基板の構成を概略的に示す平面図である。
【図18】図17の炭化珪素基板の概略底面図である。
【図19】図17の線XIX−XIXに沿う概略部分断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0023】
以下、図面に基づいて本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の図面において同一または相当する部分には同一の参照番号を付し、その説明は繰返さない。
【0024】
(実施の形態1)
図1〜図4に示すように、本実施の形態の炭化珪素基板101は、単結晶構造を有するものであって、第1の円形面11と、第2の円形面21と、側面31とを有する。第1の円形面11は第1の中心C1および第1のノッチ部N1aを有する。第2の円形面21は、第1の円形面11に対向しており、第2の中心C2および第2のノッチ部N2aを有する。第1のノッチ部N1aの形状(第1の形状)および第2のノッチ部N2aの形状(第2の形状)は互いに同一である。第1のノッチ部N1aおよび第2のノッチ部N2aは、炭化珪素基板101の厚さ方向に互いに対向している。側面31は第1の円形面11および第2の円形面21をつないでいる。また側面31は、第1のノッチ部N1aおよび第2のノッチ部N2aをつなぐ第1のへこみ部Daを有する。第1のへこみ部Daは、炭化珪素基板101の厚さ方向に平行な面からなる。また第1の円形面11および第2の円形面21のそれぞれは、直径Rを有する円に第1のノッチ部N1aおよび第2のノッチ部N2aが形成された形状を有する。
【0025】
次に炭化珪素基板101の製造方法について説明する。
図5および図6に示すように、単結晶構造を有する炭化珪素から作られたインゴット111が準備される。インゴット111が成型されることにより、円柱形状を有するインゴット112が得られる。
【0026】
図7に示すように、インゴット112の円柱形状の側面における特定方位に仮ノッチDzが形成される。この特定方位は、第1のへこみ部Daが形成されることになる方位に対応しており、たとえばX線を用いて特定することができる。また仮ノッチDzの形成装置としては、たとえば研削機を用いることができる。
【0027】
図8および図9に示すように、インゴット112が図中破線に示すようにスライスされることにより、仮ノッチDzと、第1の円形面11と、第2の円形面12とを有する炭化珪素基板が得られる。次に仮ノッチDzが形成されている領域に対して、さらに研削および研磨が行われる。これにより第1のへこみ部Da(図1)が形成される。次に第1の円形面11および第2の円形面12に対して研磨が行われる。これにより炭化珪素基板101(図1)が得られる。
【0028】
本実施の形態によれば、炭化珪素基板101に、第1のノッチ部N1aおよび第2のノッチ部N2aをつなぐ第1のへこみ部Da、つまり、炭化珪素基板101の結晶方位を把握するためのノッチが形成される。このノッチの形成に伴う加工量はオリエンテーションフラットの形成に伴う加工量に比して小さくすることができるので、結晶方位を把握することができる炭化珪素基板をより容易に製造することができる。
【0029】
好ましくは、直径Rは15cm以上である。直径15cm以上のシリコン基板を取り扱う製造装置および検査装置の多くは、オリエンテーションフラットではなくノッチを有する基板に対応している。本実施の形態によれば、このような製造装置および検査装置を炭化珪素基板用に利用することができる。
【0030】
また好ましくは第1のノッチ部N1aおよび第2のノッチ部N2aは丸みを帯びるように形成される。これにより、第1のノッチ部N1aおよび第2のノッチ部N2aに鋭利なエッジが形成される場合に比して、ノッチを形成する際にクラックが生じることが防止される。好ましくは、丸みを帯びた部分の曲率半径は0.1mm以上であり、これによりチッピングが生じることを防止することができる。第1のノッチ部N1aおよび第2のノッチ部N2aの各々の形状は、たとえば、半楕円形状、またはその頂点部分に丸みを伴った三角形状である。
【0031】
また好ましくは、炭化珪素基板101の径方向における第1のノッチ部N1aおよび第2のノッチ部N2aの各々の寸法は、0.5mm以上、5mm以下が好ましい。この寸法が0.5mm以上であることによって、第1のノッチ部N1aおよび第2のノッチ部N2aを、単なるチッピングと区別することが容易となる。また寸法が5mm以下であることによって、第1のノッチ部N1aおよび第2のノッチ部N2aをつなぐ第1のへこみ部Daを形成するのに必要な研削量を抑制することができる。
【0032】
また好ましくは、炭化珪素基板101の結晶の欠陥密度が小さくされる。これによりクラックが生じることが防止される。好ましくは炭化珪素基板101は、10/cm2以下のマイクロパイプ密度と、10000/cm2以下のエッチピット密度とを有する。
【0033】
また炭化珪素基板101の反りが小さいほど、クラックが生じることが防止される。好ましくは炭化珪素基板101の反りは30μm以下である。
【0034】
また好ましくは、上記の単結晶構造は六方晶を有し、第1のノッチ部N1aは、第1の中心C1から<11−20>方向および<1−100>方向のいずれかに延びる軸の第1の円形面11への正射影AX1上に位置する。これによりキャリア移動度に関して特徴を有する<11−20>方向または<1−100>方向を容易に識別することができる。
【0035】
また好ましくは、炭化珪素基板101の結晶構造および第1の円形面11の面方位は、キャリア移動度(チャネル移動度)が大きくなるように選択される。具体的には、炭化珪素基板101の単結晶構造は六方晶を有し、また第1の円形面11は{0001}面に対して50°以上65°以下のオフ角を有する。より好ましくは、以下の第1または第2の条件のいずれかが満たされる。
【0036】
第1の条件として、オフ角のオフ方位は<01−10>方向に対して±5°以下の範囲内にある。好ましくは、第1の円形面11は<01−10>方向において{03−38}面に対して−3°以上+5°以下のオフ角を有する。より好ましくは、第1の円形面11は<01−10>方向において(0−33−8)面に対して−3°以上+5°以下のオフ角を有する。
【0037】
第2の条件として、好ましくは、オフ角のオフ方位は<11−20>方向に対して±5°以下の範囲内にある。
【0038】
図10を参照して、本実施の形態の変形例について説明する。本変形例の炭化珪素基板101vは、第2の円形面21(図4)の代わりに第2の円形面21vを有する。第1の円形面11の表面粗さと、第2の円形面21vの表面粗さとは、互いに異なっており、好ましくは目視によって判別できる程度に異なっている。具体的には、第1の円形面11は10nm未満の表面粗さRaを有し、第2の円形面21vは10nm以上の表面粗さRaを有する。たとえば、第1の円形面11は鏡面となるように研磨され、また第2の円形面21には目視で分かる程度の研磨傷が残される。
【0039】
本変形例によれば、炭化珪素基板101の第1の円形面11と第2の円形面12vとを、表面粗さの相違によって識別することができる。第1の円形面11と第2の円形面とでは、炭化珪素の結晶構造の特徴に起因して特性が異なるので、両者を識別することができることは、基板が単結晶炭化珪素から作られている場合に特に有用である。たとえば炭化珪素基板101が{0001}面に平行にスライスされることで形成されている場合、第1の円形面11および第2の円形面21のうち一方はSi(シリコン)面となり他方はC(カーボン)面となるので、第1の円形面11および第2の円形面21の物性は互いに異なるものとなり、よって第1の円形面11および第2の円形面21を互いに区別することは重要である。
【0040】
(実施の形態2)
図11および図12に示すように、本実施の形態の炭化珪素基板102は、単結晶構造を有するものであって、第1の円形面12と、第2の円形面22と、側面32とを有する。第1の円形面12は、第1の円形面11(図2)にさらに第3のノッチ部N1bが設けられた構成を有する。第2の円形面22は、第2の円形面21(図3)にさらに第4のノッチ部N2bが設けられた構成を有する。第3のノッチ部N1bおよび第4のノッチ部N2bは厚さ方向に互いに対向している。第3のノッチ部N1bの形状(第3の形状)および第4のノッチ部N2bの形状(第4の形状)は互いに同一である。第3の形状は第1のノッチ部N1aの形状(第1の形状)と異なっており、第4の形状は第2のノッチ部N2aの形状(第2の形状)と異なっている。本実施の形態においては第3および第4の形状は互いに同一である。側面32は、側面31(図1)にさらに第2のへこみ部Dbが設けられた構成を有する。第2のへこみ部Dbは第3のノッチ部N1bおよび第4のノッチ部N2bをつないでいる。
【0041】
図11に示すように、第1のノッチ軸AXaは、平面視において、第1の中心C1および第1のノッチ部N1aを通る仮想的な軸である。第2のノッチ軸AXbは、平面視において、第1の中心C1および第3のノッチ部N1bを通る仮想的な軸である。第1のノッチ軸AXaおよび第2のノッチ軸AXbは、第1の中心C1において互いに交差している。軸AXmは、平面視において第1の中心C1を通り、かつ第1のノッチ軸AXaの方位および第2のノッチ軸AXbの方位のちょうど中間の方位を有する。
【0042】
図11に示す炭化珪素基板102に対して軸AXm周りに裏返し操作が行われると、炭化珪素基板102は、図13に示す状態となる。図11および図13を比すことによって分かるように、炭化珪素基板102はこの裏返し操作に対して非対称性を有する。具体的には、この操作によって第1のへこみ部Daと第2のへこみ部Dbとの位置が交換されると、たとえば軸AXmに対して時計周り方向に位置するノッチ部の形状が、第3の形状(図11:第3のノッチ部N1bの形状)から第2の形状(図13:第2のノッチ部N2aの形状)に変化する。上述したように両形状は互いに異なるので、図11の状態と図13の状態、すなわち第1の円形面12が露出している状態と第2の円形面22が露出している状態を識別することができる。なお軸AXm以外の軸周りでの裏返し操作に関しては、炭化珪素基板102は当然に非対称性を有する。
【0043】
第1の円形面11と第2の円形面とでは、炭化珪素の結晶構造の特徴に起因して特性が異なるので、両者を識別することができることは、基板が単結晶炭化珪素から作られている場合に特に有用である。たとえば炭化珪素基板101が{0001}面に平行にスライスされることで形成されている場合、第1の円形面11および第2の円形面21のうち一方はSi面となり他方はC面となるので、第1の円形面11および第2の円形面21の物性は互いに異なるものとなる。すなわち本実施の形態によれば、互いに物性の異なる第1の円形面11および第2の円形面21を識別することができる。
【0044】
(実施の形態3)
図14および図15に示すように、本実施の形態の炭化珪素基板103は、単結晶構造を有するものであって、第1の円形面13と、第2の円形面23と、側面33とを有する。第1の円形面13は、第1の中心C1および第1のノッチ部N1cを有する。第2の円形面21は、第1の円形面13に対向しており、第2の中心C2および第2のノッチ部N2cを有する。第1のノッチ部N1cおよび第2のノッチ部N2cは厚さ方向に互いに対向している。側面33は第1の円形面13および第2の円形面23をつないでいる。また側面33は、第1のノッチ部N1cおよび第2のノッチ部N2cをつなぐ第1のへこみ部Dcを有する。第1のへこみ部Dcは、炭化珪素基板103の厚さ方向に平行な面からなる。また第1の円形面13および第2の円形面23の各々は直径Rを有する。
【0045】
軸AXc(図14)は、平面視において、第1の中心C1および第1のノッチ部N1cを通る仮想的な軸である。より詳しくは、軸AXcは平面視において、側面33に対応する円の円周のうち第1のノッチ部N1cが形成されている弧によって規定される扇形の中心角が2つの角度THに二等分されるように延びている。第1のノッチ部N1cの形状(第1の形状)および第2のノッチ部N2cの形状(第2の形状)は互いに同一である。第1のノッチ部N1cの形状は、平面視(図14)において、軸AXcに対して非線対称である。よって第2のノッチ部N2cの形状も、平面視(図15)において、軸AXcに対して非線対称である。すなわち、第1のノッチ部N1cおよび第2のノッチ部N2cの各々の形状は、裏返し操作に対して非対称性を有する。
【0046】
炭化珪素基板103に対して軸AXc周りに裏返し操作が行われると、炭化珪素基板103は、図16に示す状態となる。図14および図16を比して分かるように、炭化珪素基板103は、この裏返し操作に対して非対称性を有する。具体的には、この操作によって、平面視におけるノッチ部の形状が変化する。よって図14の状態と図16の状態、すなわち第1の円形面13が露出している状態と第2の円形面23が露出している状態を識別することができる。なお軸AXc以外の軸周りでの裏返し操作に関しては、炭化珪素基板103は当然に非対称性を有する。
【0047】
本実施の形態によれば、1つのノッチ(第1のへこみ部Dc)だけで、実施の形態2と同様に第1の円形面13および第2の円形面23を識別することができる。
【0048】
(実施の形態4)
図17および図18に示すように、本実施の形態の炭化珪素基板104は、単結晶構造を有するものであって、第1の円形面14と、第2の円形面24と、側面34とを有する。第1の円形面14は、第1の中心C1および第1のノッチ部N1dを有する。第2の円形面24は、第1の円形面14に対向しており、第2の中心C2および第2のノッチ部N2dを有する。第1のノッチ部N1dおよび第2のノッチ部N2dは厚さ方向に互いに対向している。側面34は第1の円形面14および第2の円形面24をつないでいる。また側面34は、第1のノッチ部N1dおよび第2のノッチ部N2dをつなぐ第1のへこみ部Ddを有する。また第1の円形面14および第2の円形面24の各々は直径Rを有する。
【0049】
第1のノッチ部N1dの形状(第1の形状)と、第2のノッチ部N2d(第2のノッチ部)の形状とは、互いに異なる。よって第1のへこみ部Ddは、炭化珪素基板104の厚さ方向に対して傾斜した部分を有する。
【0050】
軸AXd(図17)は、平面視において、第1の中心C1および第1のノッチ部N1dを通る仮想的な軸である。上記のように第1のノッチ部N1dの形状と第2のノッチ部N2dの形状とが相違することから、第1のへこみ部Ddは、軸AXd周りの裏返し操作に対して非対称性を有する。具体的には、この操作によって、図19に示す断面形状が上下反転された形状となり、よって非対称性を有する。別の言い方をすれば、第1のノッチ部N1dの形状と第2のノッチ部N2dの形状とが互いに異なるので、炭化珪素基板104は上記操作に対して非対称性を有する。
【0051】
本実施の形態によっても、上記の非対称性によって実施の形態3と同様の作用効果が得られる。また実施の形態3と異なり、第1のノッチ部N1dの形状は軸AXdに対して線対称性を有してもよい。
【0052】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味、および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【符号の説明】
【0053】
101〜104,101v 炭化珪素基板、11〜14 第1の円形面、21〜24,21v 第2の円形面、31〜34 側面。
【技術分野】
【0001】
本発明は炭化珪素基板に関し、特に、単結晶構造を有する炭化珪素基板に関する。
【背景技術】
【0002】
炭化珪素はシリコンに比していくつかの優れた特性を有しており、たとえば、大きなバンドギャップ、大きな最大絶縁破壊電界、および大きな熱伝導率を有している。このため炭化珪素基板を用いて半導体装置を製造することが検討されている。たとえば非特許文献1:Hiroshi YANO et al., "High Channel Mobility in Inversion Layer of SiC MOSFETs for Power Switching Transistors", Jpn. J. Appl. Phys. Vol.39 (2000) pp. 2008-2011 は、MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)を開示している。さらにこの文献は、炭化珪素基板の(11−20)面上にMOSFETを作製した場合、<0001>方向のドレイン電流の大きさに比して<1−100>方向のドレイン電流の大きさは3倍大きいことを開示している。このため、炭化珪素基板を用いて半導体装置を製造する際に、炭化珪素基板の面内方向の方位を把握しておくことが必要となり得る。炭化珪素基板の結晶方位を把握するために、特許文献1:特開2009−081290によれば、オリエンテーションフラットを形成する方法が開示されている。
【0003】
また半導体装置を効率的に製造するためには、ある程度以上の基板の大きさが求められる。特許文献2:米国特許第7314520号明細書によれば、76mm(3インチ)以上の炭化珪素基板を製造することができるとされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特開2009−081290号公報
【特許文献2】米国特許第7314520号明細書
【非特許文献】
【0005】
【非特許文献1】Hiroshi YANO et al., "High Channel Mobility in Inversion Layer of SiC MOSFETs for Power Switching Transistors", Jpn. J. Appl. Phys. Vol.39 (2000) pp. 2008-2011
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
本発明者らは、炭化珪素基板の製造方法の検討を行った結果、150mm(6インチ)以上の大きさを有する炭化珪素基板を工業的に製造することができる方法を見出した。このような大型の炭化珪素基板に対してオリエンテーションフラットを形成しようとすると、基板が大きいことから、必要とされる研削量も多くなる。しかし炭化珪素はシリコンに比して硬度が高いことから、研削量が多い加工は容易ではない。
【0007】
本発明は、上記のような課題を解決するために成されたものであり、本発明の目的は、結晶方位を把握することができ、かつ容易に製造することができる炭化珪素基板を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0008】
本発明の炭化珪素基板は、単結晶構造を有するものであって、第1および第2の円形面と、側面とを有する。第1の円形面は、第1の形状を有する第1のノッチ部が設けられている。第2の円形面は、第1の円形面に対向し、かつ第2の形状を有する第2のノッチ部が設けられている。側面は第1および第2の円形面をつないでいる。第1および第2のノッチ部は互いに対向している。側面は、第1および第2のノッチ部をつなぐ第1のへこみ部を有する。
【0009】
好ましくは、炭化珪素基板は、炭化珪素基板の任意の裏返し操作に対して非対称性を有する。これにより炭化珪素基板の表裏を識別することができる。
【0010】
好ましくは、第1の円形面は、第1の形状と異なる第3の形状を有する第3のノッチ部を含む。また第2の円形面は、第2の形状と異なる第4の形状を有する第4のノッチ部を含む。第3および第4のノッチ部は互いに対向している。側面は、第3および第4のノッチ部をつなぐ第2のへこみ部を有する。
【0011】
好ましくは、第1のへこみ部は裏返し操作に対して非対称性を有する。
好ましくは、第1および第2の形状は互いに異なる。
【0012】
好ましくは、第1および第2の形状は同じであり、かつ裏返し操作に対して非対称性を有する。
【0013】
好ましくは、第1の円形面の表面粗さと第2の円形面の表面粗さとが異なっている。これにより炭化珪素基板の表裏を識別することができる。
【0014】
好ましくは、第1の円形面および第2の円形面のうち、一方は10nm未満の表面粗さRaを有し、他方は10nm以上の表面粗さRaを有する。表面粗さRaは、10μmの辺を有する正方形状の領域に対する原子間力顕微鏡(AFM:Atomic Force Microscope)による測定によって求められる。
【0015】
好ましくは、第1および第2の円形面の各々は、15cm以上の直径を有する。
好ましくは、単結晶構造は六方晶を有する。また第1のノッチ部は、第1の円形面の中心から<11−20>方向および<1−100>方向のいずれか一方に延びる軸の第1の円形面への正射影上に位置する。
【0016】
好ましくは、炭化珪素基板は10/cm2以下のマイクロパイプ密度を有する。
好ましくは、炭化珪素基板は10000/cm2以下のエッチピット密度を有する。
【0017】
好ましくは、炭化珪素基板の反りが30μm以下である。
好ましくは、単結晶構造は六方晶を有し、第1の円形面は{0001}面に対して50°以上65°以下のオフ角を有する。より好ましくは、以下の第1または第2の条件のいずれかが満たされる。
【0018】
第1に、オフ角のオフ方位は<01−10>方向に対して±5°以下の範囲内にある。好ましくは、第1の円形面は<01−10>方向において{03−38}面に対して−3°以上+5°以下のオフ角を有する。より好ましくは、第1の円形面は<01−10>方向において(0−33−8)面に対して−3°以上+5°以下のオフ角を有する。
【0019】
第2に、好ましくは、オフ角のオフ方位は<11−20>方向に対して±5°以下の範囲内にある。
【0020】
ここで、六方晶の単結晶炭化珪素の(0001)面はシリコン面、(000−1)面はカーボン面と定義される。また<01−10>方向における{03−38}面に対するオフ角とは、上記オフ方位の基準としての<01−10>方向および<0001>方向の張る平面への上記第1の円形面の法線の正射影と、{03−38}面の法線とのなす角度であり、その符号は、上記正射影が<01−10>方向に対して平行に近づく場合が正であり、上記正射影が<0001>方向に対して平行に近づく場合が負である。また<01−10>方向における(0−33−8)面に対するオフ角とは、上記オフ方位の基準としての<01−10>方向および<0001>方向の張る平面への上記第1の円形面の法線の正射影と、(0−33−8)面の法線とのなす角度であり、その符号は、上記正射影が<01−10>方向に対して平行に近づく場合が正であり、上記正射影が<0001>方向に対して平行に近づく場合が負である。そして、上記<01−10>方向における(0−33−8)面に対するオフ角が−3°以上+5°以下である第1の円形面とは、当該第1の円形面が炭化珪素結晶において上記条件を満たすカーボン面側の面であることを意味する。また(0−33−8)面は、結晶面を規定するための軸の設定により表現が異なる等価なカーボン面側の面を含むとともに、シリコン面側の面を含まない。一方、{03−38}面は、カーボン面側の面である(0−33−8)面と、シリコン面側の面である(03−38)面との両方を含む。
【発明の効果】
【0021】
本発明によれば、炭化珪素基板に、第1および第2のノッチ部をつなぐ第1のへこみ部、つまり、結晶方位を把握するためのノッチが形成される。ノッチの形成に伴う加工量はオリエンテーションフラットの形成に伴う加工量に比して小さくすることができるので、結晶方位を把握することができる炭化珪素基板をより容易に製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【0022】
【図1】実施の形態1における炭化珪素基板の構成を概略的に示す斜視図である。
【図2】図1の炭化珪素基板の概略平面図である。
【図3】図1の炭化珪素基板の概略底面図である。
【図4】図1の炭化珪素基板の概略正面図である。
【図5】実施の形態1における炭化珪素基板の製造方法の第1工程を概略的に示す斜視図である。
【図6】実施の形態1における炭化珪素基板の製造方法の第2工程を概略的に示す斜視図である。
【図7】実施の形態1における炭化珪素基板の製造方法の第3工程を概略的に示す斜視図である。
【図8】実施の形態1における炭化珪素基板の製造方法の第4工程を概略的に示す斜視図である。
【図9】実施の形態1における炭化珪素基板の製造方法の第5工程を概略的に示す斜視図である。
【図10】実施の形態1の変形例の炭化珪素基板の構成を概略的に示す正面図である。
【図11】実施の形態2における炭化珪素基板の構成を概略的に示す平面図である。
【図12】図11の炭化珪素基板の概略底面図である。
【図13】図11の炭化珪素基板を軸AXm周りに裏返した様子を概略的に示す図である。
【図14】実施の形態3における炭化珪素基板の構成を概略的に示す平面図である。
【図15】図14の炭化珪素基板の概略底面図である。
【図16】図14の炭化珪素基板を軸AXc周りに裏返した様子を概略的に示す図である。
【図17】実施の形態4における炭化珪素基板の構成を概略的に示す平面図である。
【図18】図17の炭化珪素基板の概略底面図である。
【図19】図17の線XIX−XIXに沿う概略部分断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0023】
以下、図面に基づいて本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の図面において同一または相当する部分には同一の参照番号を付し、その説明は繰返さない。
【0024】
(実施の形態1)
図1〜図4に示すように、本実施の形態の炭化珪素基板101は、単結晶構造を有するものであって、第1の円形面11と、第2の円形面21と、側面31とを有する。第1の円形面11は第1の中心C1および第1のノッチ部N1aを有する。第2の円形面21は、第1の円形面11に対向しており、第2の中心C2および第2のノッチ部N2aを有する。第1のノッチ部N1aの形状(第1の形状)および第2のノッチ部N2aの形状(第2の形状)は互いに同一である。第1のノッチ部N1aおよび第2のノッチ部N2aは、炭化珪素基板101の厚さ方向に互いに対向している。側面31は第1の円形面11および第2の円形面21をつないでいる。また側面31は、第1のノッチ部N1aおよび第2のノッチ部N2aをつなぐ第1のへこみ部Daを有する。第1のへこみ部Daは、炭化珪素基板101の厚さ方向に平行な面からなる。また第1の円形面11および第2の円形面21のそれぞれは、直径Rを有する円に第1のノッチ部N1aおよび第2のノッチ部N2aが形成された形状を有する。
【0025】
次に炭化珪素基板101の製造方法について説明する。
図5および図6に示すように、単結晶構造を有する炭化珪素から作られたインゴット111が準備される。インゴット111が成型されることにより、円柱形状を有するインゴット112が得られる。
【0026】
図7に示すように、インゴット112の円柱形状の側面における特定方位に仮ノッチDzが形成される。この特定方位は、第1のへこみ部Daが形成されることになる方位に対応しており、たとえばX線を用いて特定することができる。また仮ノッチDzの形成装置としては、たとえば研削機を用いることができる。
【0027】
図8および図9に示すように、インゴット112が図中破線に示すようにスライスされることにより、仮ノッチDzと、第1の円形面11と、第2の円形面12とを有する炭化珪素基板が得られる。次に仮ノッチDzが形成されている領域に対して、さらに研削および研磨が行われる。これにより第1のへこみ部Da(図1)が形成される。次に第1の円形面11および第2の円形面12に対して研磨が行われる。これにより炭化珪素基板101(図1)が得られる。
【0028】
本実施の形態によれば、炭化珪素基板101に、第1のノッチ部N1aおよび第2のノッチ部N2aをつなぐ第1のへこみ部Da、つまり、炭化珪素基板101の結晶方位を把握するためのノッチが形成される。このノッチの形成に伴う加工量はオリエンテーションフラットの形成に伴う加工量に比して小さくすることができるので、結晶方位を把握することができる炭化珪素基板をより容易に製造することができる。
【0029】
好ましくは、直径Rは15cm以上である。直径15cm以上のシリコン基板を取り扱う製造装置および検査装置の多くは、オリエンテーションフラットではなくノッチを有する基板に対応している。本実施の形態によれば、このような製造装置および検査装置を炭化珪素基板用に利用することができる。
【0030】
また好ましくは第1のノッチ部N1aおよび第2のノッチ部N2aは丸みを帯びるように形成される。これにより、第1のノッチ部N1aおよび第2のノッチ部N2aに鋭利なエッジが形成される場合に比して、ノッチを形成する際にクラックが生じることが防止される。好ましくは、丸みを帯びた部分の曲率半径は0.1mm以上であり、これによりチッピングが生じることを防止することができる。第1のノッチ部N1aおよび第2のノッチ部N2aの各々の形状は、たとえば、半楕円形状、またはその頂点部分に丸みを伴った三角形状である。
【0031】
また好ましくは、炭化珪素基板101の径方向における第1のノッチ部N1aおよび第2のノッチ部N2aの各々の寸法は、0.5mm以上、5mm以下が好ましい。この寸法が0.5mm以上であることによって、第1のノッチ部N1aおよび第2のノッチ部N2aを、単なるチッピングと区別することが容易となる。また寸法が5mm以下であることによって、第1のノッチ部N1aおよび第2のノッチ部N2aをつなぐ第1のへこみ部Daを形成するのに必要な研削量を抑制することができる。
【0032】
また好ましくは、炭化珪素基板101の結晶の欠陥密度が小さくされる。これによりクラックが生じることが防止される。好ましくは炭化珪素基板101は、10/cm2以下のマイクロパイプ密度と、10000/cm2以下のエッチピット密度とを有する。
【0033】
また炭化珪素基板101の反りが小さいほど、クラックが生じることが防止される。好ましくは炭化珪素基板101の反りは30μm以下である。
【0034】
また好ましくは、上記の単結晶構造は六方晶を有し、第1のノッチ部N1aは、第1の中心C1から<11−20>方向および<1−100>方向のいずれかに延びる軸の第1の円形面11への正射影AX1上に位置する。これによりキャリア移動度に関して特徴を有する<11−20>方向または<1−100>方向を容易に識別することができる。
【0035】
また好ましくは、炭化珪素基板101の結晶構造および第1の円形面11の面方位は、キャリア移動度(チャネル移動度)が大きくなるように選択される。具体的には、炭化珪素基板101の単結晶構造は六方晶を有し、また第1の円形面11は{0001}面に対して50°以上65°以下のオフ角を有する。より好ましくは、以下の第1または第2の条件のいずれかが満たされる。
【0036】
第1の条件として、オフ角のオフ方位は<01−10>方向に対して±5°以下の範囲内にある。好ましくは、第1の円形面11は<01−10>方向において{03−38}面に対して−3°以上+5°以下のオフ角を有する。より好ましくは、第1の円形面11は<01−10>方向において(0−33−8)面に対して−3°以上+5°以下のオフ角を有する。
【0037】
第2の条件として、好ましくは、オフ角のオフ方位は<11−20>方向に対して±5°以下の範囲内にある。
【0038】
図10を参照して、本実施の形態の変形例について説明する。本変形例の炭化珪素基板101vは、第2の円形面21(図4)の代わりに第2の円形面21vを有する。第1の円形面11の表面粗さと、第2の円形面21vの表面粗さとは、互いに異なっており、好ましくは目視によって判別できる程度に異なっている。具体的には、第1の円形面11は10nm未満の表面粗さRaを有し、第2の円形面21vは10nm以上の表面粗さRaを有する。たとえば、第1の円形面11は鏡面となるように研磨され、また第2の円形面21には目視で分かる程度の研磨傷が残される。
【0039】
本変形例によれば、炭化珪素基板101の第1の円形面11と第2の円形面12vとを、表面粗さの相違によって識別することができる。第1の円形面11と第2の円形面とでは、炭化珪素の結晶構造の特徴に起因して特性が異なるので、両者を識別することができることは、基板が単結晶炭化珪素から作られている場合に特に有用である。たとえば炭化珪素基板101が{0001}面に平行にスライスされることで形成されている場合、第1の円形面11および第2の円形面21のうち一方はSi(シリコン)面となり他方はC(カーボン)面となるので、第1の円形面11および第2の円形面21の物性は互いに異なるものとなり、よって第1の円形面11および第2の円形面21を互いに区別することは重要である。
【0040】
(実施の形態2)
図11および図12に示すように、本実施の形態の炭化珪素基板102は、単結晶構造を有するものであって、第1の円形面12と、第2の円形面22と、側面32とを有する。第1の円形面12は、第1の円形面11(図2)にさらに第3のノッチ部N1bが設けられた構成を有する。第2の円形面22は、第2の円形面21(図3)にさらに第4のノッチ部N2bが設けられた構成を有する。第3のノッチ部N1bおよび第4のノッチ部N2bは厚さ方向に互いに対向している。第3のノッチ部N1bの形状(第3の形状)および第4のノッチ部N2bの形状(第4の形状)は互いに同一である。第3の形状は第1のノッチ部N1aの形状(第1の形状)と異なっており、第4の形状は第2のノッチ部N2aの形状(第2の形状)と異なっている。本実施の形態においては第3および第4の形状は互いに同一である。側面32は、側面31(図1)にさらに第2のへこみ部Dbが設けられた構成を有する。第2のへこみ部Dbは第3のノッチ部N1bおよび第4のノッチ部N2bをつないでいる。
【0041】
図11に示すように、第1のノッチ軸AXaは、平面視において、第1の中心C1および第1のノッチ部N1aを通る仮想的な軸である。第2のノッチ軸AXbは、平面視において、第1の中心C1および第3のノッチ部N1bを通る仮想的な軸である。第1のノッチ軸AXaおよび第2のノッチ軸AXbは、第1の中心C1において互いに交差している。軸AXmは、平面視において第1の中心C1を通り、かつ第1のノッチ軸AXaの方位および第2のノッチ軸AXbの方位のちょうど中間の方位を有する。
【0042】
図11に示す炭化珪素基板102に対して軸AXm周りに裏返し操作が行われると、炭化珪素基板102は、図13に示す状態となる。図11および図13を比すことによって分かるように、炭化珪素基板102はこの裏返し操作に対して非対称性を有する。具体的には、この操作によって第1のへこみ部Daと第2のへこみ部Dbとの位置が交換されると、たとえば軸AXmに対して時計周り方向に位置するノッチ部の形状が、第3の形状(図11:第3のノッチ部N1bの形状)から第2の形状(図13:第2のノッチ部N2aの形状)に変化する。上述したように両形状は互いに異なるので、図11の状態と図13の状態、すなわち第1の円形面12が露出している状態と第2の円形面22が露出している状態を識別することができる。なお軸AXm以外の軸周りでの裏返し操作に関しては、炭化珪素基板102は当然に非対称性を有する。
【0043】
第1の円形面11と第2の円形面とでは、炭化珪素の結晶構造の特徴に起因して特性が異なるので、両者を識別することができることは、基板が単結晶炭化珪素から作られている場合に特に有用である。たとえば炭化珪素基板101が{0001}面に平行にスライスされることで形成されている場合、第1の円形面11および第2の円形面21のうち一方はSi面となり他方はC面となるので、第1の円形面11および第2の円形面21の物性は互いに異なるものとなる。すなわち本実施の形態によれば、互いに物性の異なる第1の円形面11および第2の円形面21を識別することができる。
【0044】
(実施の形態3)
図14および図15に示すように、本実施の形態の炭化珪素基板103は、単結晶構造を有するものであって、第1の円形面13と、第2の円形面23と、側面33とを有する。第1の円形面13は、第1の中心C1および第1のノッチ部N1cを有する。第2の円形面21は、第1の円形面13に対向しており、第2の中心C2および第2のノッチ部N2cを有する。第1のノッチ部N1cおよび第2のノッチ部N2cは厚さ方向に互いに対向している。側面33は第1の円形面13および第2の円形面23をつないでいる。また側面33は、第1のノッチ部N1cおよび第2のノッチ部N2cをつなぐ第1のへこみ部Dcを有する。第1のへこみ部Dcは、炭化珪素基板103の厚さ方向に平行な面からなる。また第1の円形面13および第2の円形面23の各々は直径Rを有する。
【0045】
軸AXc(図14)は、平面視において、第1の中心C1および第1のノッチ部N1cを通る仮想的な軸である。より詳しくは、軸AXcは平面視において、側面33に対応する円の円周のうち第1のノッチ部N1cが形成されている弧によって規定される扇形の中心角が2つの角度THに二等分されるように延びている。第1のノッチ部N1cの形状(第1の形状)および第2のノッチ部N2cの形状(第2の形状)は互いに同一である。第1のノッチ部N1cの形状は、平面視(図14)において、軸AXcに対して非線対称である。よって第2のノッチ部N2cの形状も、平面視(図15)において、軸AXcに対して非線対称である。すなわち、第1のノッチ部N1cおよび第2のノッチ部N2cの各々の形状は、裏返し操作に対して非対称性を有する。
【0046】
炭化珪素基板103に対して軸AXc周りに裏返し操作が行われると、炭化珪素基板103は、図16に示す状態となる。図14および図16を比して分かるように、炭化珪素基板103は、この裏返し操作に対して非対称性を有する。具体的には、この操作によって、平面視におけるノッチ部の形状が変化する。よって図14の状態と図16の状態、すなわち第1の円形面13が露出している状態と第2の円形面23が露出している状態を識別することができる。なお軸AXc以外の軸周りでの裏返し操作に関しては、炭化珪素基板103は当然に非対称性を有する。
【0047】
本実施の形態によれば、1つのノッチ(第1のへこみ部Dc)だけで、実施の形態2と同様に第1の円形面13および第2の円形面23を識別することができる。
【0048】
(実施の形態4)
図17および図18に示すように、本実施の形態の炭化珪素基板104は、単結晶構造を有するものであって、第1の円形面14と、第2の円形面24と、側面34とを有する。第1の円形面14は、第1の中心C1および第1のノッチ部N1dを有する。第2の円形面24は、第1の円形面14に対向しており、第2の中心C2および第2のノッチ部N2dを有する。第1のノッチ部N1dおよび第2のノッチ部N2dは厚さ方向に互いに対向している。側面34は第1の円形面14および第2の円形面24をつないでいる。また側面34は、第1のノッチ部N1dおよび第2のノッチ部N2dをつなぐ第1のへこみ部Ddを有する。また第1の円形面14および第2の円形面24の各々は直径Rを有する。
【0049】
第1のノッチ部N1dの形状(第1の形状)と、第2のノッチ部N2d(第2のノッチ部)の形状とは、互いに異なる。よって第1のへこみ部Ddは、炭化珪素基板104の厚さ方向に対して傾斜した部分を有する。
【0050】
軸AXd(図17)は、平面視において、第1の中心C1および第1のノッチ部N1dを通る仮想的な軸である。上記のように第1のノッチ部N1dの形状と第2のノッチ部N2dの形状とが相違することから、第1のへこみ部Ddは、軸AXd周りの裏返し操作に対して非対称性を有する。具体的には、この操作によって、図19に示す断面形状が上下反転された形状となり、よって非対称性を有する。別の言い方をすれば、第1のノッチ部N1dの形状と第2のノッチ部N2dの形状とが互いに異なるので、炭化珪素基板104は上記操作に対して非対称性を有する。
【0051】
本実施の形態によっても、上記の非対称性によって実施の形態3と同様の作用効果が得られる。また実施の形態3と異なり、第1のノッチ部N1dの形状は軸AXdに対して線対称性を有してもよい。
【0052】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味、および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【符号の説明】
【0053】
101〜104,101v 炭化珪素基板、11〜14 第1の円形面、21〜24,21v 第2の円形面、31〜34 側面。
【特許請求の範囲】
【請求項1】
単結晶構造を有する炭化珪素基板であって、
第1のノッチ部が設けられた第1の円形面と、
前記第1の円形面に対向し、かつ第2のノッチ部が設けられた第2の円形面と、
前記第1および第2の円形面をつなぐ側面とを備え、前記第1および第2のノッチ部は互いに対向しており、前記側面は前記第1および第2のノッチ部をつなぐ第1のへこみ部を有する、炭化珪素基板。
【請求項2】
前記炭化珪素基板は、前記炭化珪素基板の任意の裏返し操作に対して非対称性を有する、請求項1に記載の炭化珪素基板。
【請求項3】
前記第1の円形面は、前記第1のノッチ部の形状と異なる形状を有する第3のノッチ部を含み、
前記第2の円形面は、前記第2のノッチ部の形状と異なる形状を有する第4のノッチ部を含み、前記第3および第4のノッチ部は互いに対向しており、
前記側面は、前記第3および第4のノッチ部をつなぐ第2のへこみ部を有する、請求項2に記載の炭化珪素基板。
【請求項4】
前記第1のへこみ部は、前記裏返し操作に対して非対称性を有する、請求項2または3に記載の炭化珪素基板。
【請求項5】
前記第1および第2のノッチ部の各々の形状は互いに異なる、請求項2または3に記載の炭化珪素基板。
【請求項6】
前記第1および第2のノッチ部の各々の形状は同じであり、かつ前記裏返し操作に対して非対称性を有する、請求項2または3に記載の炭化珪素基板。
【請求項7】
前記第1の円形面の表面粗さと前記第2の円形面の表面粗さとが異なっている、請求項1〜6のいずれか1項に記載の炭化珪素基板。
【請求項8】
前記第1の面および第2の面のうち、一方は10nm未満の表面粗さRaを有し、他方は10nm以上の表面粗さRaを有する、請求項7に記載の炭化珪素基板。
【請求項9】
前記第1および第2の円形面の各々は、15cm以上の直径を有する、請求項1〜8のいずれか1項に記載の炭化珪素基板。
【請求項10】
前記単結晶構造は六方晶を有し、
前記第1のノッチ部は、前記第1の円形面の中心から<11−20>方向および<1−100>方向のいずれか一方に延びる軸の前記第1の円形面への正射影上に位置する、請求項1〜9のいずれか1項に記載の炭化珪素基板。
【請求項11】
前記炭化珪素基板は10/cm2以下のマイクロパイプ密度を有する、請求項1〜10のいずれか1項に記載の炭化珪素基板。
【請求項12】
前記炭化珪素基板は10000/cm2以下のエッチピット密度を有する、請求項1〜11のいずれか1項に記載の炭化珪素基板。
【請求項13】
前記炭化珪素基板の反りが30μm以下である、請求項1〜12のいずれか1項に記載の炭化珪素基板。
【請求項14】
前記単結晶構造は六方晶を有し、
前記第1の円形面は{0001}面に対して50°以上65°以下のオフ角を有する、請求項1〜13のいずれか1項に記載の炭化珪素基板。
【請求項15】
前記オフ角のオフ方位は<01−10>方向に対して±5°以下の範囲内にある、請求項14に記載の炭化珪素基板。
【請求項16】
前記第1の円形面は<01−10>方向において{03−38}面に対して−3°以上+5°以下のオフ角を有する、請求項15に記載の炭化珪素基板。
【請求項17】
前記第1の面は<01−10>方向において(0−33−8)面に対して−3°以上+5°以下のオフ角を有する、請求項16に記載の炭化珪素基板。
【請求項18】
前記オフ角のオフ方位は<11−20>方向に対して±5°以下の範囲内にある、請求項14に記載の炭化珪素基板。
【請求項1】
単結晶構造を有する炭化珪素基板であって、
第1のノッチ部が設けられた第1の円形面と、
前記第1の円形面に対向し、かつ第2のノッチ部が設けられた第2の円形面と、
前記第1および第2の円形面をつなぐ側面とを備え、前記第1および第2のノッチ部は互いに対向しており、前記側面は前記第1および第2のノッチ部をつなぐ第1のへこみ部を有する、炭化珪素基板。
【請求項2】
前記炭化珪素基板は、前記炭化珪素基板の任意の裏返し操作に対して非対称性を有する、請求項1に記載の炭化珪素基板。
【請求項3】
前記第1の円形面は、前記第1のノッチ部の形状と異なる形状を有する第3のノッチ部を含み、
前記第2の円形面は、前記第2のノッチ部の形状と異なる形状を有する第4のノッチ部を含み、前記第3および第4のノッチ部は互いに対向しており、
前記側面は、前記第3および第4のノッチ部をつなぐ第2のへこみ部を有する、請求項2に記載の炭化珪素基板。
【請求項4】
前記第1のへこみ部は、前記裏返し操作に対して非対称性を有する、請求項2または3に記載の炭化珪素基板。
【請求項5】
前記第1および第2のノッチ部の各々の形状は互いに異なる、請求項2または3に記載の炭化珪素基板。
【請求項6】
前記第1および第2のノッチ部の各々の形状は同じであり、かつ前記裏返し操作に対して非対称性を有する、請求項2または3に記載の炭化珪素基板。
【請求項7】
前記第1の円形面の表面粗さと前記第2の円形面の表面粗さとが異なっている、請求項1〜6のいずれか1項に記載の炭化珪素基板。
【請求項8】
前記第1の面および第2の面のうち、一方は10nm未満の表面粗さRaを有し、他方は10nm以上の表面粗さRaを有する、請求項7に記載の炭化珪素基板。
【請求項9】
前記第1および第2の円形面の各々は、15cm以上の直径を有する、請求項1〜8のいずれか1項に記載の炭化珪素基板。
【請求項10】
前記単結晶構造は六方晶を有し、
前記第1のノッチ部は、前記第1の円形面の中心から<11−20>方向および<1−100>方向のいずれか一方に延びる軸の前記第1の円形面への正射影上に位置する、請求項1〜9のいずれか1項に記載の炭化珪素基板。
【請求項11】
前記炭化珪素基板は10/cm2以下のマイクロパイプ密度を有する、請求項1〜10のいずれか1項に記載の炭化珪素基板。
【請求項12】
前記炭化珪素基板は10000/cm2以下のエッチピット密度を有する、請求項1〜11のいずれか1項に記載の炭化珪素基板。
【請求項13】
前記炭化珪素基板の反りが30μm以下である、請求項1〜12のいずれか1項に記載の炭化珪素基板。
【請求項14】
前記単結晶構造は六方晶を有し、
前記第1の円形面は{0001}面に対して50°以上65°以下のオフ角を有する、請求項1〜13のいずれか1項に記載の炭化珪素基板。
【請求項15】
前記オフ角のオフ方位は<01−10>方向に対して±5°以下の範囲内にある、請求項14に記載の炭化珪素基板。
【請求項16】
前記第1の円形面は<01−10>方向において{03−38}面に対して−3°以上+5°以下のオフ角を有する、請求項15に記載の炭化珪素基板。
【請求項17】
前記第1の面は<01−10>方向において(0−33−8)面に対して−3°以上+5°以下のオフ角を有する、請求項16に記載の炭化珪素基板。
【請求項18】
前記オフ角のオフ方位は<11−20>方向に対して±5°以下の範囲内にある、請求項14に記載の炭化珪素基板。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【公開番号】特開2011−219322(P2011−219322A)
【公開日】平成23年11月4日(2011.11.4)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2010−91528(P2010−91528)
【出願日】平成22年4月12日(2010.4.12)
【出願人】(000002130)住友電気工業株式会社 (12,747)
【Fターム(参考)】
【公開日】平成23年11月4日(2011.11.4)
【国際特許分類】
【出願日】平成22年4月12日(2010.4.12)
【出願人】(000002130)住友電気工業株式会社 (12,747)
【Fターム(参考)】
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