【課題】加工時間が短く、工具としての寿命が長く、像形成品質が高いパターン形成型及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明に係るパターン成形型は、被加工材の表面に、凹凸を有するパターンを転写するパターン成形型であって、基材１と、基材１に中間層２、３を介して接合されたＤＬＣパターン層４ｂとで構成され、基材１が、剛性を有する金属、セラミックス、又はガラスであり、中間層２、３が、基材１及びＤＬＣパターン層４ｂとの接合性を提供し、かつ、ＤＬＣパターン層４ｂに比べ、エッチングレートが小さい層であり、ＤＬＣパターン層４ｂに、被加工材の表面に転写するパターンが形成されている。 （もっと読む）

【課題】特性の均一性に優れた炭化珪素基板、炭化珪素インゴットおよびそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素インゴットの製造方法は、（０００１）面に対してオフ角が１０°以下であり、単結晶炭化珪素からなるベース基板１を準備する工程と、ベース基板１の表面上に炭化珪素層を成長させる工程とを備える。炭化珪素層を成長させる工程では、炭化珪素層の成長方向側から見たときの幅方向における温度勾配を２０℃／ｃｍ以上とする。このようにすれば、得られた炭化珪素インゴットはその成長最表面９について中央部を含むほぼ全面がファセット面５になっているため、外周端部のみを研削することで全面がファセット面５となった炭化珪素インゴットを得ることができる。 （もっと読む）

【課題】チッピングやクラック、剥離等を無くした、酸化ガリウム基板の提供と、酸化ガリウム基板の製造方法を提供する。
【解決手段】酸化ガリウム基板１６の（100）に対して90±5度で交わり、かつ(100)を除く面で構成される主面１５に対しても90±5度で交わり、さらに主面１５の中心点を通る法線を回転軸として、回転角度にして±5度の誤差内で、主面１５の周縁部に形成された第１のオリエンテーションフラット１４を形成し、更に酸化ガリウム基板１６の主面１５の中心点を対称点にして第２のオリエンテーションフラット１７を他方の主面周縁に形成し、酸化ガリウム基板１６の直径をWD、第１のオリエンテーションフラット１４と第２のオリエンテーションフラット１７のそれぞれの直径方向における奥行きをOLと表したとき、OLを0.003×WD以上0.181×WD以下の範囲に設定して、酸化ガリウム基板１６を作製する。 （もっと読む）

【課題】グラフェンリボンの幅を揃えることを可能にすると共に、幅の揃ったグラフェンリボンを基板全面に備えることが出来る、グラフェンリボンを備える単結晶絶縁性基板の製造方法、及び、グラフェンリボンを備える単結晶絶縁性基板を提供する。
【解決手段】単結晶絶縁性基板を用意し、基板表面にグラフェンを固定し、コア粒子を内包するタンパク質の外径をピッチとして、コア粒子を内包するタンパク質を等間隔にグラフェン上に配置し、タンパク質を除去してコア粒子をグラフェン上に配置し、コア粒子によりグラフェンを切断して、グラフェンリボンを形成する。 （もっと読む）

【課題】窒化物系化合物をエピタキシャル成長する際に、不規則な反りが発生しない大口径サファイア単結晶基板を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法により、サブグレインや気泡のない直胴部の直径が１５０ｍｍ以上のｃ軸方位サファイア単結晶体を育成し、これを水平方向に切断・基板加工することにより、平面方向の応力分布が同心円状を呈した６インチ以上の大口径サファイア単結晶基板を得る。この基板は窒化物系化合物をエピタキシャル成長する際に発生する基板の反りが規則的な碗型であり、窒化物系化合物の膜厚や膜組成を容易に均一に制御できるため、ＬＥＤの歩留まり向上に優れた効果が得られる。 （もっと読む）

【課題】円板形状の面内周波数のばらつきを軽減する水晶ウェハを提供する。
【解決手段】所定の厚みを有し、３回対称性であり、Ｘ軸（電気軸）、Ｙ軸（機械軸）、Ｚ軸（光軸）の結晶軸を有する水晶からなる板状の水晶ウェハ１０であって、直径が１インチ以上であり、＋Ｘ軸と直交する平面を＋Ｘ面としたとき、基本形状を円形とし、その円形のうち、＋Ｘ軸と平行となる半径に対して直交する＋Ｘ面に平行となる方向にオリフラ面１１が設けられている。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、エッチング側壁を２段以上の傾斜構造にしてテーパー角を低角度にするとともに、エッチング後の剥離工程を簡素化できるドライエッチング方法を提供することを課題とする。
【解決手段】 ＳｉＣ基板にSF₆のみ又はSF₆とAｒとの混合ガスによるドライエッチングにより凹部を形成する祭に、エッチングマスクとしてレジスト現像後に１３０℃〜１６０℃の温度で１分〜５分ポストベークするとともに、基板印加バイアス電力とアンテナ電力との比（基板印加バイアス電力／アンテナ電力）を０．０１〜０．１としたことを特徴とするドライエッチング方法である。 （もっと読む）

【課題】デバイス作製に供用可能なウェハ面積部分を増大し、かつ大口径化に伴って増大する加工負荷を回避できる炭化珪素単結晶ウェハを提供する。
【解決手段】ウェハの特定の方位端に総面積の小さい加工欠損部、あるいは非対称な形状を有するノッチ状の加工欠損部を有する炭化珪素単結晶ウェハ。 （もっと読む）

【課題】量産に用い得る厚さと面積を確保しながら、容易な生産方法でかけやわれの発生を抑制してオリエンテーションフラットを形成することを目的とする。
【解決手段】窒化ガリウム結晶体２７から、ファセット１５を有する硬質の立体構造物１４を陵線等に平行に除去することで、欠けや割れの発生を抑制した窒化ガリウム基板を提供できる。しかも、ファセット１５を有する硬質の立体構造物１４の陵線等は特有の結晶方位を有し、かつ、明瞭であるので、立体構造物１４の陵線等に平行に切断加工した窒化ガリウム結晶体２７の切断線２１をデバイス加工の基準線となるオリエンテーションフラットに用いることができる。 （もっと読む）

【課題】インゴット全域にわたって厚さと形状の揃った単結晶サファイア基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】ａ軸方向に引き上げてサファイアの結晶ブールを作製する工程と、結晶ブールからｃ面を端面とする円柱形状のサファイアインゴットを切り出す工程と、サファイアインゴットをｃ面に沿って切断し単結晶サファイア基板を切り出す工程と、を含むｃ面を主面とする単結晶サファイア基板の製造方法であって、サファイアインゴットへの切り込み方向が、引き上げ方向であるａ軸方向を０度方向とした場合に、５度±３度、１１０度±３度、１３０度±３度、１７０度±３度、１９０度±３度、２３０度±３度、２５０度±３度、３５５度±３度の範囲であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ウェーハの表面に凹凸を形成する際、パターニングの精度の低下を防止する。
【解決手段】半導体発光素子基板として用いるウェーハ１０であって、円弧状の外周部１１と、前記外周部１１の一部に形成された直線状の第１のフラット部１２と、前記第１のフラット部１２の端部と接合する直線状の第２のフラット部１３と、を有することを特徴とするウェーハ１０。 （もっと読む）

【課題】全ウェハ体積中の安定ＢＭＤ核の密度が著しく低下したシリコンウェハと該シリコンウェハの製造方法とを提供する。
【解決手段】５×１０¹⁷から７．５×１０¹⁷ｃｍ^-3の酸素濃度を有するシリコンウェハであって、代替的に行なわれる、以下の熱プロセスの後に、
７８０℃で３時間、その後１０００℃で１６時間の処理後に、最大で１×１０⁸ｃｍ^-3のＢＭＤ密度、および
シリコンウェハを１Ｋ／分の加熱速度で５００℃の開始温度から１０００℃の目標温度に加熱し、その後１０００℃で１６時間保持した後に、少なくとも１×１０⁹ｃｍ^-3のＢＭＤ密度、を有するシリコンウェハと、閃光照射による上記シリコンウェハの製造方法とを提供する。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成された材料層に割れを生じさせることなく、当該基板から当該材料層を剥離できるようにすること。
【解決手段】基板１と前記材料層２との界面で前記材料層を前記基板から剥離させるため、基板１上に材料層２が形成されたワーク３に対し、基板１を通して、パルスレーザ光をワーク３に対する照射領域を刻々と変えながら、前記ワーク３において隣接する各照射領域が重畳するように照射する。重畳する照射領域におけるそれぞれのレーザ光の大きさを、材料層２を基板１から剥離させるに必要な分解閾値を超えるエネルギーとなるような大きさとすることで、基板上に形成された材料層に割れを生じさせることなく、材料層を基板から確実に剥離させることができる。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル成長法により堆積させたＳｉＣ層の表面から深い位置に形成された結晶欠陥でも、確実に除去することができる方法を提供する。
【解決手段】単結晶ＳｉＣからなる半導体基板１表面にエピタキシャル層２を積層させて形成したＳｉＣ基板の表面にレジスト膜１２を形成し、基板裏面から紫外線を照射することで、表面のレジスト膜１２を露光する。結晶欠陥１１のある部分は、レジスト膜１２は露光されないため、開口が形成される。その開口部内にイオン注入することで、エピタキシャル層２、半導体基板１を高抵抗化し、結晶欠陥を除去する。最後に、レジスト膜１２を除去することで、半導体装置を形成することができるＳｉＣ基板が得られる。 （もっと読む）

【課題】デフォーカスや発塵を防ぐことができる半導体装置の製造方法を得る。
【解決手段】ｐ型半導体基板１０の外周部の一部にオリエンテーションノッチ３２を形成する。ｐ型半導体基板１０の裏面にオートドープ防止膜３４を形成する。オリエンテーションノッチ３２及びオートドープ防止膜３４を形成した後に、ｐ型半導体基板１０の表面にｐ型又はｎ型の半導体層３６をエピタキシャル成長させる。オリエンテーションノッチ３２の近傍におけるｐ型半導体基板１０の外周とオートドープ防止膜３４との間隔を、オリエンテーションノッチ３２の近傍以外におけるｐ型半導体基板１０の外周とオートドープ防止膜３４との間隔よりも大きくする。 （もっと読む）

【課題】キャリア濃度が低い領域において、転位密度を低減しつつ双晶欠陥の発生を抑制したＩｎＰ単結晶およびその製造方法を提供する。
【解決手段】
ＩｎＰ単結晶１は、小径部１０と、円錐部２０と、直胴部３０とを備えている。直胴部３０は、キャリア濃度が４．０×１０^１８ｃｍ^−３以下である低キャリア濃度部３１と、キャリア濃度が４．０×１０^１８ｃｍ^−３を超える高キャリア濃度部３２とを含んでいる。そして、低キャリア濃度部３１の成長方向に垂直な断面において、当該低キャリア濃度部３１は、外周を含む領域に形成され、平均転位密度が１０００ｃｍ^−２以上である高転位密度領域３１Ｂと、高転位密度領域３１Ｂに取り囲まれるように形成され、平均転位密度が５００ｃｍ^−２以下の低転位密度領域３１Ａとを有している。 （もっと読む）

【課題】 窒化物半導体のエピタキシャル成長中における、種基板の裏主表面及び側面への窒化物半導体の成長を抑制し、スライス時の基準面を確保することができる窒化物半導体自立基板の製造方法を提供する。
【解決手段】 種基板となる窒化物半導体自立基板を準備する工程と、前記種基板の裏主表面全体及び側面の少なくとも一部にＳｉＯ_２又はＳｉ_３Ｎ_４からなる被膜を形成する工程と、前記種基板の表主表面上に、前記種基板と同種の窒化物半導体をエピタキシャル成長する工程と、前記エピタキシャル成長を行ったエピタキシャル成長基板の前記被膜上に析出した堆積物及び前記被膜を除去する工程と、前記エピタキシャル成長基板を、前記被膜を除去した主表面を基準面として、平行にスライスして２分割する工程とを含み、１枚の種基板から２枚の窒化物半導体自立基板を製造する窒化物半導体自立基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】半導体プロセス中の汚染管理のためのＰＣＤ、ＳＰＶ等による金属不純物汚染の評価における、モニターウエーハ外周部の測定結果の信頼性向上を実現することができる金属汚染評価用シリコンウエーハを提供する。
【解決手段】金属汚染を評価するための金属汚染評価用シリコンウエーハであって、該金属汚染評価用シリコンウエーハは、酸素濃度が０．７×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下、抵抗率が１Ωｃｍ以上であるＣＺシリコンウエーハであり、該ＣＺシリコンウエーハは、成長インゴットの直径に対して、縮径して外周部が除去されたものであることを特徴とする金属汚染評価用シリコンウエーハ。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル成長層において基板の内側に向かって発生するクラックの発生を抑制できる窒化ガリウム基板を提供する。
【解決手段】本発明の窒化ガリウム基板は、主面と、主面の外周にエッジ研磨を施した表面側エッジ研磨部とを備える窒化ガリウム基板であって、表面側エッジ研磨部に加速電圧が５ｋＶの電子が照射された際に得られるカソードルミネッセンスの発光スペクトルのうち、窒化ガリウムのバンドギャップに対応する波長における第１のピークの第１の強度が、第１のピークより長波長側に観測される第２のピークの第２の強度の１．５倍以上である。 （もっと読む）

【課題】結晶方位を把握することができ、かつ容易に製造することができる炭化珪素基板を提供する。
【解決手段】第１の円形面１１は、第１の形状を有する第１のノッチ部Ｎ１ａが設けられている。第２の円形面２１は、第１の円形面に対向し、かつ第２の形状を有する第２のノッチ部Ｎ２ａが設けられている。側面３１は第１の円形面１１および第２の円形面２１をつないでいる。第１のノッチ部Ｎ１ａおよび第２のノッチ部Ｎ２ａは互いに対向しており、側面３１は第１のノッチ部Ｎ１ａおよび第２のノッチ部Ｎ２ａをつなぐ第１のへこみ部Ｄａを有する。 （もっと読む）