【課題】貼り合わせウェーハを製造する際、貼り合わせ直後にウェーハ周辺部に発生したボイドの個数・総面積を効率良く低減することができる貼り合わせウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】ボンドウェーハの表面とベースウェーハの表面とを、直接あるいは絶縁膜を介して貼り合わせた後、前記ボンドウェーハを薄膜化して貼り合わせウェーハを作製する貼り合わせウェーハの製造方法において、前記ボンドウェーハとベースウェーハの貼り合わせ後、３０℃以上６０℃以下の温度範囲で所定時間保持した後に、前記ボンドウェーハの薄膜化を行うことを特徴とする貼り合わせウェーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】 リーク電流の発生や酸化膜耐圧の劣化等を抑制しながらも、十分なゲッタリング能力を有するＳＯＩウエーハの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 少なくとも、ベースウエーハまたはボンドウエーハのいずれか一方の表面から、シリコン中で電気的に不活性である中性元素をイオン注入してイオン注入ダメージ層を形成する工程を備えるＳＯＩウエーハの製造方法において、前記イオン注入ダメージ層形成工程における中性元素のイオン注入は、ドーズ量を１×１０^１２ａｔｏｍｓ／ｃｍ^２以上１×１０^１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ^２未満として行うＳＯＩウエーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】イオン注入剥離法を用いた貼り合わせウェーハを製造するにあたり、ウェーハ品質の悪化を防止するため、イオン注入機の基板保持具の劣化状況を容易に判定することができる方法を提供することを目的とする。
【解決手段】イオン注入機の基板保持具の劣化を判定する方法であって、作製された貼り合わせウェーハ又は一部が剥離されたボンドウェーハの品質を測定し、該測定された品質から、前記ボンドウェーハを保持したイオン注入機の基板保持具の劣化を判定するイオン注入機の基板保持具の劣化判定方法。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル層表面の付着パーテイクルが少なく、平滑な面取り部の形状を持ち、かつ酸素析出特性にも優れた、先端ＣＭＯＳに好適なエピタキシャルウェーハを、安定的にかつ低コストで製造することができる方法を提供することを目的とする。
【解決手段】シリコン単結晶基板上にエピタキシャル層を成長させることによりエピタキシャルウェーハを製造する方法において、前記シリコン単結晶基板上に、エピタキシャル層を成長させる工程と、該エピタキシャル層を成長させたシリコン単結晶基板を、６５０〜８００℃の温度で１時間以上保持した後に８５０℃以上の温度に昇温して、前記エピタキシャル層の表面に保護酸化膜を形成する工程と、該保護酸化膜を形成したシリコン単結晶基板の面取り部を研磨する工程と、その後、前記保護酸化膜を除去して、仕上げ洗浄を行う工程とを含むエピタキシャルウェーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】面取り部の形状を再成形するとともに、裏面クラウンを完全に除去し、平坦性に優れた、パーティクルのほとんど無いエピタキシャルウェーハを製造することができる方法を提供することを目的とする。
【解決手段】表裏の主面と該主面の外周の面取り部とからなるシリコン単結晶基板上にエピタキシャル層を成長させることによりエピタキシャルウェーハを製造する方法において、前記シリコン単結晶基板の前記裏面側の主面全面と前記裏面側の面取り部に裏面酸化膜を形成する工程と、該裏面酸化膜を形成したシリコン単結晶基板の表面側の主面上に、４０μｍ以上の膜厚のエピタキシャル層を成長させる工程と、該エピタキシャル層表面に保護酸化膜を形成する工程と、該保護酸化膜を形成したシリコン単結晶基板の面取り部を研削及び研磨する工程と、その後、前記保護酸化膜を除去して、仕上げの洗浄を行う工程とを含むエピタキシャルウェーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】特に厚い熱酸化膜を形成する際に発生するウェーハボートへの貼り付きを防止し、熱酸化膜形成中のシリコン単結晶ウェーハのスリップ転位や割れの発生を抑制することのできる熱酸化膜の形成方法を提供することを目的とする。
【解決手段】シリコン単結晶ウェーハに熱酸化膜を形成する方法であって、前記シリコン単結晶ウェーハを熱処理炉に投入して、熱酸化膜が形成される温度Ｔ１まで昇温して厚さｄ１の熱酸化膜を形成し、その後、前記温度Ｔ１よりも低い温度まで降温した後、前記温度Ｔ１よりも高い温度Ｔ２まで昇温して前記厚さｄ１よりも厚い厚さｄ２の熱酸化膜を追加形成するシリコン単結晶ウェーハの熱酸化膜形成方法。 （もっと読む）

【課題】半導体プロセス中の汚染管理のためのＰＣＤ、ＳＰＶ等による金属不純物汚染の評価における、モニターウエーハ外周部の測定結果の信頼性向上を実現することができる金属汚染評価用シリコンウエーハを提供する。
【解決手段】金属汚染を評価するための金属汚染評価用シリコンウエーハであって、該金属汚染評価用シリコンウエーハは、酸素濃度が０．７×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下、抵抗率が１Ωｃｍ以上であるＣＺシリコンウエーハであり、該ＣＺシリコンウエーハは、成長インゴットの直径に対して、縮径して外周部が除去されたものであることを特徴とする金属汚染評価用シリコンウエーハ。 （もっと読む）

【課題】 窒化物半導体のエピタキシャル成長中における、種基板の裏主表面及び側面への窒化物半導体の成長を抑制し、スライス時の基準面を確保することができる窒化物半導体自立基板の製造方法を提供する。
【解決手段】 種基板となる窒化物半導体自立基板を準備する工程と、前記種基板の裏主表面全体及び側面の少なくとも一部にＳｉＯ_２又はＳｉ_３Ｎ_４からなる被膜を形成する工程と、前記種基板の表主表面上に、前記種基板と同種の窒化物半導体をエピタキシャル成長する工程と、前記エピタキシャル成長を行ったエピタキシャル成長基板の前記被膜上に析出した堆積物及び前記被膜を除去する工程と、前記エピタキシャル成長基板を、前記被膜を除去した主表面を基準面として、平行にスライスして２分割する工程とを含み、１枚の種基板から２枚の窒化物半導体自立基板を製造する窒化物半導体自立基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】高電圧用途に適応できる例えば１μｍ以上の厚いシリコン酸化膜（ＢＯＸ層）を持ったＳＯＩウェーハの製造方法及びＳＯＩウェーハを提供する。
【解決手段】少なくとも、第１のシリコン基板上に１μｍ以上の厚さのＣＶＤ酸化膜を形成する工程と、前記第１のシリコン基板と第２のシリコン基板とを、前記ＣＶＤ酸化膜を介して貼り合わせる工程とを具備し、前記ＣＶＤ酸化膜形成工程後、前記貼り合わせ工程の前後の少なくとも一方で、１１００℃〜１３００℃のアニールを行うアニール工程を有することを特徴とするＳＯＩウェーハの製造方法。 （もっと読む）