【課題】ＳｉＣの高品質単結晶ウェハを提供する。
【解決手段】少なくとも直径約３インチ（７５ｍｍ）と、４°オフ軸のウェハに対して、約５００ｃｍ^−２未満の底面転位密度を有する少なくとも１平方インチ（６．２５ｃｍ^２）の連続した表面領域とを有するＳｉＣウェハであって、その製造方法は、３インチよりわずかに大きい直径を有するＳｉＣブールを形成するステップと、０００１平面に対して約２°と１２°の間の角度で、該ブールをスライスして、ウェハにするステップであって、該ウェハは、各ウェハ上に、５００ｃｍ^−２未満の底面転位密度を有する少なくとも１平方インチの連続した表面領域を有する、ステップとを包含する。前記方法で背蔵した高品質シリコンカーバイド半導体前駆体ウェハ４は、追加的に、１つ以上の少なくとも一つのＩＩＩ族窒化物層６を有する。 （もっと読む）

【課題】ターンオン電界の低減、電流密度の向上、電子放出の均一化を達成できるナノワイヤ構造体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】酸化ガリウム単結晶基板上に、ＮｉまたはＰｔからなる触媒層を形成し、前記触媒層上でトリメチルガリウムおよびアンモニアをＣＶＤ法により８５０〜１０００℃の温度範囲で反応させ、径が５ｎｍ〜２００ｎｍ、長さが５μｍ〜５０μｍのワイヤ状の形態をした窒化ガリウムナノワイヤを形成する。 （もっと読む）

【課題】高い平坦度が得られる半導体ウェーハを提供する。
【解決手段】半導体ウェーハ１の直径φを４５０ｍｍ、厚みｔを９００μｍ以上１１００μｍ以下とする。また、半導体ウェーハ１の局所的な平坦度を示すＳＦＱＲ（Ｓｉｔｅ Ｆｒｏｎｔｓｉｔｅ ｌｅａｓｔ ｓＱｕａｒｅｓ ｆｏｃａｌ ｐｌａｎｅ ｓｉｔｅ Ｒａｎｇｅ）を２５ｎｍ以下、全面の平坦度を示すＧＢＩＲ（Ｇｒｏｂａｌ Ｂａｃｋｓｉｄｅ Ｉｄｅａｌ ｆｏｃａｌ ｐｌａｎｅ Ｒａｎｇｅ）を０．１μｍ以下とする。 （もっと読む）

【課題】鞍型形状のコイルを用いて印加する水平方向の磁場における、横磁場成分と縦磁場成分の割合を制御することで、引上げる単結晶の局所的な酸素濃度のばらつきを抑制し得る、シリコン単結晶の引上げ方法及び該方法により引上げられたインゴットから切り出され、外周研削及び面取り加工が施されたシリコン単結晶ウェーハを提供する。
【解決手段】石英ルツボ１３の内壁面での半径をＲ、引上げる単結晶１９の半径をｒ、磁場中心位置（Ｘ，Ｙ，Ｚ）を（０，０，０）とするとき、印加する磁場の縦磁場成分ＢＺと横磁場成分ＢＹとの関係が、（０，±Ｒ，−Ｒ）の位置において｜縦磁場成分ＢＺ／横磁場成分ＢＹ｜≦１．１、（０，±Ｒ／２，−Ｒ／２）の位置において｜縦磁場成分ＢＺ／横磁場成分ＢＹ｜≦０．２５、（０，±ｒ，−ｒ）の位置において｜縦磁場成分ＢＺ／横磁場成分ＢＹ｜≦０．２５をそれぞれ満たす。 （もっと読む）

【課題】気相成長法により得られるダイヤモンド単結晶基板の割れの問題を克服して、半導体材料、電子部品、光学部品等に用いられる、大型かつ高品質なダイヤモンド単結晶基板を提供する。
【解決手段】ダイヤモンド単結晶種基板からの気相成長により得られたダイヤモンド単結晶基板であって、励起光の集光スポット径が２μｍの顕微ラマン分光法で、種基板層と気相成長層の界面に顕微焦点を設定して測定したダイヤモンド固有ラマンシフトが、界面の、０％より大きく２５％以下の領域（領域Ｃ）では、歪みのないダイヤモンドの標準ラマンシフト量から−１．０ｃｍ^−１以上−０．２ｃｍ^−１未満のシフト量であり、界面の領域Ｃ以外の領域（領域Ｄ）では、歪みのないダイヤモンドの標準ラマンシフト量から−０．２ｃｍ^−１以上＋０．２ｃｍ^−１以下のシフト量である。 （もっと読む）

【課題】引上げＣＺ法（引上げチョクラルスキー法）によるシリコン単結晶の成長方法において、石英るつぼの変形を防ぎながら大口径で高品質の単結晶を高い歩留まりで成長することができる単結晶成長方法を提供する。
【解決手段】石英るつぼ１２の外径が４０インチであり、石英るつぼへのシリコン原料の充填量を６５０ｋｇ以上１１５０ｋｇ以下とし、成長させるシリコン単結晶の直径を４５６ｍｍ以上４７５ｍｍ以下とする。あるいは、石英るつぼの外径が３６インチ（約９１４ｍｍ）、石英るつぼへのシリコン原料の充填量が６５０ｋｇ以上８５０ｋｇ以下、成長させるシリコン単結晶の直径が４５６ｍｍ以上４７５ｍｍ以下であっても良い。使用する石英るつぼの外径を限定することにより、石英るつぼの外周に設置された黒鉛ヒータによって加熱される際の温度上昇を抑制することができ、単結晶成長中に石英るつぼが変形するような事態を有効に回避することができる。 （もっと読む）

【課題】ＣＺ法によりシリコン単結晶を育成するに際し、肩形成工程での有転位化を抑制して歩留りを向上させ、生産性を高めることができる肩形成方法を提供する。
【解決手段】ＣＺ法による直径４５０ｍｍのシリコン単結晶の育成時に、ネック部９からボディ部１２に至る間の高さ（肩部１１の高さ）ｈを１００ｍｍ以上とする。この肩形成方法は、所定強さの横磁場を印加した条件下で適用すれば、肩形成工程での有転位化を抑制し、欠陥のないシリコン単結晶を高い生産効率で育成することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、転位欠陥の少ない良質の大口径｛０００１｝面ウェハを、再現性良く製造し得るための炭化珪素単結晶育成用種結晶付き炭化珪素単結晶インゴット、炭化珪素単結晶基板、炭化珪素エピタキシャルウェハ、及び薄膜エピタキシャルウェハを提供する。
【解決手段】成長面に、幅が０．７ｍｍ以上２ｍｍ未満である溝を有する炭化珪素単結晶育成用種結晶を用いた昇華再結晶法により、該種結晶上に炭化珪素単結晶を成長させる工程を包含する、炭化珪素単結晶の製造方法で炭化珪素単結晶を成長させて得られた種結晶付き炭化珪素単結晶インゴットであって、該インゴットの口径が５０ｍｍ以上３００ｍｍ以下であることを特徴とする種結晶付き炭化珪素単結晶インゴット、及びそれから得られる炭化珪素単結晶基板、炭化珪素エピタキシャルウェハ、及び薄膜エピタキシャルウェハである。 （もっと読む）

【課題】チョクラルスキー法により、特に直径４５０ｍｍシリコンウェーハ用のシリコン単結晶を、育成中に破裂することなく育成できる、高品質シリコン単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】チャンバ１２に収容されたるつぼ１３にシリコン融液１５を貯留し、このシリコン融液１５に種結晶２２を浸漬して回転させながら引上げることにより、種結晶２２から無転位のシリコン単結晶１１を引上げて育成する。チャンバ１２内にアルゴンガスのみからなる不活性ガスを流通させる。またシリコン単結晶１１の引上げ速度を制御することにより、シリコン単結晶１１とシリコン融液１５との固液界面３３上であってシリコン単結晶１１の中心部での熱応力を５０ＭＰａ以下とする。 （もっと読む）

【課題】ＣＺ法により直径４５０ｍｍのシリコン単結晶を育成するに際し、テイル部での有転位化の発生を抑制し、歩留りおよび生産性を向上させることができるシリコン単結晶の育成方法を提供する。
【解決手段】ＣＺ法により直径Ｄが４５０ｍｍの直胴部１１ｃを有するシリコン単結晶１１を育成する際に、直胴部１１ｃに続いて形成するテイル部１１ｄの長さを１００ｍｍ以上にする。そのテイル部１１ｄの形成時に、０．１Ｔ以上の横磁場を印加する。 （もっと読む）

【課題】シリコン原料の溶融時間を短縮し、石英ルツボの延命化を図ることができるシリコン単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ルツボ１内に充填するシリコン原料の総重量の１０％以上に、シリコン単結晶４から派生した非製品部９を用い、この非製品部９と多結晶シリコン８をルツボ１内で溶融させてこのシリコン融液３からシリコン単結晶１４を引き上げる。これにより、シリコン原料の溶融の際に、非製品部９が早期に溶融してシリコン原料全体の溶融が促進する。 （もっと読む）

【課題】相対的に小さい石英坩堝を用いて大口径のシリコン単結晶の引き上げが可能なシリコン単結晶の製造装置および製造方法を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法によるシリコン単結晶の製造装置において、シリコン単結晶４を引き上げる、シリコン融液３を収容する石英坩堝１と、石英坩堝１の外部に配置され、石英坩堝１中にシリコン融液２３を供給する融液供給部２０とを備えるものとする。そして、石英坩堝１の直径を９１４ｍｍ以上１１１８ｍｍ以下とし、シリコン単結晶の直径を４５０ｍｍとする。 （もっと読む）

【課題】大口径化に伴う大重量のシリコン単結晶を落下させることなく安全に育成することができるシリコン単結晶の育成方法を提供する。
【解決手段】ＣＺ法により、ルツボ２内の原料融液６に浸漬させた種結晶８を引き上げてネック部１０を形成し、ネック部１０に続いて径拡大部１１およびくびれ部１２を形成した後、径拡大部１１を把持しながら引き上げてシリコン単結晶９を育成するに際し、直径が１０ｍｍ以上のくびれ部１２を形成する。これにより、シリコン単結晶９の重量に耐えることが可能なくびれ部１２が形成されるため、くびれ部１２の破断を防止できる。 （もっと読む）

【課題】平均転位密度が５×１０⁵ｃｍ^-2以下であり、かつ、割れ難いＩＩＩ族窒化物単結晶自立基板、およびかかるＩＩＩ族窒化物単結晶自立基板を用いた半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物単結晶自立基板は、１つ以上の高転位密度領域２０ｈと、高転位密度領域２０ｈよりも転位密度が低い複数の低転位密度領域２０ｋと、を含み、平均転位密度が５×１０⁵ｃｍ^-2以下である。ここで、平均転位密度に対する高転位密度２０ｈの転位密度の比が基板のクラックの伝搬を阻止するのに十分な大きさである。また、本半導体デバイスの製造方法は、ＩＩＩ族窒化物単結晶自立基板２０ｐを用いる。 （もっと読む）

【課題】結晶性の良好なＡｌＮを成長させるＡｌＮ結晶の成長方法およびＡｌＮ積層体を提供する。
【解決手段】ＡｌＮ結晶の成長方法は、以下の工程を備えている。まず、ＡｌＮを含む原料１７が準備される。主表面１１ａを有する異種基板１１が準備される。原料１７を昇華させて、異種基板１１の主表面１１ａを覆うように、ＡｌＮ結晶を成長させることにより、表面１２ａが平坦な第１の層１２が形成される。原料１７を昇華させて、第１の層１２の表面１２ａ上に、ＡｌＮよりなる第２の層１３が形成される。第２の層１３は、第１の層１２よりも高い温度で形成される。 （もっと読む）

【課題】大口径化に伴う大重量のシリコン単結晶を落下させることなく安全に育成することができるシリコン単結晶の育成方法を提供する。
【解決手段】ＣＺ法により、ルツボ２内の原料融液６に浸漬させた種結晶８を引き上げてネック部１０を形成し、ネック部１０に続いて径拡大部１１およびくびれ部１２を形成した後、径拡大部１１を把持しながら引き上げてシリコン単結晶９を育成するに際し、ネック部１０を無転位化させた後に径拡大部１１の形成に移行する。これにより、無転位化されて強度を確保されたくびれ部１２が形成されるため、シリコン単結晶９の重量負担によるくびれ部１２の破断を防止できる。 （もっと読む）

【課題】大口径のシリコン単結晶の引上げにおける生産効率に優れ、結晶品質を安定させることができるシリコン単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】石英ルツボに充填率が４０〜６０％で初期チャージされたシリコン原料を溶融し、さらに目標の充填量を満たすまでシリコン原料を追加チャージした後、前記石英ルツボ内に形成された融液から単結晶を引き上げるシリコン単結晶の製造方法において、望ましくは、目標の充填量を満たすまで少なくとも２回に亘りシリコン原料を追加チャージする。これにより、使用する石英ルツボの容積を有効に活用でき、初期チャージされるシリコン原料の溶解時間を短縮できるとともに、液面ダメージ部を新たに形成することが可能となる。この製造方法は、直径が４５０ｍｍのシリコン単結晶を３６インチ（９１４ｍｍ）〜４４インチ（１１１８ｍｍ）の石英ルツボを用いて引き上げる場合に最適である。 （もっと読む）

【課題】ウェーハ周縁部に低酸素領域のないウェーハ面内における酸素濃度分布がより均一な直径が４５０ｍｍのシリコンウェーハを形成し得るシリコン単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン単結晶引上げ装置１０のチャンバ１１内に設置された石英るつぼ１２にシリコン融液１３を貯留し、石英るつぼ１２に貯留したシリコン融液１３から棒状のシリコン単結晶１５を引上げるシリコン単結晶の製造方法において、シリコン単結晶１５を直径が４５８ｍｍプラスαｍｍ（但し、０≦α≦１１である。）になるように引上げる工程と、引上げられたシリコン単結晶１５の外周をウェーハ加工工程での加工代を残した直径まで外径研削する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】ＣＺ法により大口径の単結晶の引き上げに適した単結晶引上げ装置、およびこれを用いた単結晶の引上げ方法を提供する。
【解決手段】ルツボ１内に供給される原料を加熱し、溶融状態に保持するためのヒーター２が内部に配置されたチャンバー（メインチャンバー４、トップチャンバー６）を有し、ルツボ１内の溶融液９からチョクラルスキー法により単結晶１６を育成する単結晶引上げ装置であって、ヒーターがチャンバー４，６に取り付けられている引上げ装置。特に大口径の単結晶１６を育成する場合に有効である。この引上げ装置を用いた単結晶１６の引上げ方法によれば、直径４５０ｍｍの大口径のシリコン単結晶１６の引き上げに際し、引き上げ終了毎に行われるルツボ１や装置構成パーツのハンドリングを支障なく実施することができる。 （もっと読む）

【課題】初期チャージされたシリコン原料の溶解時間を制御することにより、ルツボ表面の損傷を抑制し、結晶品質の安定化に優れたシリコン単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ＣＺ法により初期チャージされたシリコン原料を溶解し、さらに目標の充填量を満たすまで追加チャージされたシリコン原料を溶解して、石英ルツボ内に融液を形成したのちシリコン単結晶を製造する方法であって、前記石英ルツボに初期チャージされたシリコン原料の溶解時間を、目標の充填量を溶解する全溶解時間の１／３〜１／２にする。このシリコン単結晶の製造方法は、直径が３００ｍｍ以上となる大口径のシリコン単結晶の引上げに最適な方法である。 （もっと読む）