【課題】大口径で低転位密度のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体単結晶を提供する。
【解決手段】ｎ型ヒ化ガリウム基板は平均転位密度が３０ｃｍ^-2未満であってシリコン濃度が５×１０¹⁶ｃｍ^-3以上で５×１０¹⁷ｃｍ^-3未満であり、半絶縁性ヒ化ガリウム基板は平均転位密度が３００ｃｍ^-2未満であってシリコン濃度が５×１０¹⁵ｃｍ^-3未満でありかつ比抵抗が１×１０³Ωｃｍ以上であり、ｎ型リン化インジウム基板は平均転位密度が５０ｃｍ^-2未満であって硫黄濃度が１×１０¹⁷ｃｍ^-3以上で３×１０¹⁸ｃｍ^-3未満であり、ｎ型リン化インジウム基板は平均転位密度が３００ｃｍ^-2未満であって錫濃度が１×１０¹⁷ｃｍ^-3以上で５×１０¹⁸ｃｍ^-3未満であり、半絶縁性リン化インジウム基板は平均転位密度が３００ｃｍ^-2未満であって比抵抗が１×１０³Ωｃｍ以上である。 （もっと読む）

化学気相堆積（ＣＶＤ）を用いて製造される単結晶ダイヤモンド材料、特に、レーザーのような光学的用途における使用に適する特性を有するダイヤモンド材料が、開示される。特に、室温で測定した場合に、最長長さ内部寸法、複屈折及び吸収係数の好ましい特性を有するＣＶＤ単結晶ダイヤモンド材料が、開示される。ラマンレーザーを含めて、前記ダイヤモンド材料の使用、及び前記ダイヤモンドの製造方法もまた開示される。 （もっと読む）

【課題】（０００１）面以外の任意に特定される主面を有する、クラックの少ないＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】２枚以上のシード基板を隣接して配置し、それらシード基板上にＩＩＩ族窒化物結晶を成長させるＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法において、シード基板の境界線と成長させるＩＩＩ族窒化物結晶の＜０００１＞軸を主面に投影した直線とがなす角度をθとした場合、１以上の境界線が以下の（１）又は（２）を満たす。（１）０°＜θ＜９０°である。（２）θ＝０°である境界線（ｌ）が２本以上存在し、隣り合う境界線（ｌ）が同一直線上にない。 （もっと読む）

【課題】発光のブルーシフトが抑制された発光デバイスの製造に好適なＩＩＩ族窒化物結晶基板、エピ層付ＩＩＩ族窒化物結晶基板、ならびに半導体デバイスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物結晶基板１は、ＩＩＩ族窒化物結晶基板１の任意の特定結晶格子面のＸ線回折条件を満たしながら結晶基板の主表面１ｓからのＸ線侵入深さを変化させるＸ線回折測定から得られる特定結晶格子面の面間隔において、０．３μｍのＸ線侵入深さにおける面間隔ｄ₁と５μｍのＸ線侵入深さにおける面間隔ｄ₂とから得られる｜ｄ₁−ｄ₂｜／ｄ₂の値で表される結晶基板の表面層の均一歪みが１．７×１０^-3以下であり、主表面の面方位が、結晶基板のｃ軸を含む面から［０００１］方向に−１０°以上１０°以下の傾斜角を有する。 （もっと読む）

【課題】段差などの乱れが少ない平坦な劈開面が得られるIII族窒化物半導体基板及びそ
の製造方法を提供する。
【解決手段】直径２５ｍｍ以上、厚さ２５０μｍ以上のIII族窒化物半導体基板であって
、前記III族窒化物半導体基板の外縁から５ｍｍ以内の外周部における少なくとも前記外
縁側の部分は、前記III族窒化物半導体基板の主面内の応力が引張応力であり、且つ前記III族窒化物半導体基板の前記外縁側の部分よりも中心側の部分に比べて相対的に引張応力が大きくなっている。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、石英ルツボにシリコン原料融液が連続的又は断続的に供給され、前記シリコンルツボ内でシリコン原料融液の液面高さ位置が実質的に一定の状態となる場合であっても、内壁の侵食に起因した石英ルツボの破損を抑制できる単結晶引上げ用ルツボ及び単結晶引上げ方法を提供することにある。
【解決手段】前記石英ルツボ２０が、側壁外周の所定の高さ位置Ｈに、石英材料からなる側壁補強部２２を設けて前記側壁部分を厚肉側壁部２３とし、シリコン単結晶５の引上げ時、石英ルツボ２０が加熱されて軟化し、前記厚肉側壁２３部が前記黒鉛ルツボ３０の内壁面３０ａ形状に対応して変形することで、石英ルツボ２０の前記厚肉側壁部２３が内面側に部分的に迫り出してなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素の高品質の単結晶を生成する。
【解決手段】シード結晶とシード・ホルダとの距離を、シード結晶とシード・ホルダとの間の伝導性熱転移が、シード・ホルダに隣接するシード結晶の表面全体に渡って、これらの間の放射性熱転移よりも大きくなるまで、減少させる。特に、シード結晶及びシード・ホルダが直接接触するときに良好な結果が得られ、接触面は常に１０μｍ以下、好ましくは１μｍ未満である。このような関係を得るために、シード・ホルダ２５に固定されているエッジ・リング・シード・キャップ２７にシード結晶２４を支持している。成長する結晶２６もキャップに支持される。 （もっと読む）

【課題】結晶格子面の反りが小さく、欠陥密度が低く高品質であって、加工時にクラックが発生しない炭化珪素単結晶及びその製造方法、並びに炭化珪素単結晶ウェーハ及び炭化珪素単結晶インゴットを提供する。
【解決手段】台座６ｃに装着された炭化珪素種結晶４上に炭化珪素単結晶を成長させる炭化珪素単結晶の製造方法において、炭化珪素種結晶４の結晶格子面の反りを測定する工程と、前記成長時において、前記反りを解消する方向に炭化珪素種結晶４を反らせる材料からなる台座６ｃを選択する工程と、前記台座６ｃに炭化珪素種結晶４を装着する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】結晶の有転位化を抑制しつつ、シリコン単結晶の引き上げ中に大量のドーパントを融液に添加して高濃度のドーパントを含有した低抵抗率のシリコン単結晶を製造することができる方法を提供する。
【解決手段】シリコンの融液に接触させたシリコン種結晶を回転させながら引き上げて、該シリコン種結晶下に直径がφｍｍの直胴部を有するシリコン単結晶を育成することを含むシリコン単結晶の製造方法であって、シリコン単結晶の直胴部の育成中に、シリコン単結晶を回転速度ωｒｐｍ［但し、ω≧２４−（φ／２５）］で回転させながらドーパントを融液に添加するドーパント添加工程を含むことを特徴とするシリコン単結晶の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】円錐形の管の管端部のこのような凝固を確実に防止する。
【解決手段】この課題は、粒体の包囲溶融によりシリコンから単結晶を製作するための方法において、シリコン製の回転プレートの下位に配置された誘導加熱コイルにより、単結晶の円錐形に拡張された区分を結晶化させ、誘導溶融されたシリコンを、前記プレートの中央開口を取り囲んでおり且つ前記プレートの下方に延びる前記プレートの円錐形の管を通して、単結晶の円錐形に拡張された区分上に位置し且つ円錐形の管の管端部に接触している溶融物に供給し、しかも、単結晶の円錐形に拡張された区分が１５〜３０ｍｍの直径を有して結晶化される限りは、前記管端部の外径が１５ｍｍを下回らないように、前記プレートの下位に配置された誘導加熱コイルによって十分なエネルギを供給することによって解決される。 （もっと読む）

【課題】 高耐圧が要求されるパワーデバイス等に適した、酸素をほとんど含まない大口径のシリコン単結晶を製造するのに好適なシリコン単結晶の製造方法と、シリコン単結晶ウェーハを提供する。
【解決手段】 チョクラルスキー法により育成されたシリコン単結晶ウェーハであって、該シリコン単結晶ウェーハは、酸素濃度が１×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３（ＡＳＴＭ７９）以下で、かつ抵抗率面内分布が１０％以内であることを特徴とするシリコン単結晶ウェーハ及びシリコン単結晶の製造方法であって、チョクラルスキー法によって原料融液からシリコン単結晶を引き上げる際に、少なくとも、前記原料融液を保持するルツボに、シリコンより融点が高く組成に酸素原子を含まない材質で構成されたルツボを用い、かつ前記原料融液の対流を抑制するための磁場を印加することを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】なし
【解決手段】一次元のナノ構造は、約２００ｎｍ未満の均一な直径を有する。“ナノワイヤー”と呼ばれる、かかる新規のナノ構造は、異なる化学的な構成を有する少なくとも２つの単結晶の物質のヘテロ構造と同様に、単結晶のホモ構造を含む。単結晶の物質がヘテロ構造を形成するために使用されるので、結果となるヘテロ構造は、同様に単結晶となるであろう。ナノワイヤーのヘテロ構造は、一般的に、異なる物質を含むワイヤーを生成する、ドーピング及び構成が縦若しくは放射方向の何れかで制御されるか、又は両方向で制御される、半導体ワイヤーに基づく。結果となるナノワイヤーのヘテロ構造の例は、縦のヘテロ構造のナノワイヤー（ＬＯＨＮ）及び共軸のヘテロ構造のナノワイヤー（ＣＯＨＮ）を含む。 （もっと読む）

【課題】発光のブルーシフトが抑制された発光デバイスの製造に好適なＩＩＩ族窒化物結晶基板、エピ層付ＩＩＩ族窒化物結晶基板、ならびに半導体デバイスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物結晶基板１の任意の特定結晶格子面のＸ線回折条件を満たしながら結晶基板の主表面１ｓからのＸ線侵入深さを変化させるＸ線回折測定から得られる特定結晶格子面の面間隔において、０．３μｍのＸ線侵入深さにおける面間隔ｄ₁と５μｍのＸ線侵入深さにおける面間隔ｄ₂とから得られる｜ｄ₁−ｄ₂｜／ｄ₂の値で表される結晶基板の表面層の均一歪みが１．９×１０^-3以下であり、主表面の面方位が、結晶基板の（０００１）面または（０００−１）面１ｃから＜１０−１０＞方向に１０°以上８０°以下で傾斜したＩＩＩ族窒化物結晶基板１。 （もっと読む）

【課題】半導体層を構成する化合物半導体と異なる材料からなる基板とこの上に成膜されたＩＩＩ族化合物半導体層を有し、発光波長の波長分布σが５ｎｍ以下の化合物半導体ウェーハを提供する。
【解決手段】サファイア基板上にＩＩＩ族窒化物化合物半導体層を成膜し発光波長の波長分布σが５ｎｍ以下の化合物半導体ウェーハの製造方法であって、反り量Ｈが−１０μｍ＜Ｈ＜０の範囲であり、直径Ｄが５０ｍｍ〜１５５ｍｍの範囲であり、厚さｄが０．４ｍｍ〜１．５ｍｍの範囲であるサファイア基板上に、合計の厚さが８μｍ以上１５μｍ以下のＩＩＩ族窒化物化合物半導体層を成膜する半導体層成膜工程を有し、前記サファイア基板の前記直径Ｄと前記厚さｄとが、下記式（１）の関係を満たすことを特徴とする化合物半導体ウェーハの製造方法。
０．７×１０^２≦（Ｄ／ｄ）≦１．５×１０^２ （１） （もっと読む）

【課題】特に多量のドーパントを添加した場合にあっても、結晶成長中のセル成長を未然に回避して低抵抗の単結晶シリコンを製造し得る手法について提案する。
【解決手段】チョクラルスキー法により単結晶シリコンを製造するに当たり、単結晶シリコンを引き上げ時における固液界面の高さを制御することによって、低抵抗率の単結晶シリコンを製造する。 （もっと読む）

【課題】結晶性に優れ、基板に対して配向成長したｐ型ＺｎＯナノ構造体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】圧力及び温度が制御された反応容器の内部に配置されたＰ（リン）を含有するＺｎＯターゲットにレーザー光を照射し、レーザーアブレーションにより生成した微粒子に由来する微結晶を核としてサファイア単結晶基板表面のｃ面に配向成長したリンを含有するｐ型ＺｎＯナノ構造体が形成される。特に圧力及び温度を適宜選択することにより、ｐ型ＺｎＯナノ構造体として、ｐ型ＺｎＯナノワイヤやｐ型ＺｎＯナノシートを形成することができる。該ＺｎＯナノ構造体は、紫外線センサなどの半導体デバイスとして好適に使用できる。 （もっと読む）

【課題】良好な結晶性と良好な表面平坦性とを兼ね備えた窒化物半導体自立基板とその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る窒化物半導体自立基板は、該基板の表面が鏡面であり、前記窒化物半導体自立基板に対するＸ線ロッキングカーブ測定により得られる結果で窒化物半導体結晶の(０００２)面の半値幅が15 sec以上30 sec未満であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】大口径で主面の面方位が（０００１）および（０００−１）以外で主面内における転位密度が実質的に均一であるＧａＮ単結晶基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本ＧａＮ単結晶基板２０ｐは、主面２０ｐｍの面積が１０ｃｍ²以上であり、主面２０ｐｍの面方位が（０００１）面または（０００−１）面２０ｃに対して６５°以上８５°以下で傾斜しており、主面２０ｐｍ内における転位密度の分布が実質的に均一、たとえば主面２０ｐｍ内における平均転位密度に対する転位密度のばらつきが±１００％以内である。 （もっと読む）

【課題】｛０００１｝以外の面方位の主面を有する結晶性の高いＩＩＩ族窒化物結晶を高い結晶成長速度で成長させるＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法は、ＩＩＩ族窒化物バルク結晶１から、｛２０−２１｝、｛２０−２−１｝、｛２２−４１｝および｛２２−４−１}からなる群から選ばれるいずれかの結晶幾何学的に等価な面方位に対するオフ角が５°以下の面方位を有する主面１０ｐｍ，１０ｑｍを有する複数のＩＩＩ族窒化物結晶基板１０ｐ，１０ｑを切り出す工程と、基板１０ｐ，１０ｑの主面１０ｐｍ，１０ｑｍが互いに平行で、かつ、基板１０ｐ，１０ｑの［０００１］方向が同一になるように、横方向に基板１０ｐ，１０ｑを互いに隣接させて配置する工程と、基板１０ｐ，１０ｑの主面１０ｐｍ，１０ｑｍ上にＩＩＩ族窒化物結晶２０を成長させる工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 炭化珪素（ＳｉＣ）単結晶ウエハ上に高品質なエピタキシャル薄膜を成長させ、その薄膜を用いて高性能なデバイスを歩留り良く作製する。
【解決手段】 エピタキシャル薄膜成長とそのデバイス作製に使用される口径５０ｍｍ以上のＳｉＣ単結晶ウエハであって、ウエハ面内の任意の２点間での結晶方位のずれが６０秒／ｃｍ以下であるモザイク性の小さな炭化珪素単結晶ウエハ。 （もっと読む）