【課題】溶液成長法における結晶成長では、種結晶から黒鉛軸方向への放熱作用により成長が進む。接着不良箇所や接着剥離箇所のような、接着が不完全な部分(空気の層が入る部分)がある場合、軸方向への放熱性が悪くなり部分的に成長速度が落ちる。その結果、単結晶成長時に面内で平坦な成長が出来ない問題を引き起こす。また、接着不良箇所や接着剥離箇所のような、接着が不完全な部分は、種結晶の脱落の原因となり得る。従って、接着層で均一且つ安定な接着を実現することが、課題となっている。
【解決手段】ＳｉＣの溶液にＳｉＣ種結晶を接触させてＳｉＣ単結晶を成長させるために用いるＳｉＣ種結晶を黒鉛軸先端に接着する方法であって、熱硬化性樹脂およびＳｉＣ粒子を含む接着剤を用いてＳｉＣ種結晶を黒鉛軸先端に接着することを特徴とするＳｉＣ種結晶の接着方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】不純物の混入を抑制した窒化物半導体結晶を製造するための窒化物半導体結晶の製造方法、窒化物半導体結晶および窒化物半導体結晶の製造装置を提供する。
【解決手段】窒化物半導体結晶の製造方法は、以下の工程が実施される。まず、原料１７を内部に配置するための坩堝１０１を準備する。坩堝１０１内において、原料１７を加熱することにより昇華させて、原料ガスを析出させることにより窒化物半導体結晶を成長する。準備する工程では、原料１７の融点よりも高い金属よりなる坩堝１０１を準備する。 （もっと読む）

【課題】半導体結晶の成長方向における不純物濃度またはキャリア濃度の分布をより均一にした半導体結晶および半導体結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体結晶中における最低不純物濃度Ｃ₁minとＣ₁min≦Ｃ₁≦１．５Ｃ₁minの関係を満たす不純物濃度Ｃ₁である結晶部分が、固化率０．１〜０．８の範囲内における結晶部分の４／７以上を占める半導体結晶とその半導体結晶の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 ルツボの回転数と引上軸の引上速度とを適切に制御することにより、ウエハ取得枚数の歩留の向上を図ったＧａＡｓ単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】 不活性ガスを充填したチャンバ２内に、ＧａＡｓ原料と封止剤としての三酸化硼素とを収納したルツボ５を設置する。ヒータ８によりルツボ５を加熱して、ルツボ５内にＧａＡｓ融液９を生成する。その後、ＧａＡｓ融液９に引上軸３の下端に取り付けた種結晶７を接触させ、ルツボ５を回転させながら種結晶７を引き上げてＧａＡｓ単結晶１０を製造する。このとき、ルツボ５の回転数ｎ〔ｒｐｍ〕と引上軸３の引上速度Ｖ〔ｍｍ／ｈ〕とが、２８≧ｎ≧５．８９ｅ^{０．０７Ｖ}を満足するようにする。 （もっと読む）

【課題】ナノクリスタルが集合したナノクリスタル集合体、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】１種以上の金属イオンを含む混合溶液やコロイド分散溶液において超音波を照射することにより、粒径が１ナノメートルから２０ナノメートルの単結晶粒子の、ナノクリスタルが特定の結晶方位を向いて整列・集合し、集合体の粒径が１００ナノメートル〜５０マイクロメートルの範囲で揃っているナノクリスタルの集合体を製造する。 （もっと読む）

【課題】製造過程が容易であり、製造コストが低廉な多元系ナノワイヤーの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る多元系ナノワイヤーの製造方法は、（ａ）複数の気孔を有する陽極酸化アルミニウムナノテンプレートを準備するステップと、（ｂ）前記陽極酸化アルミニウムナノテンプレートの一側面上に電極層を形成するステップと、（ｃ）前記陽極酸化アルミニウムナノテンプレートを所定の多元系溶液に浸漬させ、前記陽極酸化アルミニウムナノテンプレートを陰極とする電気めっき法によって、前記陽極酸化アルミニウムナノテンプレートの前記気孔を通じて多元系ナノワイヤーを成長させるステップと、（ｄ）前記陽極酸化アルミニウムナノテンプレートを除去するステップとを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】均一なドーパント分布を有するＳｉＣバルク単結晶並びにそれから作られる大面積ＳｉＣ基板を提供する。
【解決手段】成長坩堝３の結晶成長領域５の内部でＳｉＣ成長気相７が発生され、ＳｉＣバルク単結晶２がＳｉＣ成長気相からの分離により成長する。ＳｉＣ成長気相が、成長坩堝の内部のＳｉＣ貯蔵領域４内にあるＳｉＣ原料６から供給される。結晶成長領域に、ＳｉＣバンドエッジに対し少なくとも５００ｍｅＶの間隔の深いところにあるドーパント準位を持つドーパントが、成長坩堝の外部に配置されたドーパント貯蔵部からガス状にて供給され、ドーパントが、成長方向８に対して垂直に向けられた成長坩堝の横断面に関して多数の隣り合う個所３２において成長坩堝の中に導入されることによって、成長坩堝の内部において分配される。 （もっと読む）

本発明は、ダイヤモンドコーティングを基板上に堆積させる方法に関し、該方法は、サブミクロン粒子を含有するピラミッド型の新規な形態のダイヤモンドを特徴とする、コーティングの作製をもたらす。該方法は、印加する電界を制御することによる化学気相成長法によって行う。 （もっと読む）

【課題】単結晶の結晶欠陥を効率的に制御することができる単結晶製造用上部ヒーター、および、その単結晶製造用上部ヒーターを用いて、結晶欠陥を効率的に制御し、また、酸素濃度の制御性を向上して、高品質の単結晶を製造する単結晶製造装置および単結晶製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、電流が供給される電極と、抵抗加熱による発熱部とが設けられ、チョクラルスキー法により単結晶を製造する際に用いられるシリコン融液を収容するルツボを囲繞するように配置される黒鉛ヒーターの上部に配置される上部ヒーターであって、発熱部は、リング状でルツボを囲繞するように配置され、発熱部の内側および外側から、それぞれ水平方向にスリットが形成されたものであることを特徴とする単結晶製造用上部ヒーターである。 （もっと読む）

【課題】ＣＺ法（チョクラルスキー法）によりシリコン単結晶棒を引き上げてシリコン単結晶を製造する方法において、拡径部の無転位化の成功率を向上し、直径３００ｍｍ以上の大直径の単結晶棒を効率的に育成するシリコン単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】石英ルツボ内に収容したシリコン原料融液にシリコン種結晶を浸し、その後、種結晶を引き上げて拡径部、直胴部を形成して単結晶棒を引き上げるシリコン単結晶の製造方法において、拡径部は、拡径部の重量増加速度の変化率が２．０ｇ／ｍｉｎ^２以下となるように、重量増加速度の変化率を制御して、単結晶の直径を増加させて形成し、その後、直胴部を形成して、直径３００ｍｍ以上の単結晶棒を引き上げる。 （もっと読む）

【課題】サブマイクロオーダーやナノサイズを有している無機酸化物中空粒子、特には、球形金属酸化物単結晶中空サブマイクロ粒子や球形金属酸化物単結晶中空ナノ粒子を、簡単な方法で合成し且つ回収する方法を提供する。
【解決手段】真空容器中に、金属酸化物源である金属の第一電極と放電空間を囲む絶縁板、そして、該絶縁板の外面に第二電極を備え、且つ、該真空容器中への気体導入部を備えているスパッタリング装置において、前記第一電極と前記第二電極間に変動電圧を与え、前記気体導入部より酸素を0.１％以上含む気体を導入して、プラズマ中で、第一電極のスパッタリング及び飛散第一電極金属原子と酸素との酸化反応を同一放電空間で行うことにより球形金属酸化物単結晶中空粒子を生成せしめる。放電プラズマやガス流を制御することによって均質な粒径分布や空洞径／粒径の比の制御が可能になる。 （もっと読む）

【課題】 シリコン融液中の磁場の適切な設定を可能にするシリコン単結晶引上げ水平磁場の最適化方法およびシリコン単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】 有底円筒状の石英ルツボ１１内に貯留されたシリコン融液１２に印加する磁場の適切な設定では、一対の励磁コイル１３，１４が生成する水平磁場の石英ルツボ１１の円筒軸である垂直対称軸１７上における磁束密度の最大値をＢ_０とする。また、磁束密度Ｂ_０となる垂直対称軸１７を横切って直交する水平対称面１８が石英ルツボ１１の内径と交わる円周上において、磁束密度の最小値をＢ_ｍｉｎ、磁束密度の最大値をＢ_ｍａｘとする。そして、これ等の磁束密度Ｂ_０、Ｂ_ｍｉｎ、およびＢ_ｍａｘが所定の範囲になるようにし、固液界面１５ａ下部のシリコン融液１２の適正な上昇流と温度の制御を行う。 （もっと読む）

【課題】発光デバイスに好適に用いられるＩＩＩ族窒化物結晶基板ならびにその基板を含む発光デバイスおよびその発光デバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物結晶基板は、面積が１０ｃｍ²以上の主面を有し、主面の外周からの距離が５ｍｍ以下の外周領域を除く主領域において、総転位密度が１×１０⁴ｃｍ^-2以上５×１０⁵ｃｍ^-2以下であり、総転位密度に対する螺旋転位密度の比が０．５以上である。 （もっと読む）

【課題】転位やマイクロパイプ等の結晶欠陥の密度が低く、デバイス応用した場合に高い歩留まり、高い性能を発揮できる良質な炭化珪素単結晶、及び炭化珪素単結晶ウェハを提供する。
【解決手段】昇華再結晶法(レーリー法)により製造され、種結晶と成長結晶の界面前後での不純物添加元素濃度の比を５倍以内とし、なおかつ、種結晶近傍の成長結晶の不純物添加元素濃度を２×１０¹⁹cm^-3以上、６×１０²⁰cm^-3以下とすることで、転位等の結晶欠陥の密度を低下させた高品質炭化珪素単結晶であり、また、この炭化珪素単結晶から作製される炭化珪素単結晶ウェハである。 （もっと読む）

【課題】本発明は、Ｎｉ・Ｃｏ・Ｍｎ系多元素ドーピングしたリチウムイオン電池用正極材料及びその製造方法を提供する。本発明の電池用正極材料の製造方法として、まず沈殿法または化学合成法を用いて、Ｎｉ・Ｃｏ・Ｍｎ系多元素ドーピングした中間物を製造し、該中間物をリチウム塩と混合して前処理し、得られた混合物にポリビニルアルコールを投入し、均一に混合してから塊状物にプレス加工する。該塊状物を焼成炉に入れて８００〜９３０℃で焼成し、取り出して冷却、粉砕し、４００目開きの篩で篩分けを行い、篩目を通過した粉末材をさらに焼成炉に入れ、７００〜８００℃で焼成した後、取り出して冷却、粉砕することで、本発明に係る電池用正極材料を得る。この正極材料の粒子は、非集結単結晶粒子であり、粒子径が０．５〜３０μｍであり、一般式ＬｉＮｉ_xＣｏ_yＭｎ_zＭ_(1-x-y-z)Ｏ₂で表され、圧縮密度が３．４ｇ/ｃｍ³、初期放電容量が１４５〜１５２ｍＡｈ/ｇで、優れたサイクル特性及び高安全性を有する。
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【課題】特性の優れた電子デバイスを、クラックを生じさせることなく形成できるエピタキシャル基板、および該電子デバイスを提供する。
【解決手段】六方晶ＳｉＣ基材の上に、Ｉｎ_x1Ａｌ_y1Ｇａ_z1Ｎなる緩衝層を、緩衝層下部と緩衝層上部とで結晶粒の形態とが相異なるように、両者の間の結晶粒の形態変化が局所的ではあるが漸次的であるように形成する。さらに、緩衝層上部が、基板面に対して略垂直方向に存在する粒界を含むとともにｃ軸に配向した柱状多結晶からなり、緩衝層下部に存在する粒界の数が緩衝層上部に存在する粒界の数より多く、緩衝層上部についてのＸ線ロッキングカーブ（０００２）ωスキャンの半値幅が３００秒以上３０００秒以下であり、緩衝層の表面のＲＭＳが０．２ｎｍ以上６ｎｍ以下であり、基材表面に平行な方向における緩衝層上部の結晶粒の粒界幅と、緩衝層の形成厚みとの比が、０．５以上１．５以下であるようにする。 （もっと読む）

【課題】直胴部における直径が４５０ｍｍ以上の大口径シリコン単結晶インゴットであっても、全長にわたって良質な無転位シリコン単結晶インゴットを育成できる、シリコン単結晶インゴットの製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン融液１２を貯留する石英るつぼ１３を所定の回転速度で回転させ、シリコン融液１２から引上げられるシリコン単結晶インゴット２５を石英るつぼ１３とは逆方向に所定の回転速度で回転させながら引上げることにより、シリコン単結晶インゴット２５をチョクラルスキー法により成長させる。シリコン単結晶インゴット２５の直胴部における直径が４５０ｍｍ以上であるとき、シリコン単結晶インゴット２５の平均回転速度が１０ｒｐｍ以下、かつ石英るつぼの平均回転速度が１０ｒｐｍ以下にそれぞれ設定される。 （もっと読む）

【課題】 数μｍから数十μｍ程度の大きさの軟磁性フェライト粒子は、レーザーコピーで使用されるキャリア粉、電波吸収体や圧粉磁芯といった用途に需要がある。しかしこの大きさの軟磁性フェライトは、粉砕法で作製するには小さすぎ、成長法で作製するには大きすぎる。また、粉体の形状も一定にできなかった。
【解決手段】 材料となるフェライトと塩化鉄を混合し、９００℃以上１３００℃以下で焼成することで、フェライトが液相の塩化鉄中で結晶成長し、数十μｍの大きさの八面体の粒子を得る。 （もっと読む）

【課題】Li濃度が極低濃度で、抵抗率の高い各種デバイス用酸化亜鉛単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】実質的にLiを含まない原料２６および鉱化材溶液を用いるとともに、過酸化物の存在化で酸素分圧を高めて水熱合成することにより、所望の酸化亜鉛単結晶を得る。過酸化物は、過酸化水素に代表される過酸化物を少なくても１種以上、分解で生じる酸素換算で鉱化材溶液に対し0.02〜0.5モル/リットルの範囲の濃度で加える。 （もっと読む）

【課題】本発明によれば、結晶性が向上したＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体を生産性良く得ることができる。
【解決手段】サファイア基板表面に、シード層として、縦断面ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）写真の２００ｎｍ観察視野において結晶粒界が観察されないＡｌＮ結晶膜を形成させ、ついでＩＩＩ族窒化物半導体からなる、下地層、ｎ型半導体層、発光層およびｐ型半導体層を積層してなるＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体を反応炉を用いて製造するに際し、少なくとも下地層を成膜したＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体ウエハーを反応炉から取り出し、ついで次の成膜を別の反応炉で行なう。 （もっと読む）