【課題】育成すべき素材の融点、直径などが異なる場合であっても、単結晶の安定成長の条件を得ることができ、これにより、望まれる直径の高品質単結晶の育成を図ることができ、しかも加熱強度分布の変動を少なくし、結晶育成が容易な単結晶育成装置および単結晶育成方法を提供する。
【解決手段】上結晶駆動軸８に支持された原料棒１４と、下結晶駆動軸１２に支持された種結晶棒１６と、加熱手段とを有し、原料棒１４と種結晶棒１６との接触部分を加熱手段で加熱して溶融帯域１８を形成して単結晶を育成する単結晶育成装置において、加熱手段が同等の照射強度のレーザ光を放射する複数の矩形レーザ２ａ、…２ｅと光学手段とから構成されるとともに、溶融帯域１８の円周方向に配設されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】正方晶系の結晶構造を有する膜厚５００ｎｍ以上の、（００１）単一配向の機能性酸化物膜を備えた機能性酸化物構造体を提供する。
【解決手段】機能性酸化物構造体１は、基板１０上に、膜厚が５００ｎｍ以上の正方晶系の結晶系を有する機能性酸化物膜３０が成膜されたものであって、機能性酸化物膜３０が、（００１）単一配向の結晶配向性を有することを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】薄膜間の界面が急峻で良質な単結晶オキシカルコゲナイド系薄膜を成長させることができる単結晶オキシカルコゲナイド系薄膜の成長方法を提供する。
【解決手段】ＹＳＺ基板やＭｇＯ基板などからなる基板１０１上にパルス・レーザ・デポジション法やスパッタリング法などによりアモルファスオキシカルコゲナイド系薄膜１０２を成長させ、このアモルファスオキシカルコゲナイド系薄膜１０２を反応性固相エピタキシャル成長法により結晶化させることにより単結晶オキシカルコゲナイド系薄膜１０３を形成する。この単結晶オキシカルコゲナイド系薄膜１０３上に溶液気化ＣＶＤ法により単結晶オキシカルコゲナイド系薄膜１０４を成長初期からエピタキシャル成長させる。 （もっと読む）