【課題】合成対象とする結晶材料或いは当該材料原料の融点以下の温度で、従来では得られない大きさの単結晶を得る。
【解決手段】所定の温度勾配を形成でき、所定期間、所望の温度にて保持できる加熱装置１と、この加熱装置１の加熱源によって加熱される筒状容器２とを用い、多結晶材料或いは当該材料原料の出発原料３（ＴｌＦｅ₂Ｓｅ₂）を円筒状のペレットに成形して筒状容器２の載置部２１に載置し、重力場などの原子がマクロに移動可能な駆動力場下で、その出発原料３の融点以下の温度である７００℃にて塑性変形を生じさせるとともに、この塑性変形が終了する十分な時間である７００℃で保持することで大型の単結晶を製造する。 （もっと読む）

特に単結晶シリコンからなる少なくとも１つの基板（３）および単結晶シリコンの覆い層シリコン（５）を有するタイプの電子および／または光電子デバイスを実現するのに適している半導体基板（１）について記載する。有利なことに、本発明によれば、半導体基板（１）は、使われた材料の差違に関連した欠陥を減らすのに適している少なくとも１つの機能的カップリング層（１０）を有している。特に、機能的カップリング層１０は、単結晶シリコンからなる層（５）に形成され前述の使われた材料の結晶格子の差違に関連した欠陥を減らすのに適した波形状または山谷形状の部分（６）を有している。他の実施形態として、機能的カップリング層（１０）は、単結晶シリコンからなる基板（３）および単結晶シリコンからなる層（５）の間に配置され、使われた材料の熱膨張率の差違によって生じたストレスを減らすのに適した多孔質層（４）を有している。前述の半導体基板の製造プロセスも記載されている。
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【課題】大面積の基板上に結晶性に優れたオキシカルコゲナイド系半導体単結晶薄膜を製膜することができるオキシカルコゲナイド系半導体単結晶薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１上に非単結晶ＡＭＯＸ系薄膜（Ａはランタノイド元素およびＹからなる群より選ばれた少なくとも１種類の元素、ＭはＣｕおよびＣｄからなる群より選ばれた少なくとも１種類の元素、ＸはＳ、ＳｅおよびＴｅからなる群より選ばれた少なくとも１種類の元素）１２を製膜し、その表面の少なくとも一部をＡ、ＭおよびＸからなる群より選ばれた少なくとも１種類の元素を含む材料からなる粉末で覆い、この粉末に圧力を加えて圧粉体１７とした後、真空または不活性ガス雰囲気中でアニールすることによりこの非単結晶ＡＭＯＸ系薄膜１２を結晶化して単結晶ＡＭＯＸ系薄膜を製造する。 （もっと読む）

【課題】結晶方位に関し反対向きの構造を取る異なる極性を混在させた結晶において少なくとも表面において極性の単結晶としてデバイスをその上に製造するに適した単結晶基板を製造する方法を提供する。
【解決手段】結晶方位に関し反対向きの構造を取る異なる極性Ａ、Ｂを持つ部分が混在する結晶において、一方の極性Ｂの部分をエッチングして表面部分を除去し、あるいは除去せずそのままに極性Ｂの上を異種物質Ｍで被覆し、さらに同じ結晶の成長を行い極性Ａの結晶Ａ’によって表面を覆うようにする。 （もっと読む）

【課題】IIa・III₂・VI₄組成の化合物のバルク単結晶の確実で安全な作製方法、及び、そのための好適な作製装置を提供する。
【解決手段】（a）VI族元素の蒸気存在下で、III₂VI_３化合物とIIa金属元素とを融解して一般式IIa・III_２・VI₄の組成を有する化合物を合成する段階、(b)IIa・III_２・VI₄化合物を過冷却点以下まで冷却して該IIa・III_２・VI₄化合物を凝固する段階、(c)凝固した該IIa・III_２・VI₄化合物を再加熱した後徐冷することにより種結晶を作製する段階、（ｄ）該種結晶を用いて、IIa−III-VI族間のIIa・III_２・VI₄の組成を有する化合物のバルク単結晶を作製する段階、を含む。 （もっと読む）

アルカリ土類・カルコゲン化合物、アルカリ・カルコゲン化合物、I-VII族化合物、II-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI₂族化合物、IV-IV族化合物、II-VII₂族化合物の群から選ばれる化合物であって、B、C、N、O、F、Si、Geなどの最外殻に不完全なp電子殻を持つ少なくとも１種の元素を固溶していることで、強磁性転移温度が室温以上であることを特徴とする光を透過しながら高い強磁性特性を有する単結晶の透明強磁性化合物。これらの最外殻に不完全なp電子殻を持つ元素の濃度の調整、アクセプターおよびドナーの添加などにより価電子制御を行いその強磁性特性を調整する。 （もっと読む）