【課題】ＧａＮ等の単結晶中に含まれる不純物元素の含有量を選択的に制御させることができる方法を提供する。
【解決手段】不純物としてＬｉを８７ｐｐｍ含有するＧａＮ単結晶（未処理）４と、ＧａＣｌ3を含むＫＣｌ溶液５とＧａ金属６とを、石英アンプル管１に真空封入して横型炉にセットし、石英ガラス反応管２を加熱し９００℃で２００時間保持した後、石英ガラス反応管２を取り出し、空気中で急冷する。石英アンプル管１の内部から固体状となった試料を取り出して１００℃の温水処理を間施し、次いで、塩酸を用いて酸処理を行い、内容物を溶解することにより溶液中にＧａＮ単結晶が沈殿して残る。これを蒸留水で洗浄し、乾燥することにより、処理前に比較して不純物元素であるＬｉ含有量の低いＧａＮ単結晶が得られる。逆に、ドーピング元素を含む溶液を用いることにより、単結晶に所望量の不純物元素を含有させることも可能である。 （もっと読む）

【課題】 単結晶シリコンの酸素濃度に依存せずに結晶欠陥領域を正確かつ簡便に短時間に分析することができる、金属汚染及び熱処理を利用した単結晶シリコンの結晶欠陥領域の区分方法を提供する。
【解決手段】 単結晶シリコンインゴットの片またはシリコンウェーハで形成されたサンプルを備えた後、サンプルの少なくとも一面に金属を１×１０^１４〜５×１０^１６ａｔｏｍｓ／cm²濃度で汚染させて、その汚染されたサンプルを熱処理し、その熱処理されたサンプルで汚染された面または汚染された面の反対面を観察して結晶欠陥領域を区分する結晶欠陥領域の区分方法。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板上に製膜した、酸化モリブデン（ＭｏＯ_３）を主成分とする導電性の有機無機ハイブリッド薄膜、該薄膜を製造する方法、及びその導電性有機無機ハイブリッド薄膜を利用したセンサ部材等を提供する。
【解決手段】金属酸化物単結晶に比べて安価なシリコン基板上に、適切な金属酸化物のバッファー層を介在させて、有機無機ハイブリッド薄膜を形成したことを特徴とする、電気伝導性有機無機ハイブリッド薄膜、その製造方法、該方法により作製された電気伝導性有機無機ハイブリッド薄膜をセンサ素子として用いた、ＶＯＣガス等に対して高感度に応答する化学センサ部材。 （もっと読む）