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Fターム[4G077FA06]の内容

結晶、結晶のための後処理 (61,211) | 後処理−拡散源、その配置 (19) | 固体拡散源と基板を接触させる (2)

Fターム[4G077FA06]の下位に属するFターム

固体拡散源の粉末中に基板を埋めるもの

Fターム[4G077FA06]に分類される特許

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【課題】低コストで、電気機械結合係数が向上された弾性表面波デバイス用圧電基板及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】タンタル酸リチウム単結晶又はニオブ酸リチウム単結晶からなる弾性表面波デバイス用圧電基板であって、該弾性表面波デバイス用圧電基板は、引き上げ法により得られたコングルエント組成のタンタル酸リチウム単結晶又はニオブ酸リチウム単結晶からなる基板の表層に、リチウムが拡散されたものであり、該リチウムが拡散された表層の厚さは、弾性表面波の波長で規格化した値で3〜15波長の範囲である弾性表面波デバイス用圧電基板。 (もっと読む)


【課題】従来法において困難であった高濃度のロジウム(Rh)がドープされたタンタル酸リチウム基板を低コストで容易に製造できる方法を提供すること。
【解決手段】このタンタル酸リチウム基板の製造方法は、基板1の状態に加工されたタンタル酸リチウム単結晶を、Rh板またはPt−Rh合金板2と接触させ、800℃以上、タンタル酸リチウム単結晶の融点未満の温度条件で3時間以上50時間以下熱処理することを特徴とする。尚、熱処理雰囲気は、大気、真空、不活性ガス、還元性ガスの何れでもよく任意である。 (もっと読む)


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