【課題】 融液凝固法で育成したフッ化金属単結晶のレーザー耐性を向上させるための熱処理方法を提供する。
【解決手段】 気密化可能な熱処理炉を用い、その融点がＸ_melt℃であるフッ化金属単結晶をその融点未満の温度まで加熱した後、室温まで徐冷するフッ化金属単結晶の熱処理方法において、２５０℃以上、（Ｘ_melt−５００）℃以下の範囲にある所定の温度までは、真空排気下に昇温を行い、当該所定温度に到達した後にフッ素系ガスを熱処理炉内に導入するとともに、該熱処理における最高温度を（Ｘ_melt−３５０）℃以上、好ましくは（Ｘ_melt−１５０）℃以下とすることを特徴とするフッ化金属単結晶の熱処理方法。 （もっと読む）

【課題】第１族金属イオンとアクセプタドーパントのイオンを含んでいるバルク単結晶ガリウム含有窒化物を得る方法及びそれで作られたエピタキシー基板とその基板で製造されるデバイスを提供する。
【解決手段】超臨界のアンモニア含有溶液から単結晶ガリウム含有窒化物のシード上への晶出(結晶化)工程から構成され、アクセプタドーパントイオンの超臨界のアンモニア含有溶液に対するモル比は少なくとも0.0001である。また、シード上で晶出させる工程後、950℃と1200℃の間の温度、望ましくは950℃と1150℃の間の温度で窒化物をアニールする工程から構成される。 （もっと読む）

【課題】単結晶の耐光損傷強度を充分に確保すると共に、抗電場の増大化を抑え、周期分極反転構造を形成する場合の特性のばらつきを抑えることを目的とする。
【解決手段】酸化マグネシウム（ＭｇＯ）を添加物として含み、その添加量を０ｍｏｌ％を超える０．１５ｍｏｌ％以下とするコングルエント組成のタンタル酸リチウム単結晶基板を使用して、このコングルエント組成のタンタル酸リチウム単結晶基板を、少なくともリチウムを含む原料を用いて気相平衡法により処理することにより、化学量論組成に近づける。この基板１を用いて光機能素子を形成する。 （もっと読む）

【課題】結晶性のより良好な圧電体薄膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】圧電体薄膜１を第１圧電体薄膜１３と第２圧電体薄膜１５との２回に分けて
形成する。ここで、第１圧電体薄膜１３形成後に熱処理を行うため、第１圧電体薄膜１３
の結晶性が、熱処理前の第１圧電体薄膜１３と比較して向上できる。そして、その後形成
される第２圧電体薄膜１５も熱処理後の第１圧電体薄膜１４に倣って結晶成長し、全体と
して結晶性の向上した圧電体薄膜１を得ることができる。また、第１圧電体薄膜１３，１
４の膜厚が、５ｎｍ以上で１００ｎｍ以下で、圧電体薄膜１全体の膜厚である数μｍと比
較すると薄い。この程度の厚さの薄膜は、結晶の欠陥数自体が少ない。そして、熱処理温
度が３００℃より大きければ、欠陥数が少ないので十分な結晶性を得ることができ、８０
０℃以下であれば、基板１０との熱膨張係数の違いによる薄膜の剥離も少なくできる。 （もっと読む）

故意にミスカットした基板を用いることにより、半極性（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ，Ｂ）Ｎ半導体薄膜の成長を改良する方法である。具体的には、該方法は、基板を故意にミスカットするステップと、基板を反応装置内に装填するステップと、窒素および／または水素および／またはアンモニアの流れのもとで該基板を加熱するステップと、該加熱された基板上にＩｎ_ｘＧａ_１−ｘＮの核生成層を成膜するステップと、該Ｉｎ_ｘＧａ_１−ｘＮ核生成層上に半極性窒化物半導体薄膜を成膜するステップと、該基板を窒素過圧のもとで冷却するステップとを備える。
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【課題】 次世代光リソグラフィー技術用の光学材料として有用である、歪み（複屈折）が小さく、かつ透過率やコントラストの低下原因となる微小ボイド（濁りや曇り）もほとんどないフッ化金属単結晶を効率よく製造する。
【解決手段】 融点がＸ_melt℃のフッ化金属単結晶をアニールするに際して、該アニールにより到達させる最高温度Ｘ_MAX℃を（Ｘ_melt−２５０）℃以上とし、かつ、（Ｘ_MAX−５０）℃からＸ_MAX℃まで、好ましくは（Ｘ_MAX−１００）℃からＸ_MAX℃までの昇温を、５℃／ｈｒ以下の昇温速度で行う。例えば、融点が１４２０℃であるフッ化カルシウム単結晶をアニールする場合、最高温度Ｘ_MAX℃を１１７０℃以上（１４２０℃未満）とする。さらにこの場合に、Ｘ_MAX℃を例えば１３００℃とした場合には、１２５０℃〜１３００℃（好ましくは１２００〜１３００℃）の範囲における昇温速度を５℃／ｈｒ以下とする。 （もっと読む）

【課題】作製条件に特段の制限を設けることなく、III族窒化物結晶における表面平坦性の向上を実現する方法を提供する。
【解決手段】単結晶の基材１とその主面上にエピタキシャル形成されたIII族窒化物結晶膜からなる上部層２とで構成されたエピタキシャル基板１０を、窒素雰囲気下で１２５０℃以上の温度で加熱処理する。
【効果】表面におけるピットが低減することにより表面平坦性が改善し、また、III族窒化物結晶内の転位密度が熱処理前の１／２以下となる。 （もっと読む）

【課題】ＡｌＮ単結晶基板について表面平坦性を確保するとともに結晶品質を改善する方法を提供する。
【解決手段】ＡｌＮ単結晶基板について、例えば平均粒径０．１μｍのアルミナ砥粒を１０重量％分散させてあり、かつｐＨがほぼ５から１０の間の研磨液を用いて、平均研磨量が１μｍとなるような研磨を行う。その後、１５００℃以上、好ましくは１６００℃以上の温度で該ＡｌＮ単結晶基板を加熱するアニール処理を行う。これにより、ＡｌＮ単結晶基板の表面平坦性が改善される。また、研磨処理によって生じる加工変質層がアニール処理によって除去されてなることから、基板上にデバイス層を形成すると、鏡面状態の表面を有し、かつ、研磨処理のみを行った基板に対して形成するよりも結晶品質のよいデバイス層を得ることが出来る。 （もっと読む）