単結晶スピネルウェハが開示され、前面および裏面；ならびに第１および第２平面を持つ外周部を含む。ある態様において、単結晶スピネルウェハは特定の結晶学的配向を有し、そして平面は所望の面配置に沿って延びるように与えられる。平面はへき開面およびへき開面のへき開方向を確認するのに有利でありうる。 （もっと読む）

単結晶スピネルブール、ウェハ、基板およびそれらを含む能動デバイスが開示される。１つの態様において、このような物品は改良された収率により表される、減少した機械的応力および/またはひずみを有する。さらに、単結晶スピネルは非化学量論的組成を有し、約４００ｎｍ〜約８００ｎｍの波長範囲にわたる透明性窓を有する。 （もっと読む）

反応器中に配置された基材上に結晶を成長させる方法であって、この反応器は、反応器チャンバを提供し、この基材は、この反応器チャンバの中に配置され、この方法は、この反応器チャンバの内部に反応性ガスをこの基材に向かって流す工程であって、この反応性ガスは、互いに結合してこの結晶を形成し得る成分を含有する工程；緩衝ガスを加熱する工程；およびこの加熱された緩衝ガスを、この反応性ガスとこの反応器壁との間のこの反応器チャンバ中で、この反応性ガスおよびこの緩衝ガスが相互作用し得るように、流す工程、を包含し、ここでこの流れている緩衝ガスが、この反応性ガスにより生成される第１の物質の少なくとも１つがこの反応器壁に到達するのを阻害し、そしてこの反応性ガスがこの基材に到達する前に、この反応器壁により生成される第２の物質が反応器チャンバー中のこの反応性ガスに到達するのを阻害する。
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制御された窒素含有量を有する半絶縁性炭化珪素結晶を製造する方法を開示している。
前記方法は、昇華グロースチャンバ中に水素を含む雰囲気ガスを導入する工程；水素雰囲気グロースチャンバ中で炭化珪素原料粉末を加熱して昇華させる工程、一方、該水素雰囲気グロースチャンバ中で、炭化珪素種結晶を、該原料粉末の温度を下回る第二の温度まで加熱し且つその温度に維持して、該第二の温度で、該原料粉末からの昇華種を該種結晶上で凝縮させる工程、所望の量の炭化珪素結晶成長が該種結晶上で起こるまで、該炭化珪素原料粉末を加熱し続ける工程、一方、成長炭化珪素結晶中へ混入する窒素の量を最少にするのに充分な濃度にグロースチャンバ中の水素の雰囲気濃度を維持する工程；そして、一方、得られる炭化珪素結晶を半絶縁性にする量まで該成長結晶中の点欠陥の数を増加させるのに充分に高いそれぞれの温度に、該原料粉末及び該種結晶を、昇華成長している間、維持する工程を含む。 （もっと読む）

本発明は、炭化珪素結晶中の窒素含量を調整することに関するものであり、また詳しくは、炭化珪素の昇華成長中の窒素の混入を低下させることに関する。本発明は、グロースチャンバ中にすべて水素の雰囲気を提供することによって、成長炭化珪素結晶中の窒素濃度を制御する。水素原子は、成長結晶の表面における窒素原子の混入を実質的に遮断するか、減少させるか又は妨害する。 （もっと読む）

電子および／または光電子用途用のＧａＮデバイスを作製するための基板を形成するために有用に用いられる大面積単結晶半絶縁性窒化ガリウムを開示する。大面積半絶縁性窒化ガリウムは、たとえばＭｎ、Ｆｅ、Ｃｏ ＮｉおよびＣｕなどの深いアクセプタドーパント種で、成長している窒化ガリウム材料をその成長中にドープして、窒化ガリウムにおけるドナー種を補償しかつ窒化ガリウムに半絶縁特性を付与することによって、容易に形成される。
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【課題】 混合融液の液面（気液界面）の変動を積極的に利用することで、III族窒化物結晶の結晶成長速度を高め、実用的な結晶サイズのIII族窒化物結晶を低コストで成長させる。
【解決手段】 混合融液１０３に含まれるアルカリ金属を蒸発させることによって、混合融液表面の相対的位置を低下させることができる。これによって、III族窒化物結晶（ＧａＮ）１１０を治具１１９の先端部から下方に向けて継続的に成長させることができる。 （もっと読む）