【課題】 水晶結晶薄膜、特にＡＴカット面に優先的に配向した水晶結晶薄膜を均一な厚みで製造するために有利に用いることができる水晶薄膜の製造装置を提供すること。
【解決手段】 排気口を備えた反応容器、反応容器内に装着された基板ホルダ、反応容器の外部から内部に原料の珪素アルコキシドを含有する気体を供給する気体供給管であって、基板ホルダに支持される基板の表面もしくは基板表面を含む平面上の基板の周囲の領域に間隔を介して先端開口部が向けられて配置されている第一気体供給管、そして反応容器の外部から内部に酸素含有気体を供給する気体供給管であって、基板と第一気体供給管の先端開口部との間隔よりも短い間隔を介して上記基板の表面もしくは基板周囲の領域に先端開口部が向けられて配置されている第二気体供給管を含む水晶薄膜製造装置。 （もっと読む）

マスクされ制御されたイオン注入を、アニーリングもしくはエッチングと併せて、CVDで形成した単結晶ダイヤモンドに使用し、光学用途にも、ナノ電子機械装置形成にも、医療装置形成にも使えるような構造を作成できる。イオン注入法は、ダイヤモンドの成長表面下に一種類もしくは複数種類の原子を入れ込む際に使われる手法であって、ダイヤモンドの成長表面下の所定の深さに、ピーク濃度の原子を有する被注入層を形成するために用いられる。この組成物を、適切な条件の非酸化環境下で加熱して、ダイヤモンド基層と被注入層とを分離する。剥がれた構造に対してさらにイオン注入を行って、望みのままに構造をまっすぐに伸ばしたり曲げたりすることもできる。また、硼素添加を用いて、導電性ダイヤモンド構造を作成することも可能である。 （もっと読む）

【課題】 圧電基板の焦電効果による微細電極の静電破壊がなく、かつ周波数特性の劣化が発生しない弾性表面波素子およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 タンタル酸リチウム単結晶またはニオブ酸リチウム単結晶からなり、酸素含有量が化学量論比組成より少ない非焦電性の圧電基板１上に、ＩＤＴ電極３を形成してなる弾性表面波素子であって、圧電基板１の酸素含有量が周囲より多い表面の一領域（酸化層２）上にＩＤＴ電極３を形成し、かつＩＤＴ電極３の電極指の間の圧電基板１の表面（４）の酸素含有量がＩＤＴ電極３の電極指の下の領域より多いことを特徴とする弾性表面波素子とする。圧電性を劣化させることなく、焦電効果によって発生する静電気によるＩＤＴ電極３の破壊を防止しつつ、所望のフィルタ特性を得ることができる。 （もっと読む）

イットリウムの一部をガドリニウムに置換したイットリウム・鉄・ガーネットの単結晶が球状に成形されたＹＩＧ結晶体１６と、ＹＩＧ結晶体１６に磁界を印加してＹＩＧ結晶体１６を共振する磁界印加手段２６とを有する共振器を有している。これにより、磁気共鳴半値幅が小さく、共鳴飽和が生じる限界電力が大きいＹＩＧデバイスを提供することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、種水晶と制御板のあいだに予め隙間を設ける線状欠陥密度の低い人工水晶の育成方法を提供することである。
【解決手段】上記の目的を達成する為に本発明は、水熱法で製造する人工水晶の育成方法において、種水晶と制御板と呼ばれる板のあいだに予め隙間を設けることを特徴とし、また種水晶と板のあいだに予め設けられる隙間が０．３ｍｍから１０．０ｍｍであることを特徴として課題を解決するものとする。 （もっと読む）