【課題】 良好な品質の圧電単結晶（Ｌａ₃Ｇａ₅ＳｉＯ₁₄の単結晶、Ｓｒ₃Ｇａ₄Ｇｅ₂Ｏ₁₄の単結晶）の育成を、マイクロ引き下げ法により十分な速度で実施する。
【解決手段】 坩堝２の底面のダイ部９の直下の位置と、そこから１０ｍｍ下方の位置との温度差をΔＴ（℃）と定め、また育成時の種結晶４の引き下げ速度をＶ（ｍｍ／ｍｉｎ）と定める。このとき、温度差ΔＴが１０℃≦ΔＴ≦２５℃の場合に、引き下げ速度Ｖが０．０５ｍｍ／ｍｉｎ≦Ｖ≦１．５ｍｍ／ｍｉｎの範囲の条件において前記の圧電単結晶を育成するか、もしくは温度差ΔＴが２５℃≦ΔＴ≦５０℃の場合に、引き下げ速度Ｖが０．０５ｍｍ／ｍｉｎ≦Ｖ≦０．３ｍｍ／ｍｉｎの範囲の条件において前記の圧電単結晶を育成する。 （もっと読む）

【課題】育成結晶のアニール、ポーリングを行いながら、連続的に単結晶を引き上げる酸化物単結晶育成装置、及び安定した温度環境化で結晶育成を行い、育成収率の向上ならびに、坩堝、耐火物の寿命を向上させることにより育成コストを大幅に低減するタンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム等の酸化物単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】チャンバー１の加熱室内に設置された坩堝９に原料酸化物を間接加熱して、得られた酸化物融液に単結晶引き上げ軸３の種結晶を接触させた後に、不活性ガス雰囲気中で種結晶を回転させながら引き上げて酸化物単結晶を育成、成長させるための酸化物単結晶育成装置において、加熱室の外周に配置された加熱コイル４と、加熱コイル４に高周波電流を供給する高周波電源を有するメインチャンバー１の上方に、温度調節用ヒーター１３とポーリング用電極１５を有する上部チャンバー１２、１６が移動可能に複数個配設されている。 （もっと読む）

【課題】結晶性、光学特性に優れた水晶単結晶薄膜を提供する。
【解決手段】基板５の表面に、六方晶を形成する物質によりアモルファス結晶のバッファ層を堆積させ、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラプロポキシシラン、およびテトラブトキシシランの群から選択された一種または複数種の珪素アルコキシドを珪素源とし、この珪素源を大気圧下において気化して導入し、導入された珪素源を酸素Ｏ_２と反応させてバッファ層上にエピタキシャル成長させる。 （もっと読む）

【課題】 処理後のウエハの不良品発生率を低減することが可能な半絶縁性ＧａＡｓウエハ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 直径Φが４インチ以上の半絶縁性ＧａＡｓウエハであって、ウエハの半径Ｒに対してウエハ中心から（２／３）・Ｒの半径を有する円の部分を中心部とし、前記ウエハ面内の中心部以外の部分である外周部の平均転位密度が、前記中心部の平均転位密度より大きい。 （もっと読む）

【課題】結晶育成の成功率が８０％以上に改善され、しかも、結晶中の転位列の発生が抑制された高品質酸化物単結晶を再現性良く、低コストで製造可能な酸化物単結晶の育成方法を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法を用いてニオブ酸リチウムやタンタル酸リチウム等の酸化物単結晶を育成する方法において、育成される結晶の直胴部３の直径ｄと坩堝５の内径Ｄの比ｄ／Ｄを０．８〜０．９として育成する。育成結晶と用いる坩堝５の直径比が大きいため、所望の直径ｄの単結晶を得るのに必要な坩堝５が小さくて済み、高価な貴金属類の使用量が減る。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥の少ない高品質の単結晶を製造することが可能な単結晶製造装置、該単結晶製造装置を用いて製造される単結晶材料、電子部品並びに単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶の原料１０２が収容される金属ルツボ１０１と、該金属ルツボ１０１を高周波加熱する加熱手段（高周波誘導加熱コイル１０３、高周波加熱電源１０４）と、電磁シールド１０９でシールドされ前記金属ルツボ１０１の温度を熱電対１１０で検出する温度センサーと、前記金属ルツボ１０１の原料融液１０２から単結晶１０７を成長させる単結晶成長手段と、前記加熱手段を制御する制御手段である温度調節器１１１とを備え、前記温度調節器１１１は、前記温度センサーの検出信号に基づいて、前記加熱手段を制御して単結晶成長過程における前記原料融液１０２の温度調整を行う。 （もっと読む）

【課題】従来よりも高い精度でc軸が薄膜の面内の一方向に配向したウルツ鉱薄膜を製造する方法を提供する。
【解決手段】イオンビームを、少なくともその一部が基板２１の表面に対して10°以下の角度でその基板表面に入射するように照射しつつ、薄膜の原料を基板表面に堆積させる。その際、イオンビームのうち基板表面に入射しない一部のイオンビームを薄膜の原料から成るターゲット２２に入射させることによりターゲット２２をスパッタし、スパッタされた薄膜原料を基板２１の表面に堆積させることもできる。このようなイオンビーム照射により、基板表面へのイオンビームの正射影に沿ってc軸が配向したに薄膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】良好なキャリア濃度分布を有するＳｉドープＧａＡｓ単結晶並びにその製造方法及び装置を提供する。
【解決手段】液体封止剤を用いた縦型ボート法によるＳｉドープＧａＡｓ単結晶の製造方法による結晶育成過程において、適正な時期に液体封止剤層を撹拌することにより、ＧａＡｓ原料融液層中のＳｉ濃度を制御し、単結晶中の位置を結晶育成過程における結晶の固化率ｇで表して（１−ｇ）の対数値を横軸にとり、各固化率で特定される位置における単結晶中のキャリア濃度の対数値を縦軸にとったグラフに表される曲線が、固化率ｇが０．１〜０．８の範囲において、勾配が負の値を持ち、かつその勾配の絶対値が０．６より大きい直線と勾配の絶対値が０．６以下の直線とが接続されたものであるＳｉドープＧａＡｓ単結晶を得る。 （もっと読む）

【課題】還元処理の効果が再現性良く安定して発現されるタンタル酸リチウム基板の材料となるタンタル酸リチウム単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】原料融液８が収容される坩堝１の周囲と上方側にジルコニア耐火物２が配置された耐火物構造の電気炉を用いてチョコラルスキー法によりタンタル酸リチウム単結晶を製造する方法において、坩堝上方側に配置されたジルコニア耐火物２の少なくとも原料融液８と対向する面に、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｍｏ、Ｗから選ばれた高融点金属板により構成され、ジルコニア耐火物２の破片が原料融液８内に混入することを防止する落下防止部材９を設ける。 （もっと読む）

【課題】タンタル酸リチウム（ＬＴ）単結晶の基板を還元処理してＬＴ基板を得る際、処理バッチ間における体積抵抗率のばらつきが低減されたＬＴ基板とその製造方法を提供する。
【解決手段】Ｚｒ濃度が５００ｐｐｍ以下の原料融液８を用いたチョコラルスキー法等によりＬＴ単結晶７を育成し、ＬＴ単結晶７から作製された基板を、Ａｌ粉末若しくはＡｌとＡｌ_２Ｏ_３の混合粉末中において還元処理することにより、体積抵抗率が１０^１０Ω・ｃｍ未満に制御され、Ｚｒ濃度が１００ｐｐｍ以下であるＬＴ基板を製造する。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物結晶の収率を向上することができるＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法およびそのＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法により成長させたＩＩＩ族窒化物結晶を提供する。
【解決手段】基板８を保持するためのサセプタ６の表面６ａに対向する対向面１１ａとサセプタの周囲を覆うように配置された側面１１ｂとによって区画される成長室１９を形成し、対向面１１ａ、側面１１ｂ、および対向面と側面との境界からなる群から選択された少なくとも１箇所から原料ガスを成長室１９に導入し、原料ガス中の窒素含有ガスとＩＩＩ族元素のハロゲン化物ガスとの反応による基板８上へのＩＩＩ族窒化物結晶の成長時に対向面１１ａの温度および側面１１ｂの温度をそれぞれサセプタ６の表面６ａに保持された基板８の温度よりも高くする。 （もっと読む）

【課題】タンタル酸リチウム（ＬＴ）単結晶の基板を還元処理してＬＴ基板を得る際、処理バッチ間における体積抵抗率のばらつきが低減されたＬＴ基板とその製造方法を提供する。
【解決手段】Ｎｂ濃度が１００ｐｐｍ以下の原料を用いたチョコラルスキー法等により育成されたＬＴ単結晶から作製されたＮｂ濃度が３０ｐｐｍ以下であるＬＴ基板を、Ａｌ粉末若しくはＡｌとＡｌ_２Ｏ_３の混合粉末中において還元処理して体積抵抗率を１０^１０Ω・ｃｍ未満に制御する。 （もっと読む）

【課題】少なくとも表面の転位密度が全面的に低い大型のＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法は、ＩＩＩ族窒化物種結晶を含み、ＩＩＩ族窒化物種結晶は主領域１ｓと主領域１ｓに対して＜０００１＞方向の極性が反転している極性反転領域１ｔとを有する下地基板１を準備する工程と、下地基板１の主領域１ｓおよび極性反転領域１ｔ上に液相法によりＩＩＩ族窒化物結晶１０を成長させる工程を含み、主領域１ｓ上に成長するＩＩＩ族窒化物結晶１０の成長速度の大きい第１の領域１０ｓが、極性反転領域１ｔ上に成長するＩＩＩ族窒化物結晶１０の成長速度の小さい第２の領域１０ｔを覆うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
サファイア基板上に水晶をヘテロエピタキシャル水晶薄膜では、カットアングルを補正することができない欠点とサファイア基板と水晶薄膜との熱膨張係数の差で生じる残留応力の問題を解決する。
【解決手段】
任意に傾けたオフ角２°〜４°の水晶基板に５００℃以下の低温でのホモエピタキシャル膜の作製に光ＣＶＤ装置を使用し、無ひずみ加工の状態の水晶基板上にホモエピタキシャル水晶を結晶成長させることで成長方位の制御を可能とし、水晶基板と水晶薄膜とのの間の残留応力が発生しないため長期安定性に優れたＡＴカット水晶振動子や弾性表面波デバイス用水晶エピタキシャル基板を提供できる。本発明の水晶エピタキシャル基板は、大口径のΦ４インチ水晶ウェハを使用する。バッチ処理でこのΦ４インチ水晶ウェハ上に多数のパターンを形成後、ダイシングで個々のチップに分割し、一括処理が可能である。 （もっと読む）

【課題】 水晶結晶薄膜、特にＡＴカット面に優先的に配向した水晶結晶薄膜を均一な厚みで製造するために有利に用いることができる水晶薄膜の製造装置を提供すること。
【解決手段】 排気口を備えた反応容器、反応容器内に装着された基板ホルダ、反応容器内に酸素含有気体を供給する、基板ホルダに支持される基板の表面もしくは基板表面を含む平面上の基板の周囲の領域に間隔を介して先端開口部が向けられて配置されている気体供給管、反応容器内に珪素アルコキシドを含有する気体を供給する供給口、反応容器内に反応促進剤を含む気体を供給する供給口、および各気体供給口側の反応容器の端部と上記基板の設置位置との間に設けられ、基板表面に向いた開口部を有する、珪素アルコキシド含有気体と反応促進剤含有気体との混合室を含む水晶薄膜製造装置。 （もっと読む）

【課題】結晶の析出位置を制御し、結晶の収率を向上させ、また、結晶への不純物混入を防止して結晶を高純度化するソルボサーマル法による結晶製造方法、結晶製造装置を提供する。
【解決手段】溶媒と臨界密度の異なる物質を反応容器内に所定量存在させ、ソルボサーマル法により結晶成長を行う結晶製造方法、結晶製造装置である。 （もっと読む）

物理的蒸気輸送方法及びそのシステムにおいて、源物質と種結晶とが空間的に関係して入れられた成長チャンバーが備えられている。カプセルの内部と外部との間に伸びた少なくとも１つの毛細管を有する少なくとも１つのカプセルもまた備えられているが、そこでは、カプセルの内部にはドーパントが入れられている。各カプセルは前記成長チャンバーに組み込まれている。各カプセルの組み込みに続いて前記成長チャンバーで行われる成長反応を経て、結晶は、前記源物質を用いて前記種結晶の上で形成されるが、そこでは、該形成された結晶は前記ドーパントがドーピングされる。 （もっと読む）

【課題】基板間の音速バラツキが小さく、ＳＡＷデバイス製造の歩留まりが良好なランガサイト単結晶及びその製造方法を提供する。
【解決手段】チョクラルスキ法によるランガサイト単結晶Ｃの製造方法であって、ランガサイト単結晶Ｃを引き上げるための引き上げ軸５にＹ５４方位のランガサイト種結晶Ｓを取り付け、引き上げ軸５の回転数を、２０ｒｐｍ以上、３０ｒｐｍ以下の状態で、ランガサイト単結晶Ｃを引き上げることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 清浄な表面を有し安価に製造できるＤＡＳＴ結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】 ＤＡＳＴ（４−ジメチルアミノ−Ｎ−メチル−４−スチルバゾリウムトシレート）を溶媒Ａに溶解した溶液中でＤＡＳＴ結晶を育成する工程と、この育成した結晶を溶媒Ａと相溶性があり溶媒ＡよりもＤＡＳＴの溶解性が低く且つ溶媒Ａよりも蒸気圧が低い溶媒Ｂ中に結晶を乾燥させずに移行させて結晶表面に付着した溶媒Ａを除去する工程と、この溶媒Ｂに移行させた結晶を溶媒Ｂと相溶性がありＤＡＳＴを溶解しない溶媒Ｃに結晶を乾燥させずに移行させて結晶に付着した溶媒Ｂを除去する工程とを具備する。 （もっと読む）

【課題】 ニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛膜、これを有するニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛積層体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係るニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛積層体１００は、サファイア基板１１と、サファイア基板１１の上に形成されたニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛膜１２と、を含む。 （もっと読む）